產品特性：

• 第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)
• 增強了電感性能，提高了靈活性
• 配合設計高精度、高性價比的集成無源元件

• 電子設備中的射頻(RF)係統級封裝
• 用於最新便攜和無線應用
   

HighQ™ IPD2工藝是安森美半導體定製代工部眾多創新製造服務之一，采用先進的8英寸晶圓技術，典型設計包括平衡/不平衡轉換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器
，用於最新便攜和無線應用。基於IPD2的設計為電路設計人員提供重要優勢，如降低成本
、減小厚度、小占位麵積
，以及更高性能(等同於延長電池使用時間)。

安森美半導體為其IPD2工藝技術提供全功能設計工具和設計支援，以及快速的原型製造能力，幫助潛在用戶快速和高性價比地評估，不管他們複雜度較低的分立或集成印製電路板(PCB)方案
、較厚也較昂貴的陶瓷方案，還是基於更昂貴的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否適合轉換至IPD2工藝。

安森美半導體定製代工部高級總監Rick Whitcomb說：“在高性價比、小(xiao)尺(chi)寸(cun)和(he)低(di)插(cha)入(ru)損(sun)耗(hao)的(de)平(ping)台(tai)上(shang)集(ji)成(cheng)無(wu)源(yuan)器(qi)件(jian)，能(neng)為(wei)電(dian)池(chi)供(gong)電(dian)便(bian)攜(xie)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)提(ti)供(gong)極(ji)有(you)用(yong)的(de)方(fang)案(an)。我(wo)們(men)以(yi)全(quan)套(tao)設(she)計(ji)工(gong)具(ju)和(he)技(ji)術(shu)配(pei)合(he)這(zhe)新(xin)工(gong)藝(yi)，能(neng)夠(gou)幫(bang)助(zhu)客(ke)戶(hu)以(yi)最(zui)短(duan)的(de)時(shi)間(jian)和(he)最(zui)大(da)的(de)信(xin)心(xin)，從(cong)效(xiao)用(yong)相(xiang)對(dui)較(jiao)低(di)的(de)技(ji)術(shu)轉(zhuan)換(huan)至(zhi)我(wo)們(men)的(de)IPD2工藝。”