將參數存儲到固定的地址

，則每個參數都將占用Flash的一個塊。而將全部參數捆綁一起存入Flash塊中，那麼隻有一個參數修改時，也需要將全部參數一起存一遍。那麼有什麼更好的方法嗎？

 

前段時間學習Msos，看到其中使用的參數存儲的方法設計的很好，它將參數的變量地址與值，一同存儲入Flash中。出彩之處是使用參數的變量地址來標記不同的變量。

 

這種存儲方式使用兩個數據結構：

typedef struct

{

uint Address; //參數變量的地址

uint Data; //參數變量的值

}CellStruct;

 

要存儲某個變量，需要將這個變量的地址和它的值一同存儲到存儲區。這種存儲方式的核心就是這個數據結構。這樣就可以使用*((uint *)(Address)) = Data 直接將存儲值賦值給對應的變量。簡單的說就是根據地址值來標記各個不同的參數。

 

 

typedef struct {

 

 

 

這種存儲方式的使用兩個函數：

讀取存儲區中的變量值並更新變量的值

變量的存儲函數

 

 

 

流程圖如上
，主要步驟如下：

 

根據Flash中存寫的變量地址，更新變量的值；

 

將Flash中存寫的地址值存入臨時數組中，並根據地址值判斷是否存在重複存儲的無效數據，並將無效數組失效；

 

清空Flash存儲區，將臨時數組中有效的變量重新存入Flash中。

 

通過這些步驟，將存儲區中存儲的變量讀出，並將存儲區中的重複的無效數據清除。下麵是源代碼：

 

 

 

參數的寫入就很簡單了
，根據數據結構中的寫入點，將變量的地址與值寫入Flash中。

 

 

2.3 使用方法
 

使用方法：

每次上電啟動時，調用讀取全部變量的函數；

 

修改某個參數的時候
，調用寫參數函數；

 

 

在讀取參數時，需要在RAM中建立一個ParameterSpace大小的數組，如果這個值太大
，會超過棧的大小
，使得內存溢出。因此存儲區不能開辟的太大。

 

 

 

這zhe種zhong方fang式shi使shi用yong簡jian便bian，尤you其qi是shi在zai更geng新xin變bian量liang值zhi時shi，根gen據ju存cun儲chu的de變bian量liang地di址zhi更geng新xin相xiang應ying的de值zhi。其qi實shi其qi本ben質zhi與yu我wo們men使shi用yong變bian量liang名ming來lai標biao記ji不bu同tong的de變bian量liang是shi一yi樣yang的de。不bu過guo也ye有you缺que點dian：

 

首先其同時存儲變量的地址與變量的值
，相當於多使用一倍的存儲空間；

 

像上麵的注意事項中說的，存儲區不能開辟的過大，否則會使臨時數組超過棧的大小。