高端音頻電阻器應用選擇
發布時間:2011-04-06 來源:21IC
中心議題:
在zai高gao端duan音yin頻pin設she備bei中zhong,慎shen重zhong地di選xuan擇ze電dian阻zu器qi是shi避bi免mian或huo將jiang信xin號hao路lu徑jing中zhong的de噪zao聲sheng和he失shi真zhen降jiang至zhi最zui低di的de最zui佳jia方fang法fa之zhi一yi。本ben文wen描miao述shu了le使shi用yong各ge種zhong現xian有you電dian阻zu器qi技ji術shu製zhi造zao的de電dian阻zu器qi中zhong噪zao聲sheng的de生sheng成cheng情qing況kuang,並bing且qie對dui每mei種zhong類lei型xing的de典dian型xing噪zao聲sheng插cha入ru進jin行xing了le量liang化hua。
噪聲是一種可能疊加在任何有用信號(含直流)上的無用寬頻譜信號。像其他無源器件一樣,電阻器會產生不同程度的噪聲,噪聲大小取決於電阻值、溫度、施加的電壓以及電阻器類型。
有很多實驗闡明某些電阻器比其他電阻器“噪聲大”的原因。然而,音頻專家和發燒友均認同的唯一檢測方法就是:比較在實際音頻係統中使用不同電阻器技術時形成的保真度。
電阻器中的噪聲
電阻器總噪聲由多個成分組成。與各種音頻應用密切相關的是熱噪聲和電流噪聲。
熱re噪zao聲sheng的de顯xian著zhe特te點dian是shi與yu電dian阻zu材cai料liao無wu關guan。事shi實shi上shang,如ru果guo電dian阻zu和he溫wen度du相xiang同tong,任ren何he類lei型xing的de電dian阻zu器qi的de熱re噪zao聲sheng等deng級ji均jun相xiang同tong。熱re噪zao聲sheng的de電dian壓ya功gong率lv譜pu密mi度du(PSD)ST[V2/Hz]在整個頻率範圍內均勻分布。其可以用下列表達式表示:

其中
R–電阻器的電阻[W],T–電阻器溫度[K],k=1.3807´10-23J/K–玻爾茲曼(Boltzmann)常數。
另一方麵,電流噪聲與電阻材料的類型具有直接關係。通過實驗發現,電流噪聲的電壓譜密度SE與電阻器上的直流電壓降U的平方成正比,與頻率f成反比:

C是取決於電阻元件材料及其製造工藝的常數。
圖1顯示了電阻器中總噪聲電壓的譜密度S。

圖1.電阻器中總噪聲電壓的譜密度
電阻器中電流噪聲等級通常用單位μV/V或者分貝(按照噪聲指數[NI]dB)表示

其中,u是十進位帶寬上的均方根噪聲電壓,而U是電阻器上的直流電壓降。u和U的測量單位均是伏特。
噪聲指數越低,電阻器中的電流噪聲等級也越低。
下麵圖表顯示了使用不同技術製造的電阻器的噪聲指數。

圖2.商用電阻器的平均噪聲指數
如圖表所示,基於複合電阻材料(如碳和厚膜)dedianzuqidedianliuzaoshengdengjizuigao。weishenmene?zheshiyouyuzhexiedianzuyuanjiancailiaodexianzhefeijunzhixingzaochengde。zhexiefuhecailiaozhongdedaodianlujingshiyougelijuzhenzhongxianghujiechudedaodianlizixingchengde。dangdianliuliujingzhexie“接觸位置”中的不穩定接觸點時,它們便產生噪聲。
薄膜電阻具有相當強的均質結構,因此噪聲較低。薄膜是通過在陶瓷基板上蒸發或者噴濺電阻材料(例如:氮化鉭(TaN)、矽鉻(SiCr)和鎳鉻(NiCr))沉積形成的。根據電阻值的不同,該層的厚度範圍一般為10到500埃。薄膜中的噪聲是由夾雜、表麵缺陷和不均勻的沉積(當膜較薄時,更加顯著)造成的。這就是電阻膜越厚,電阻值越低,從而噪聲等級越低的原因所在。
[page]
在具有大金屬電阻元件的電阻器中,可以觀測到最低的噪聲等級:bodianzuheraoxiandianzu。suiranxianshiyouyubocailiaoleisidejinshuhejinzhicheng,danshidianzuyuanjianxixianhebijiaocudedianzuqijiexianduanzijiehedianchukenengchanshengewaidezaosheng。zaibodianzuqizhong,jiexianduanzihedianzuyuanjianjunweitongyikuaibodemouxiebufen,yincibimianlezhegewenti。raner,raoxiandianzuqidezhuyaoquexianshiqidiangan。diangankedaozhiduixinhaofengzhijinxingzhanboyijiyanzhongyilaixinhaopinlvshangdedianzuqizukang。ciwai,bixuduixialieyuraoxiandianzuqidediankangxiangguandeyingxianggewaiguanzhu:
音頻放大器可能在5MHz至50MHz以上自振蕩,影響音頻質量。
等效串聯電感(ESL)會引起大相移,影響音頻音調。
線圈可能起到拾取電磁幹擾(EMI)的作用,超過通常電流噪聲等級。
箔(bo)電(dian)阻(zu)器(qi)避(bi)免(mian)了(le)這(zhe)些(xie)問(wen)題(ti),因(yin)為(wei)它(ta)們(men)是(shi)通(tong)過(guo)化(hua)學(xue)蝕(shi)刻(ke)扁(bian)平(ping)的(de)大(da)金(jin)屬(shu)箔(bo)構(gou)成(cheng)的(de),因(yin)此(ci),在(zai)相(xiang)鄰(lin)載(zai)流(liu)路(lu)徑(jing)中(zhong)的(de)電(dian)流(liu)流(liu)動(dong)方(fang)向(xiang)相(xiang)反(fan),消(xiao)除(chu)了(le)這(zhe)些(xie)路(lu)徑(jing)中(zhong)的(de)寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)。而(er)且(qie),路(lu)徑(jing)到(dao)路(lu)徑(jing)的(de)電(dian)容(rong)為(wei)串(chuan)聯(lian),具(ju)有(you)將(jiang)電(dian)阻(zu)器(qi)的(de)寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)降(jiang)至(zhi)最(zui)小(xiao)的(de)效(xiao)果(guo)。這(zhe)些(xie)低(di)電(dian)感(gan)/電容電阻器的特點是不可測量的峰值到峰值的信號失真。
在高端音頻應用中的箔電阻器
高端模擬音頻應用要求固有噪聲低、放大線性度高和動態失真極小。典型的音頻放大器由電壓前置放大器(預放大)和功率放大器(最終驅動)組成。電壓前置放大器處理低電平信號。這就是固有噪聲等級至關重要的原因。電阻器是放大器中主要噪聲源之一。
對音頻功率放大器的主要要求是放大線性度高、動態失真極小。箔電阻器的特點是電阻元件(由大金屬製成)的固有非線性度非常低。繞線電阻器和一些金屬膜電阻器具有類似的非線性度特點,但是,在現實世界中,電阻器的固有線性度不足以確保放大線性度。
音頻功率放大器通常基於與運算放大器類似的電路設計(圖3)。它的增益

取決於負反饋分壓器中的R2/R1電阻比率。電阻器R1和R2分別消耗功率

和

所以

通常k>2,故R2>R1。這表明,在電阻器R2中的功耗和溫升總會超過在電阻器R1中的功耗和溫升。即使兩個電阻器均具有相同的TCR(理想情況),該放大器的增益也將變化,這是因為R2/R1比率將取決於輸出電壓VO。因而,聲音信號的典型尖峰和脈衝可能造成放大器增益的瞬態變化。其結果是輸入電壓VI和輸出電壓VO之間的非線性依賴(圖4)。這個現象稱作溫度引起的放大器的非線性。其原因是電阻器的自熱,其定量的特點是電阻功率係數(PCR)。減小電阻功率係數(PCR)的方法是選擇具有最小絕對TCR值的R1和R2電阻器。

圖3

圖4
例如:將一個0.3W的負載同時施加到采用不同技術製造的三個1206尺寸的片式電阻器:
TCR約為+42ppm/°C的厚膜片式電阻器
TCR約為+4ppm/°C的薄膜片式電阻器
TCR約為-0.1ppm/°C的、基於Z箔技術的大金屬箔。
結果如下麵的圖表中所示。相關電阻變化的穩定值如下所述:
厚膜片式電阻器:+2000ppm;
薄膜片式電阻器:-140ppm;
大金屬Z箔:+5ppm。

圖5.在0.3-W功率負載條件下測量逾9秒鍾,自熱電阻(電阻功率係數)對三種類型電阻器的影響
在放大線性度高和動態失真極小的要求下,對於音頻放大器而言,大金屬箔電阻器是較好的選擇。威世精密集團特別推薦VAR、Z201、S102C、Z203、VSHZ、VSMP係列(0603-2018),VFCP係列和SMRXDZ係列電阻器,實現音頻應用中的無噪聲性能。
- 電阻器中的噪聲成分組成
- 高端音頻應用中的箔電阻器特性
- 電流噪聲的電壓譜密度SE與電阻器上的直流電壓降U的平方成正比,與頻率f成反比
- 線圈可能起到拾取電磁幹擾(EMI)的作用,超過通常電流噪聲等級
- 等效串聯電感(ESL)會引起大相移,影響音頻音調
在zai高gao端duan音yin頻pin設she備bei中zhong,慎shen重zhong地di選xuan擇ze電dian阻zu器qi是shi避bi免mian或huo將jiang信xin號hao路lu徑jing中zhong的de噪zao聲sheng和he失shi真zhen降jiang至zhi最zui低di的de最zui佳jia方fang法fa之zhi一yi。本ben文wen描miao述shu了le使shi用yong各ge種zhong現xian有you電dian阻zu器qi技ji術shu製zhi造zao的de電dian阻zu器qi中zhong噪zao聲sheng的de生sheng成cheng情qing況kuang,並bing且qie對dui每mei種zhong類lei型xing的de典dian型xing噪zao聲sheng插cha入ru進jin行xing了le量liang化hua。
噪聲是一種可能疊加在任何有用信號(含直流)上的無用寬頻譜信號。像其他無源器件一樣,電阻器會產生不同程度的噪聲,噪聲大小取決於電阻值、溫度、施加的電壓以及電阻器類型。
有很多實驗闡明某些電阻器比其他電阻器“噪聲大”的原因。然而,音頻專家和發燒友均認同的唯一檢測方法就是:比較在實際音頻係統中使用不同電阻器技術時形成的保真度。
電阻器中的噪聲
電阻器總噪聲由多個成分組成。與各種音頻應用密切相關的是熱噪聲和電流噪聲。
熱re噪zao聲sheng的de顯xian著zhe特te點dian是shi與yu電dian阻zu材cai料liao無wu關guan。事shi實shi上shang,如ru果guo電dian阻zu和he溫wen度du相xiang同tong,任ren何he類lei型xing的de電dian阻zu器qi的de熱re噪zao聲sheng等deng級ji均jun相xiang同tong。熱re噪zao聲sheng的de電dian壓ya功gong率lv譜pu密mi度du(PSD)ST[V2/Hz]在整個頻率範圍內均勻分布。其可以用下列表達式表示:

其中
R–電阻器的電阻[W],T–電阻器溫度[K],k=1.3807´10-23J/K–玻爾茲曼(Boltzmann)常數。
另一方麵,電流噪聲與電阻材料的類型具有直接關係。通過實驗發現,電流噪聲的電壓譜密度SE與電阻器上的直流電壓降U的平方成正比,與頻率f成反比:

C是取決於電阻元件材料及其製造工藝的常數。
圖1顯示了電阻器中總噪聲電壓的譜密度S。

圖1.電阻器中總噪聲電壓的譜密度
電阻器中電流噪聲等級通常用單位μV/V或者分貝(按照噪聲指數[NI]dB)表示

其中,u是十進位帶寬上的均方根噪聲電壓,而U是電阻器上的直流電壓降。u和U的測量單位均是伏特。
噪聲指數越低,電阻器中的電流噪聲等級也越低。
下麵圖表顯示了使用不同技術製造的電阻器的噪聲指數。

圖2.商用電阻器的平均噪聲指數
如圖表所示,基於複合電阻材料(如碳和厚膜)dedianzuqidedianliuzaoshengdengjizuigao。weishenmene?zheshiyouyuzhexiedianzuyuanjiancailiaodexianzhefeijunzhixingzaochengde。zhexiefuhecailiaozhongdedaodianlujingshiyougelijuzhenzhongxianghujiechudedaodianlizixingchengde。dangdianliuliujingzhexie“接觸位置”中的不穩定接觸點時,它們便產生噪聲。
薄膜電阻具有相當強的均質結構,因此噪聲較低。薄膜是通過在陶瓷基板上蒸發或者噴濺電阻材料(例如:氮化鉭(TaN)、矽鉻(SiCr)和鎳鉻(NiCr))沉積形成的。根據電阻值的不同,該層的厚度範圍一般為10到500埃。薄膜中的噪聲是由夾雜、表麵缺陷和不均勻的沉積(當膜較薄時,更加顯著)造成的。這就是電阻膜越厚,電阻值越低,從而噪聲等級越低的原因所在。
[page]
在具有大金屬電阻元件的電阻器中,可以觀測到最低的噪聲等級:bodianzuheraoxiandianzu。suiranxianshiyouyubocailiaoleisidejinshuhejinzhicheng,danshidianzuyuanjianxixianhebijiaocudedianzuqijiexianduanzijiehedianchukenengchanshengewaidezaosheng。zaibodianzuqizhong,jiexianduanzihedianzuyuanjianjunweitongyikuaibodemouxiebufen,yincibimianlezhegewenti。raner,raoxiandianzuqidezhuyaoquexianshiqidiangan。diangankedaozhiduixinhaofengzhijinxingzhanboyijiyanzhongyilaixinhaopinlvshangdedianzuqizukang。ciwai,bixuduixialieyuraoxiandianzuqidediankangxiangguandeyingxianggewaiguanzhu:
音頻放大器可能在5MHz至50MHz以上自振蕩,影響音頻質量。
等效串聯電感(ESL)會引起大相移,影響音頻音調。
線圈可能起到拾取電磁幹擾(EMI)的作用,超過通常電流噪聲等級。
箔(bo)電(dian)阻(zu)器(qi)避(bi)免(mian)了(le)這(zhe)些(xie)問(wen)題(ti),因(yin)為(wei)它(ta)們(men)是(shi)通(tong)過(guo)化(hua)學(xue)蝕(shi)刻(ke)扁(bian)平(ping)的(de)大(da)金(jin)屬(shu)箔(bo)構(gou)成(cheng)的(de),因(yin)此(ci),在(zai)相(xiang)鄰(lin)載(zai)流(liu)路(lu)徑(jing)中(zhong)的(de)電(dian)流(liu)流(liu)動(dong)方(fang)向(xiang)相(xiang)反(fan),消(xiao)除(chu)了(le)這(zhe)些(xie)路(lu)徑(jing)中(zhong)的(de)寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)。而(er)且(qie),路(lu)徑(jing)到(dao)路(lu)徑(jing)的(de)電(dian)容(rong)為(wei)串(chuan)聯(lian),具(ju)有(you)將(jiang)電(dian)阻(zu)器(qi)的(de)寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)降(jiang)至(zhi)最(zui)小(xiao)的(de)效(xiao)果(guo)。這(zhe)些(xie)低(di)電(dian)感(gan)/電容電阻器的特點是不可測量的峰值到峰值的信號失真。
在高端音頻應用中的箔電阻器
高端模擬音頻應用要求固有噪聲低、放大線性度高和動態失真極小。典型的音頻放大器由電壓前置放大器(預放大)和功率放大器(最終驅動)組成。電壓前置放大器處理低電平信號。這就是固有噪聲等級至關重要的原因。電阻器是放大器中主要噪聲源之一。
對音頻功率放大器的主要要求是放大線性度高、動態失真極小。箔電阻器的特點是電阻元件(由大金屬製成)的固有非線性度非常低。繞線電阻器和一些金屬膜電阻器具有類似的非線性度特點,但是,在現實世界中,電阻器的固有線性度不足以確保放大線性度。
音頻功率放大器通常基於與運算放大器類似的電路設計(圖3)。它的增益
取決於負反饋分壓器中的R2/R1電阻比率。電阻器R1和R2分別消耗功率

和

所以

通常k>2,故R2>R1。這表明,在電阻器R2中的功耗和溫升總會超過在電阻器R1中的功耗和溫升。即使兩個電阻器均具有相同的TCR(理想情況),該放大器的增益也將變化,這是因為R2/R1比率將取決於輸出電壓VO。因而,聲音信號的典型尖峰和脈衝可能造成放大器增益的瞬態變化。其結果是輸入電壓VI和輸出電壓VO之間的非線性依賴(圖4)。這個現象稱作溫度引起的放大器的非線性。其原因是電阻器的自熱,其定量的特點是電阻功率係數(PCR)。減小電阻功率係數(PCR)的方法是選擇具有最小絕對TCR值的R1和R2電阻器。

圖3

圖4
例如:將一個0.3W的負載同時施加到采用不同技術製造的三個1206尺寸的片式電阻器:
TCR約為+42ppm/°C的厚膜片式電阻器
TCR約為+4ppm/°C的薄膜片式電阻器
TCR約為-0.1ppm/°C的、基於Z箔技術的大金屬箔。
結果如下麵的圖表中所示。相關電阻變化的穩定值如下所述:
厚膜片式電阻器:+2000ppm;
薄膜片式電阻器:-140ppm;
大金屬Z箔:+5ppm。

圖5.在0.3-W功率負載條件下測量逾9秒鍾,自熱電阻(電阻功率係數)對三種類型電阻器的影響
在放大線性度高和動態失真極小的要求下,對於音頻放大器而言,大金屬箔電阻器是較好的選擇。威世精密集團特別推薦VAR、Z201、S102C、Z203、VSHZ、VSMP係列(0603-2018),VFCP係列和SMRXDZ係列電阻器,實現音頻應用中的無噪聲性能。
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