br /> 常規的負載電容20pF，負載電容就是32pF比較匹配。晶振的負載電容公式=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C，式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic（集成電路內部電容）+△C（PCB上電容）經驗值為3至5pf。因此
，晶振的數據表中規定12pF的有效負載電容要求在每個引腳XIN與XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生電容）。兩邊電容為Cg,Cd，負載電容為Cl，cl=cg*cd/(cg+cd)+a。就是說負載電容15pf的話
，兩邊兩個接27pf的差不多了，

各ge種zhong邏luo輯ji芯xin片pian的de晶jing振zhen引yin腳jiao可ke以yi等deng效xiao為wei電dian容rong三san點dian式shi振zhen蕩dang器qi。晶jing振zhen引yin腳jiao的de內nei部bu通tong常chang是shi一yi個ge反fan相xiang器qi
，或huo者zhe是shi奇qi數shu個ge反fan相xiang器qi串chuan聯lian。在zai晶jing振zhen輸shu出chu引yin腳jiaoXO和晶振輸入引腳XI之間用一個電阻連接，對於CMOS芯片通常是數M到數十M歐之間。很多芯片的引腳內部已經包含了這個電阻,
，引yin腳jiao外wai部bu就jiu不bu用yong接jie了le。這zhe個ge電dian阻zu是shi為wei了le使shi反fan相xiang器qi在zai振zhen蕩dang初chu始shi時shi處chu於yu線xian性xing狀zhuang態tai
，反fan相xiang器qi就jiu如ru同tong一yi個ge有you很hen大da增zeng益yi的de放fang大da器qi，以yi便bian於yu起qi振zhen，石shi英ying晶jing體ti也ye連lian接jie在zai晶jing振zhen引yin腳jiao的de輸shu入ru和he輸shu出chu之zhi間jian，等deng效xiao為wei一yi個ge並bing聯lian諧xie振zhen回hui路lu，振zhen蕩dang頻pin率lv應ying該gai是shi石shi英ying晶jing體ti的de並bing聯lian諧xie振zhen頻pin率lv。晶jing體ti旁pang邊bian的de兩liang個ge電dian容rong接jie地di，實shi際ji上shang就jiu是shi電dian容rong三san點dian式shi電dian路lu的de分fen壓ya電dian容rong
，接jie地di點dian就jiu是shi分fen壓ya點dian。以yi接jie地di點dian即ji分fen壓ya點dian為wei參can考kao點dian，振zhen蕩dang引yin腳jiao的de輸shu入ru和he輸shu出chu是shi反fan相xiang的de，但dan從cong並bing聯lian諧xie振zhen回hui路lu即ji石shi英ying晶jing體ti兩liang端duan來lai看kan，形xing成cheng一yi個ge正zheng反fan饋kui以yi保bao證zheng電dian路lu持chi續xu振zhen蕩dang。在zai芯xin片pian設she計ji時shi
，這zhe兩liang個ge電dian容rong就jiu已yi經jing形xing成cheng了le，一yi般ban是shi兩liang個ge的de容rong量liang相xiang等deng。容rong量liang大da小xiao依yi工gong藝yi和he版ban圖tu而er不bu同tong，但dan終zhong歸gui是shi比bi較jiao小xiao
，不bu一yi定ding適shi合he很hen寬kuan的de頻pin率lv範fan圍wei。外wai接jie時shi大da約yue是shi數shuPF到數十PF，依頻率和石英晶體的特性而定。需要注意的是：這兩個電容串聯的值是並聯在諧振回路上的，會影響振蕩頻率。當兩個電容量相等時
，反饋係數是 0.5
，一yi般ban是shi可ke以yi滿man足zu振zhen蕩dang條tiao件jian的de，但dan如ru果guo不bu易yi起qi振zhen或huo振zhen蕩dang不bu穩wen定ding可ke以yi減jian小xiao輸shu入ru端duan對dui地di電dian容rong量liang，而er增zeng加jia輸shu出chu端duan的de值zhi以yi提ti高gao反fan饋kui量liang，一yi般ban芯xin片pian的de Data sheet 上會有說明。

 

圖1：晶振

1.匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容
，是為了使晶振兩端的等效電容等於或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣並聯起來就接近負載電容了。

2．負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他(ta)是(shi)一(yi)個(ge)測(ce)試(shi)條(tiao)件(jian)，也(ye)是(shi)一(yi)個(ge)使(shi)用(yong)條(tiao)件(jian)。應(ying)用(yong)時(shi)一(yi)般(ban)在(zai)給(gei)出(chu)負(fu)載(zai)電(dian)容(rong)值(zhi)附(fu)近(jin)調(tiao)整(zheng)可(ke)以(yi)得(de)到(dao)精(jing)確(que)頻(pin)率(lv)。此(ci)電(dian)容(rong)的(de)大(da)小(xiao)主(zhu)要(yao)影(ying)響(xiang)負(fu)載(zai)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)和(he)等(deng)效(xiao)負(fu)載(zai)諧(xie)振(zhen)電(dian)阻(zu)。

3．一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。

4．負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和
，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fu)載(zai)頻(pin)率(lv)不(bu)同(tong)決(jue)定(ding)振(zhen)蕩(dang)器(qi)的(de)振(zhen)蕩(dang)頻(pin)率(lv)不(bu)同(tong)。標(biao)稱(cheng)頻(pin)率(lv)相(xiang)同(tong)的(de)晶(jing)振(zhen)
，負(fu)載(zai)電(dian)容(rong)不(bu)一(yi)定(ding)相(xiang)同(tong)。因(yin)為(wei)石(shi)英(ying)晶(jing)體(ti)振(zhen)蕩(dang)器(qi)有(you)兩(liang)個(ge)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)，一(yi)個(ge)是(shi)串(chuan)聯(lian)揩(kai)振(zhen)晶(jing)振(zhen)的(de)低(di)負(fu)載(zai)電(dian)容(rong)晶(jing)振(zhen)：lingyigeweibingliankaizhenjingzhendegaofuzaidianrongjingzhen。suoyi
，biaochengpinlvxiangtongdejingzhenhuhuanshihaibixuyaoqiufuzaidianrongyizhi，bunengmaoranhuhuan，fouzehuizaochengdianqigongzuobuzhengchang。