英飛淩發布麵高堅固性650V IGBT係列 實現高速開關最高效率
發布時間：2015-03-02 責任編輯：susan
【導讀】2015年3月2日，英飛淩科技宣布發布高堅固性650V IGBT係列，該係列能夠使應用於汽車中的高速開關的運用達到最高效率。該係列TRENCHSTOP™5 AUTO IGBT符合AEC-Q 標準，可降低諸如車載充電、功率因數校正（PFC）、直流/直流和直流/交流轉換等電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）應用的功率損耗並提高其可靠性。
全新IGBT係列阻斷電壓比前代汽車級IGBT高50V，此外，得益於英飛淩TRENCHSTOP™ 5薄晶圓技術，該係列產品達到同類最佳效率。與現有的尖端技術相比，全新IGBT的飽和電壓（VCE(sat)）降低了200mV，開關損耗減半，並且柵極電荷降低2.5倍。同時，由於開關損耗和導通損耗雙雙降低，與替代技術相比，全新IGBT係列在相同的應用中結溫和外殼溫度更低。這不僅提高了器件的可靠性，而且最大程度降低了冷卻需求。
通過使用TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT，電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)設(she)計(ji)師(shi)可(ke)實(shi)現(xian)器(qi)件(jian)效(xiao)率(lv)提(ti)升(sheng)所(suo)帶(dai)來(lai)的(de)額(e)外(wai)優(you)勢(shi)，即(ji)能(neng)夠(gou)延(yan)長(chang)續(xu)航(hang)裏(li)程(cheng)或(huo)縮(suo)小(xiao)電(dian)池(chi)尺(chi)寸(cun)。對(dui)混(hun)合(he)動(dong)力(li)汽(qi)車(che)來(lai)說(shuo)，效(xiao)率(lv)提(ti)高(gao)意(yi)味(wei)著(zhe)降(jiang)低(di)總(zong)燃(ran)油(you)消(xiao)耗(hao)和(he)減(jian)少(shao)二(er)氧(yang)化(hua)碳(tan)排(pai)放(fang)。另(ling)外(wai)，TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT器件的卓越性能使得其能進入目前主要采用MOSFET技術的應用，並為設計師提供基於不同半導體芯片技術的廣泛選擇。
TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT係列器件的額定電流為40A或50A，有單一分立式IGBT和可與英飛淩超快“Rapid”矽二極管共同封裝的IGBT兩種產品。對於這兩種產品中的任何一種，英飛淩均能提供H5 HighSpeed和F5 HighSpeed FAST兩個係列產品，這取決於優化開關速度和實現最高效率是否為首要設計標準。
對用於車載充電器的典型PFC電路來說，以TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT替代當前尖端技術已經表明效率從97.5%提升至97.9%。如果是3.3kW 充電器，這相當於功率損失降低13W。假設充電時間為5小時，這相當於每個充電周期二氧化碳排放減少30g。
特別推薦
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%！力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電！聖邦微電子發布雙輸出電源芯片，簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端：金升陽推出1200W可編程電源，賦能高端裝備製造
技術文章更多>>
- 2026藍牙亞洲大會暨展覽在深啟幕
- 新市場與新場景推動嵌入式係統研發走向統一開發平台
- 維智捷發布中國願景
- 2秒啟動係統 • 資源受限下HMI最優解，米爾RK3506開發板× LVGL Demo演示
- H橋降壓-升壓電路中的交替控製與帶寬優化
技術白皮書下載更多>>
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
接口IC
介質電容
介質諧振器
金屬膜電阻
晶體濾波器
晶體諧振器
晶體振蕩器
晶閘管
精密電阻
精密工具
景佑能源
聚合物電容
君耀電子
開發工具
開關
開關電源
開關電源電路
開關二極管
開關三極管
科通
可變電容
可調電感
可控矽
空心線圈
控製變壓器
控製模塊
藍牙
藍牙4.0
藍牙模塊
浪湧保護器
