在(zai)電(dian)子(zi)電(dian)路(lu)工(gong)程(cheng)設(she)計(ji)中(zhong)
，通(tong)常(chang)都(dou)會(hui)需(xu)要(yao)對(dui)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)進(jin)行(xing)抑(yi)製(zhi)。因(yin)為(wei)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)很(hen)大(da)程(cheng)度(du)上(shang)會(hui)影(ying)響(xiang)電(dian)力(li)設(she)備(bei)與(yu)電(dian)路(lu)的(de)安(an)全(quan)性(xing)。在(zai)本(ben)文(wen)中(zhong)小(xiao)編(bian)將(jiang)為(wei)大(da)家(jia)介(jie)紹(shao)對(dui)於(yu)無(wu)限(xian)流(liu)電(dian)阻(zu)中(zhong)的(de)上(shang)電(dian)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)的(de)抑(yi)製(zhi)模(mo)塊(kuai)設(she)計(ji)。

 

無限流電阻的上電浪湧電流抑製模塊

圖1一種上電浪湧電流抑製電路

 

有人提出一種無限流電阻的上電浪湧電流抑製電路如圖1（a）所示
，其上電電流波形如圖1（b）所suo示shi，其qi思si路lu是shi將jiang電dian路lu設she計ji成cheng線xian形xing恒heng流liu電dian路lu。實shi際ji電dian路lu會hui由you於yu兩liang極ji放fang大da的de高gao增zeng益yi而er出chu現xian自zi激ji振zhen蕩dang現xian象xiang
，但dan不bu影ying響xiang電dian路lu工gong作zuo。從cong原yuan理li上shang講jiang
，這zhe種zhong電dian路lu是shi可ke行xing的de，但dan在zai使shi用yong時shi則ze有you如ru下xia問wen題ti難nan以yi解jie決jue：如220V輸入的400W開關電源的上電電流至少需要達到4A，如上電時剛好是電網電壓峰值，則電路將承受4×220×=1248W的功率。不僅遠超出IRF840的125W額定耗散功率

，也遠超出IRFP450及IRFP460的150W額定耗散功率
，即使是APT的線性MOSFET也隻有450W的額定耗散功率。因此，如采用IRF840或IRFP450的結果是，MOSFET僅能承受有限次數的上電過程便可能被熱擊穿，而且從成本上看，IRF840的價格可以接受，而IRFP450及IRFP460則難以接受
，APT的線性MOSFET更不可能接受。

 

yuzhenzhengshixianwuxianliudianzudeshangdianlangyongdianliuyizhimokuai
，xujiejuegonglvqijianzaishangdianguochengdegonglvsunhaowenti。lingyizhongshangdianlangyongdianliuyizhimokuaidejibensixiangshi，shigonglvqijiangongzuozaikaiguanzhuangtai，congerjiejuelegonglvqijianshangdianguochengzhongdegaogonglvsunhaowenti，erqiedianlujiandan。dianlurutu2（a）和（b）所示，上電電流波形如圖2（c）所示。