【導讀】SPHBM4在沿用標準HBM4 DRAM核心層、保障容量擴展能力的基礎上
，通過接口基礎裸片的創新性設計實現了關鍵突破——I/O數據引腳數量銳減至標準HBM4的四分之一。依托有機基板替代矽基板、更高工作頻率及4:1串行化技術的協同作用
，這款新型內存不僅適配更低凸點間距密度的材料特性
，更為提升單一封裝內存堆棧數量、拓展係統總容量開辟了新路徑，將對高性能計算存儲領域產生深遠影響。

12 月 12 日消息，JEDEC 固態技術協會美國加州當地時間 11 日宣布，其已接近完成 SPHBM4 內存規範。這裏的 "SP" 是 "Standard Package"（標準封裝）的首字母簡寫。

JEDEC 接近完成 SPHBM4 規範：I/O 引腳數量僅有標準 HBM4 內存的 1/4

SPHBM4 使用與標準 HBM4 相同的 DRAM 核心層
，兩者在容量擴展上沒有差異。區別在於，SPHBM4 在接口基礎裸片 (Interface Base Die) 部分采用了不同的設計，可安裝在標準有機基板而不是矽基板上。

此外
，標準 HBM4 內存擁有 2048 個 I/O 數據引腳，而在 SPHBM4 上這一數量將降低到 512 個。為實現相當的總數據傳輸速率，SPHBM4 將具有更高的工作頻率並采用 4:1 串行化技術。這也是為了配合有機基板支持的凸點間距密度更低的材料特性。

SPHBM4 使用有機基板布線的一大好處是在 SoC 和 HBM 內存堆棧間允許更長的線徑，這有利於提升單一封裝中集成的堆棧數量，從而進一步提高係統內存總容量。

SPHBM4內存規範的臨近完成，無疑是HBM技術發展曆程中的一次重要革新。它並非對標準HBM4的de顛dian覆fu，而er是shi通tong過guo封feng裝zhuang與yu接jie口kou層ceng麵mian的de優you化hua，在zai保bao持chi核he心xin性xing能neng與yu容rong量liang潛qian力li的de同tong時shi
，有you效xiao降jiang低di了le技ji術shu應ying用yong門men檻kan與yu硬ying件jian適shi配pei難nan度du。有you機ji基ji板ban的de采cai用yong與yu引yin腳jiao數shu量liang的de精jing簡jian
，不bu僅jin解jie決jue了le傳chuan統tong矽gui基ji板ban帶dai來lai的de限xian製zhi，更geng以yi靈ling活huo的de布bu線xian特te性xing為wei內nei存cun容rong量liang的de進jin一yi步bu突tu破po提ti供gong了le可ke能neng。