TVS將變成ESD保護二極管的終極替代
發布時間:2013-03-06 來源:電子元件技術網 責任編輯:hedyxing
【導讀】台灣晶炎認為,隨著今天IC製造工藝下探28納米節點,ESD保護二極管開始遇到三個致命的發展瓶頸:升級換代時間長、反應時間太長和鉗位電壓做不低,未來TVS取代ESD保護二極管將變成主流發展趨勢。
雖然才進入中國大陸市場不久,但脫胎於工研院的台灣晶炎科技有限公司已經認為自己是ESD保護元件的領導廠商,並開始挑戰現有的ESD保護二極管市場供應格局。
晶炎科技設計研發部副總經理薑信欽博士對筆者說:“今天的ESD保護二極管未來都將從市場上消失,因為很難滿足CMOS工藝不斷縮減所帶來的ESD保護挑戰,取而代之的將是TVS二極管。用半導體工藝製造的TVS將是未來ESD保護市場的終極選擇。”

晶炎科技設計研發部副總經理薑信欽
他解釋道,隨著IC的CMOS製造工藝縮減到今天的40nm和28nm,核心IC的工作電壓也已下降到1-1.8V,傳統的ESD保護二極管已經很難在保持很小寄生電容的情況下做出很低的鉗位電壓,而且ESD保護二極管的反應速度也比較慢,很難滿足抗8KV以上ESD衝擊的要求。采用半導體工藝製造的TVS二極管則不同,不僅可在保持很小寄生電容的情況下做出很低的鉗位電壓,而且瞬態過壓反應速度非常快,晶炎TVS現在已可做到納秒級的反應速度。最重要的是,半導體工藝不僅使得我們的TVS可以很快跟上IC升級換代後的ESD保護要求,而且還允許我們以很低的成本推出市場需要的產品。
晶炎的自信來自於它強大的產品開發實力。早在2009年,晶炎就成功地開發出用於超高速USB 3.0和Thunderbolt接口ESD保護的TVS解決方案AZ1065,並在次年又開發出高速HDMI 1.4接口的ESD保護解決方案AZ1045。
隨著芯片大廠英特爾2012年推出Ivy Bridge新平台,芯片組支持USB 3.0,確認USB 3.0成為主流規格,預計在新的操作係統Win 8發酵下,將促成USB 3.0快速地普及化。USB 3.0的數據傳輸速度達到5Gbps,比USB 2.0快上十倍。為實現如此高速的傳輸速度,USB 3.0控製芯片必須使用最先進的半導體製程技術,所使用的組件閘極氧化層很薄且接麵很淺,造成USB 3.0的控製芯片對ESD的耐受能力快速下降。
另一個問題在於使用者最普遍的USB應用就是隨插即用、隨拔即關,然而這個熱插拔(Hot Plug)動作卻也經常是造成電子係統工作異常,甚至造成USB控(kong)製(zhi)芯(xin)片(pian)毀(hui)壞(huai)的(de)元(yuan)凶(xiong)。因(yin)為(wei)在(zai)熱(re)插(cha)拔(ba)中(zhong),由(you)於(yu)接(jie)口(kou)端(duan)的(de)訊(xun)號(hao)線(xian)已(yi)經(jing)帶(dai)電(dian),本(ben)身(shen)就(jiu)像(xiang)是(shi)個(ge)帶(dai)電(dian)的(de)大(da)電(dian)容(rong)會(hui)在(zai)接(jie)觸(chu)係(xi)統(tong)時(shi)作(zuo)放(fang)電(dian)動(dong)作(zuo)。這(zhe)種(zhong)現(xian)象(xiang)等(deng)同(tong)於(yu)靜(jing)電(dian)放(fang)電(dian)效(xiao)應(ying)會(hui)對(dui)係(xi)統(tong)產(chan)生(sheng)嚴(yan)重(zhong)破(po)壞(huai),一(yi)般(ban)稱(cheng)這(zhe)種(zhong)現(xian)象(xiang)為(wei)直(zhi)接(jie)放(fang)電(dian)。目(mu)前(qian)在(zai)係(xi)統(tong)的(de)靜(jing)電(dian)放(fang)電(dian)測(ce)試(shi)上(shang),越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)的(de)廠(chang)商(shang)要(yao)求(qiu)以(yi)Direct-Pin Injection方式測試產品,以此來仿真係統在客戶端使用時遭受到ESD事件的狀況。部份係統廠商甚至規範其產品的USB3.0連接端口以Direct-Pin Injection方式測試必須通過±8kV的ESD轟擊,並且係統必須在不受任何影響之下通過測試。因此,使用額外的ESD保護組件於USB3.0接口來防止ESD事件對數據傳輸的幹擾是絕對需要的。
對於USB3.0的高速接口而言,在選擇ESD保護元件時必須考慮到以下三個關鍵因素:
第一,ESD保護組件若要能對係統提供有效保護,除了本身要能承受夠高的ESD轟擊外,還需要考慮鉗位電壓是否足夠低,使得ESD的能量能被鉗製在更低的電壓以防止係統內部電路受到損毀。因此鉗製電壓是判斷ESD保護組件對於係統電路保護效能最重要的參數。
第二,為確保USB 3.0高速訊號傳輸時不會受到影響以及訊號的完整性,所以選擇ESD保護組件時,必須選擇其寄生電容越低越好,建議選擇寄生電容必須低於0.3pF。
第三,在電子產品朝向輕薄短小的發展趨勢下,產品使用的印刷電路板麵積已變得寸土寸金。針對USB 3.0接口,使用單顆多通道的ESD保護元件為目前最經濟有效的選擇。
為避免TVS的寄生電容影響USB 3.0接口4.8Gbps和Thunderbolt接口10Gbps差分信號的高速傳輸,AZ1065的寄生電容低於0.3pF。在這一極低的電容特性下,AZ1065任一接腳在室溫時仍皆可承受IEC 61000-4-2接觸模式10kV ESD的轟擊。最重要是,以相同寄生電容來比較,AZ1065擁有目前市場上最低的ESD箝製電壓(在IEC 61000-4-2接觸模式6kV的ESD衝擊下,鉗位電壓僅有13.4V),可有效防止數據傳輸時被ESD事件所幹擾,並使得具有USB 3.0接口的電子係統有機會通過Class-A的IEC 61000-4-2係統級ESD保護測試。
此外,AZ1065係列產品提供了六個極低電容的接腳,可同時保護USB 3.0接口的兩組差分對(TX和RX)與USB 2.0的差分對(D+和D-),以及電源端VBUS的保護,具有縮小PCB麵積與降低布局複雜度等優點,可節省係統成本。更特別的是其DFN-10的封裝並且采用交錯型式的接腳,提供PCB布局時可利用穿透式(Feed through)的設計。
薑信欽博士表示:“AZ1065的寄生電容隻有0.27pF,鉗位電壓隻有13.4V,反應時間已達到納秒級,這是ESD保護二極管難以達到的性能指標,AZ1065係列產品可說是目前USB 3.0接口的最佳ESD解決方案。”
薑信欽博士滿心相信晶炎未來將成為ESD保護市場的強者。他說:“晶炎用半導體製造工藝發展係列TVS產chan品pin的de獨du特te做zuo法fa不bu僅jin使shi得de我wo們men可ke以yi更geng低di的de成cheng本ben比bi競jing爭zheng對dui手shou更geng快kuai地di推tui出chu性xing能neng更geng強qiang的de產chan品pin,更geng關guan鍵jian的de是shi,我wo們men鍛duan煉lian出chu了le一yi支zhi獨du具ju一yi格ge的de集ji多duo學xue科ke能neng力li於yu一yi身shen的deTVS研發團隊,這不是競爭對手輕易就能建起來的。”
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