為AI尋找存儲新方案
發布時間:2026-04-28 來源:轉載 責任編輯:lily
【導讀】生成式AI的升級速度已經到了日新月異的地步,從最初的文生圖、文生視頻,進階到現在智能體AI,已經能夠在一定範圍內具備智能的自主實體,也開始往更高階的物理AI進階。這樣井噴式的增長,也導致存儲方案在AI數據中心、AI工廠中變得愈發重要。進階。這樣井噴式的增長,也導致存儲方案在AI數據中心、AI工廠中變得愈發重要,鎧俠迅速做出反應,在近期推出了一係列創新技術產品,包括高容量SSD,帶寬光互聯SSD,1億IOPS SSD,而這次技術均來自於BiCS FLASH™閃存技術。

SSD愈發關鍵
當下的AI基礎建設基本上是圍繞GPU,以及為GPU提供存儲支持的方案所構建的。其中HBM能夠最大化GPU性能,不過現階段需要麵臨成本極高、發熱量大、功耗高的瓶頸。係統中的DRAM則可以相對HBM提供更大容量的存儲支持,但由於物理原理限製,製程微縮已接近極限,在有限的空間內暫時無法做到更高規格的提升。
相比之下,NAND FLASH開始在AI基礎設施扮演起更重要的角色,特別是鎧俠BiCS FLASH™閃存技術已經為下一代AI存儲基礎設施做好了充足準備,準備了靈活、多樣化且易於擴展的方案。例如,通過SSD與GPU之間直接交換數據,可以很好的解決目前HBM的擴展瓶頸。如果將SSD放置在GPU附近,緩存數據湖中的部分數據,減少GPU通過網絡訪問數據湖的次數,也進而可以提升訪問效率。

針對工作流程中的訓練、推理、RAG和落地AI應用所產生的存儲需求,鎧俠從多個緯度上開發了不同方向的SSD技術。其中,鎧俠LC9係列擁有245.67TB容量,是行業內容量規格領先的高容量SSD,用於存儲生成式AI所需的海量向量數據庫,也代表著未來企業級SSD和數據中心級SSD發展的重要方向之一。
為了滿足GPU所需要的高帶寬、高並發等苛刻要求,鎧俠與NVIDIA合作,結合XL-FLASH存儲級內存和新控製器,發布了全新的鎧俠GP係列,目標實現1億IOPS SSD,這也是SSD迄今為止的巔峰性能。

寬帶光互聯SSD則是鎧俠為應對AI數據中心挑戰而開發的一項突破性技術,通過光纖接口替代傳統電氣布線,將計算單元與存儲單元間40米的物理距離擴展至100米,以實現解耦計算係統,SSD與CPU可物理分離放置,根據工作負載優化資源分配。
技術新展望
接下來同期發布的第九代BiCS FLASH™和第十代BiCS FLASH™閃存使用的是雙軌製並行策略。其中,鎧俠第九代BiCS FLASH™通過CBA技術與成熟的產線結合,構建出供貨穩定、可靠的產品。鎧俠第十代BiCS FLASH™則繼續追求更高的容量、更高的性能表現,通過332層高密度堆疊,實現進一步的位密度提升
第三代XL-FLASH™則是一條特殊的產品線,它屬於Storage Class Memory,即SCM。是一種兼具近似內存的高速讀寫和存儲與NAND相同的數據非易失性特性的存儲器。第三代XL-FLASH™顯著降低了延遲,其延遲可降低至BiCS FLASH™的10%以下,旨在實現超高IOPS表現,以滿足生成式AI對存儲性能的極致要求。在GTC2026和CFMS2026期間,鎧俠宣布的GP係列,目標打造1億IOPS SSD,即是通過XL-FLASH™實現的。

除了BiCS FLASH™和XL-FLASH™,鎧俠也積極推進KIOXIA AiSAQ™軟件升級。KIOXIA AiSAQ™是一套開源軟件,使RAG技術能直接在SSD中搜索數據,無需將索引數據全部加載到DRAM,緩解DRAM容量壓力。這套開源方式不限定在鎧俠的自家產品上,任意型號的存儲產品,都有機會利用這套開源軟件,實現AI性能的加速。
縱觀整個AI行業的硬件發展,DRAM、CPU晶體管數量由於無法繼續遵循摩爾定律等縮放定律實現快速發展,出現了相對停滯的現象。對比之下,NAND FLASH閃存和SSD由於堆疊結構的特殊性,仍然可以對應的縮放定律持續演進。

鎧俠希望通過有效的存儲解決方案,以相對較小的投資實現AI性能提升,也進一步推動SSD在數據中心普及,適配AI時代的發展需求。正如所預計的那般,AI數據中心正在逐步升級成AI工廠,每一個企業從數字化轉型升級,進階到生產Token和消費Token。而每一次AI運算的背後,鎧俠存儲解決方案都將是可靠的支持,通過高容量、高帶寬、高IOPS的靈活多樣存儲方案,鎧俠已經為下一代AI存儲技術建設秒回了全新的藍圖。

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