晶圓級封裝Bump製造工藝關鍵點解析
發布時間:2023-01-13 來源:作者:賀利氏技術方案工程師孫家遠 責任編輯:lina
【導讀】射頻前端(RFFE,Radio Frequency Front-End)模組國內外手機終端中廣泛應用。它將功率放大器(PA,Power Amplifier)、開關(Switch)、低噪聲放大器LNA(Low Noise Amplifier)、濾波器(Filter)、wuyuanqijiandengjichengweiyigemozu,congertigaoxingneng,bingjianxiaofengzhuangtiji。raner,shouxianyuguowaizhuanliyijishejishuipingdengyinsu,guochanlvboqidefenexiangdangdi。
射頻前端(RFFE,Radio Frequency Front-End)模組國內外手機終端中廣泛應用。它將功率放大器(PA,Power Amplifier)、開關(Switch)、低噪聲放大器LNA(Low Noise Amplifier)、濾波器(Filter)、wuyuanqijiandengjichengweiyigemozu,congertigaoxingneng,bingjianxiaofengzhuangtiji。raner,shouxianyuguowaizhuanliyijishejishuipingdengyinsu,guochanlvboqidefenexiangdangdi。在模塊集成化的趨勢下,國內射頻巨頭在布局和生產濾波器。聲學濾波器可分為聲表麵濾波器和體聲波濾波器,其中聲表麵濾波器可根據適用的頻率細分為SAW、TC-SAW和IHP-SAW。體聲波濾波器適用於較高的頻段,可細分為BAW、FBAR、XBAR等。無論是SAW(Surface Acoustic Wave filter)還是BAW(Bulk Acoustic Wave Filter),均是在晶圓級封測後以倒裝芯片的工藝貼裝在模組上。在晶圓級封裝工藝中,Bump製造是相當重要的一道工序,因此本文將淺談濾波器晶圓級封裝(Wafer Level package)中Bump製造的關鍵點。
當前業內常見的幾種SAW filter Wafer Bumping工藝如下:
1.通過打線工藝在晶圓的UBM(Under Bump Metal)上植金球。
2.通過鋼網印刷工藝在UBM上印刷錫膏,再經過回流焊成球。
3.先在晶圓的UBM上印刷助焊劑,將錫球放到UBM上,再經過回流焊完成植球。
本文重點介紹第二種工藝。通過對印刷錫膏方案的剖析發現,在Bumping工藝中Bump的高度和共麵度(同一顆芯片上Bump高度最大值最小值之差,差值越低越好)是最重要的關鍵指標(如圖1.1、圖1.2)。下麵從鋼網的工藝和設計、錫膏的特性等方麵進行分析。

圖1.1 球高

圖1.2 共麵度
鋼網印刷
鋼gang網wang印yin刷shua的de目mu的de是shi使shi錫xi膏gao材cai料liao通tong過guo特te定ding的de圖tu案an孔kong沉chen積ji到dao正zheng確que的de位wei置zhi上shang。首shou先xian,將jiang錫xi膏gao放fang到dao鋼gang網wang上shang,再zai用yong刮gua刀dao使shi其qi通tong過guo鋼gang網wang開kai孔kong沉chen積ji到dao焊han盤pan上shang。鋼gang網wang與yu晶jing圓yuan之zhi間jian的de距ju離li(印刷間隙)、印刷角度、壓力、速(su)度(du)和(he)膏(gao)體(ti)的(de)流(liu)變(bian)特(te)性(xing)是(shi)確(que)保(bao)錫(xi)膏(gao)印(yin)刷(shua)的(de)關(guan)鍵(jian)參(can)數(shu)。一(yi)旦(dan)鋼(gang)網(wang)開(kai)孔(kong)被(bei)膏(gao)體(ti)填(tian)滿(man),脫(tuo)模(mo)後(hou)膏(gao)體(ti)留(liu)在(zai)每(mei)個(ge)焊(han)盤(pan)上(shang),沉(chen)積(ji)在(zai)焊(han)盤(pan)上(shang)的(de)體(ti)積(ji)取(qu)決(jue)於(yu)鋼(gang)網(wang)的(de)孔(kong)距(ju)和(he)孔(kong)壁(bi)的(de)質(zhi)量(liang)、焊盤的表麵特性和膏體的流變性能。
鋼網的加工工藝與開孔設計
鋼網孔壁質量、尺寸一致性、定位精度和鋼網生產成本是鋼網生產工藝的選擇標準。考慮到帶有Bump的濾波器是以倒裝芯片的工藝應用在前端射頻模組裏,其特點是Bump的尺寸小(bump高度在50~100μm之間)、間距小、對Bump高度的一致性要求高(共麵度在10μm以內)。為了滿足以上要求,業內最常選用的是納米塗層鋼網和電鑄鋼網。
納米塗層鋼網的工藝是:在(zai)激(ji)光(guang)切(qie)割(ge)的(de)基(ji)礎(chu)上(shang)對(dui)鋼(gang)網(wang)進(jin)行(xing)清(qing)洗(xi),然(ran)後(hou)在(zai)鋼(gang)網(wang)內(nei)壁(bi)進(jin)行(xing)打(da)磨(mo)拋(pao)光(guang)以(yi)降(jiang)低(di)粗(cu)糙(cao)度(du),最(zui)後(hou)塗(tu)覆(fu)納(na)米(mi)塗(tu)層(ceng)。納(na)米(mi)塗(tu)層(ceng)使(shi)接(jie)觸(chu)角(jiao)顯(xian)著(zhu)增(zeng)加(jia),從(cong)而(er)降(jiang)低(di)鋼(gang)網(wang)材(cai)料(liao)的(de)表(biao)麵(mian)能(neng),有(you)利(li)於(yu)錫(xi)膏(gao)脫(tuo)模(mo)。

圖2.1 無納米塗層 圖2.2 納米塗層
Source: Laser Job
電鑄鋼網的製作方法是:xianzaidaodianjibanshangyongguangkejishuzhibeimoban,ranhouzaizujiaomozhouweijinxingzhiliudianzhu,zuihoucongguangkejiaokongshangboli。dianzhugangwangdezhiliangheyinshuaxingnengqujueyuguangkejiaodelingmindu、所用光刻工具的類型、導電基材的光學性能和電鑄工藝。電鑄鋼網的開孔內壁非常光滑(如圖3所示),其印刷脫模的表現也最好最穩定。

圖3 電鑄鋼網孔壁
Source: Bon Mark
小結,納米塗層鋼網的印刷表現略遜於電鑄鋼網,其塗層在批量生產一段時間後可能會脫落,但是納米塗層鋼網的價格遠低於電鑄鋼網;電dian鑄zhu鋼gang網wang的de側ce壁bi非fei常chang光guang滑hua,其qi印yin刷shua表biao現xian最zui好hao,是shi超chao細xi間jian距ju應ying用yong的de最zui佳jia選xuan擇ze,但dan電dian鑄zhu鋼gang網wang的de價jia格ge相xiang當dang昂ang貴gui。鋼gang網wang的de選xuan擇ze取qu決jue於yu客ke戶hu對dui產chan品pin特te性xing和he成cheng本ben的de綜zong合he考kao量liang。
開孔麵積比
由於CTE不匹配會影響封裝的可靠性,符合高度要求的Bump在(zai)這(zhe)方(fang)麵(mian)會(hui)起(qi)到(dao)積(ji)極(ji)的(de)作(zuo)用(yong)。這(zhe)就(jiu)要(yao)求(qiu)鋼(gang)網(wang)印(yin)刷(shua)過(guo)程(cheng)可(ke)靠(kao)地(di)沉(chen)積(ji)穩(wen)定(ding)的(de)錫(xi)膏(gao)量(liang),以(yi)產(chan)生(sheng)堅(jian)固(gu)的(de)互(hu)連(lian)。錫(xi)膏(gao)從(cong)鋼(gang)網(wang)孔(kong)的(de)釋(shi)放(fang)是(shi)由(you)錫(xi)膏(gao)在(zai)鋼(gang)網(wang)孔(kong)側(ce)壁(bi)和(he)晶(jing)圓(yuan)焊(han)盤(pan)之(zhi)間(jian)的(de)相(xiang)互(hu)作(zuo)用(yong)決(jue)定(ding)的(de)。據(ju)文(wen)獻(xian)記(ji)載(zai),為(wei)了(le)從(cong)鋼(gang)網(wang)印(yin)刷(shua)中(zhong)獲(huo)得(de)良(liang)好(hao)的(de)膏(gao)體(ti)釋(shi)放(fang)效(xiao)率(lv),模(mo)板(ban)開(kai)孔(kong)麵(mian)積(ji)比(bi) [開孔麵積比=開口麵積/孔壁麵積] 應大於0.66。該gai比bi率lv限xian製zhi了le給gei定ding孔kong徑jing大da小xiao的de模mo板ban厚hou度du,並bing要yao求qiu使shi用yong更geng薄bo的de模mo板ban來lai印yin刷shua更geng細xi的de間jian距ju。隨sui著zhe鋼gang網wang製zhi作zuo工gong藝yi的de提ti升sheng,鋼gang網wang開kai孔kong的de麵mian積ji比bi可ke以yi適shi當dang降jiang低di,如ru下xia圖tu4所示。

圖4 鋼網開孔規則
錫膏
錫膏是由焊粉和助焊劑均勻混合而成的膏體,其中錫球的形狀、顆粒大小、尺寸分布、yanghuachengduyijizhuhanjizaitideliubianxingnenghepeifangtixi,douduixigaodeyinshuahehuiliuxingnengqizhezhongyaozuoyong。xijianjuyinshuayongdehanfenyizhishihelishidianzideyoushi,yinweiWelco® technology(一種在油介質中分散熔融合金的製造技術)liyongliangzhongbutongjiezhidebiaomianzhanglicunzaichayideyuanli,yonggongyipeifangkongzhifenmochicunfanwei,bingqilechuantongdewangshaigongxu,bimianlefenmokeliyinwangshaierdaozhidexingbian(表麵積變大)。再者,粉末在油介質中得到充分保護,減少了粉末表麵的氧化。Welco®焊粉搭配賀利氏獨特的助焊劑配方體係,使印刷錫膏的轉化率能夠得到保證。

圖5 Welco 焊粉 SEM 圖片
當前市場上SAW/BAW濾波器的應用中常見的Bump高度為50-100μm,結合單個芯片的layout,即相鄰bump的最小間距,以及相鄰芯片的bump的最小間距,6號粉和7號粉錫膏是匹配的選擇。粒徑的定義是基於IPC的標準(如圖6),即6號粉有80%的焊粉粒徑分布在5-15μm的區間。

圖6 IPC粒徑規格
選擇合適粒徑的錫膏非常重要,助焊劑體係的選擇也是非常關鍵。因為一些SAW 的IDT 位置是裸露的,焊錫膏或助焊劑的飛濺都有可能影響IDT 的信號和聲波之間的轉換。對此,賀利氏開發的AP5112和AP520係列產品在開發時均在飛濺方麵做了深入的研究,從而盡可能避免飛濺問題。Bump 中空洞的表現也是非常重要的質量指標,尤其是在模組中經過多次回流焊之後。
案例分享
應用:SAW filter
6 inch 鉭酸鋰晶圓(印刷測試以銅板代替鉭酸鋰晶圓)
Bump 高度=72±8μm;共麵度<10μm
鋼網開孔尺寸:130*140*50μm
錫膏:AP5112 SAC305 T6

圖7 印刷後
印刷穩定性是影響bump高度一致性的關鍵因素。印刷窗口的定義通常受印刷設備的能力、鋼網的加工工藝、產品設計等因素的影響,通常通過實驗驗證獲得。如圖7所示,6號粉錫膏的連續印刷表現優異,沒有發現連錫和大小點的問題。Bump的高度數據能夠更好地說明。
在回流焊過程中,已印刷在UBM區域的錫膏逐步熔化,助焊劑流至焊錫四周,而焊料熔化後回流到UBM上並在界麵之間形成金屬間化合物(Intermetallic layer),冷卻後形成一定高度的Bump。Bump的平均高度非常靠近目標值,且標準差相對較小,如圖8、圖9所示。

圖8 Bump高度數據

圖9 Bump高度標準差
Bump 高度的指標非常關鍵,Bump中的空洞也至關重要。在SAW filter上麵的結果顯示,賀利氏的6號粉和7號粉具有良好的表現,如圖10所示。

圖10 Bump void 數據
晶圓級封裝最終會以芯片級應用到係統封裝,即以倒裝芯片的工藝集成到模組裏。在此過程中會經曆多次回流焊工藝,那麼回流焊之後bump內部的空洞會發生怎樣的變化?對此,我們測試了3次回流焊之後bump內部空洞的變化,結果如圖11所示。

圖11 多次回流焊後空洞變化的數據
賀利氏的6號和7號粉錫膏對應的Bump,在經過3次回流焊之後仍然能夠保持在比較好的水平。
總結
本文簡單闡述了晶圓級封裝的關鍵技術點。賀利氏Welco焊粉和獨有的助焊劑配方體係能夠匹配SAW、BAW 等濾波器的晶圓封裝需求。更深層次的技術細節,如Bump高度的設計和球高與錫膏量的關係,敬請期待下一篇文章。不論是晶圓級封裝還是先進封裝賀利氏都能提供成熟的解決方案。
(作者:賀利氏技術方案工程師孫家遠)
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