為什麼共模電流是EMI的主要原因
發布時間:2022-12-13 責任編輯:lina
【導讀】要回答這個問題,如果從共模輻射和差模輻射的發射模型公式可以明顯看出,共模輻射能量強的多,但是,這還不足以讓我們對“為什麼共模電流是EMI的主要原因”zhegewentiyougengshenkederenshi,yinweizhezhishicongzuizhongnenglianglaikan。jianjiedemoxingbingbunengtixianshijiqingkuangzhongdechagongmodianliudeshijifusheqingkuang,womenmeiyoukandaogongmodianliushizenmelaideyijigongmodianliuweishenmegengrongyifushechuqu,suoyiyangelaishuobingmeiyouhuidashangshuwenti。
為什麼共模電流是EMI的主要原因?
要回答這個問題,如果從共模輻射和差模輻射的發射模型公式可以明顯看出,共模輻射能量強的多,但是,這還不足以讓我們對“為什麼共模電流是EMI的主要原因”zhegewentiyougengshenkederenshi,yinweizhezhishicongzuizhongnenglianglaikan。jianjiedemoxingbingbunengtixianshijiqingkuangzhongdechagongmodianliudeshijifusheqingkuang,womenmeiyoukandaogongmodianliushizenmelaideyijigongmodianliuweishenmegengrongyifushechuqu,suoyiyangelaishuobingmeiyouhuidashangshuwenti。

以下內容是基於小編對共模電流有一個重新認識,即“共模電流是電路中除了我們所希望的路徑流動的電流之外的其他任何電流(難以控製的電流)”。
首(shou)先(xian),什(shen)麼(me)是(shi)差(cha)模(mo)電(dian)流(liu),相(xiang)對(dui)地(di)說(shuo),自(zi)然(ran)是(shi)我(wo)們(men)可(ke)以(yi)控(kong)製(zhi)的(de)電(dian)流(liu),更(geng)準(zhun)確(que)地(di)說(shuo),是(shi)我(wo)們(men)可(ke)以(yi)控(kong)製(zhi)其(qi)返(fan)回(hui)路(lu)徑(jing)的(de)電(dian)流(liu)。比(bi)如(ru),典(dian)型(xing)的(de)時(shi)鍾(zhong)信(xin)號(hao),我(wo)們(men)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)設(she)置(zhi)完(wan)整(zheng)的(de)參(can)考(kao)地(di),來(lai)控(kong)製(zhi)信(xin)號(hao)電(dian)流(liu)的(de)路(lu)徑(jing),也(ye)就(jiu)控(kong)製(zhi)了(le)整(zheng)個(ge)回(hui)流(liu)麵(mian)積(ji)。而(er)在(zai)這(zhe)個(ge)可(ke)控(kong)的(de)回(hui)流(liu)麵(mian)積(ji)的(de)電(dian)流(liu)就(jiu)是(shi)差(cha)模(mo)電(dian)流(liu)。根(gen)據(ju)差(cha)模(mo)輻(fu)射(she)模(mo)型(xing),以(yi)及(ji)實(shi)際(ji)測(ce)試(shi)驗(yan)證(zheng),回(hui)流(liu)麵(mian)積(ji)是(shi)輻(fu)射(she)麵(mian)積(ji)的(de)是(shi)輻(fu)射(she)強(qiang)度(du)的(de)最(zui)關(guan)鍵(jian)因(yin)素(su),隻(zhi)要(yao)減(jian)小(xiao)回(hui)路(lu)麵(mian)積(ji)就(jiu)不(bu)容(rong)易(yi)輻(fu)射(she)出(chu)去(qu)。這(zhe)就(jiu)是(shi)為(wei)什(shen)麼(me)在(zai)整(zheng)個(ge)EMI測試中,差模電流不是主要部分的原因了。接下來回答共模電流是怎麼來的,以及為什麼更容易輻射出去(隻說明某種情況,不包含其他情況),小編是從差模電流轉化共模電流的角度,也可以說大部分共模電流都是差模電流轉化的。當差模電流在PCB中流動時,由於寄生參數(不可避免)的存在或者PCB參考層不完整等因素,一定會發生串擾耦合的“分流”情況。假如原信號電流為10mA,實際在我們期望回流路徑中的電流可能隻有9mA,那麼另外的1mA電流是沿著某個其他路徑留回驅動端。這個路徑必然使得這部分的回流麵積變大。回流麵積是EMI的最主要因素,所以共模電流自然更容易引起輻射,即使這個電流很小。

上圖為由於PCB參考地不完整造成的不可預期回流路徑增大環路麵積
小編對共模電流新的認識,非常有利於小編在解決實際中的EMI問(wen)題(ti)公(gong)共(gong)有(you)效(xiao)思(si)路(lu)。更(geng)能(neng)理(li)解(jie)為(wei)什(shen)麼(me)要(yao)減(jian)小(xiao)串(chuan)擾(rao),為(wei)什(shen)麼(me)要(yao)設(she)置(zhi)參(can)考(kao)層(ceng),為(wei)什(shen)麼(me)要(yao)包(bao)地(di),為(wei)什(shen)麼(me)要(yao)減(jian)小(xiao)回(hui)路(lu)阻(zu)抗(kang)等(deng)老(lao)生(sheng)常(chang)談(tan)的(de)問(wen)題(ti)。所(suo)以(yi)努(nu)力(li)消(xiao)除(chu)正(zheng)常(chang)信(xin)號(hao)流(liu)動(dong)路(lu)徑(jing)之(zhi)外(wai)的(de)任(ren)何(he)路(lu)徑(jing),是(shi)抑(yi)製(zhi)EMI的重要思路。
(來源: 中電網,作者:李義君)
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