摘要

本文結合功率MOSFET管失效分析圖片不同的形態

，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式

，並說明了產生這樣的損壞形態的原因

，也分析了功率MOSFET管(guan)在(zai)關(guan)斷(duan)及(ji)開(kai)通(tong)過(guo)程(cheng)中(zhong)，發(fa)生(sheng)失(shi)效(xiao)形(xing)態(tai)的(de)差(cha)別(bie)，從(cong)而(er)為(wei)失(shi)效(xiao)是(shi)在(zai)關(guan)斷(duan)還(hai)是(shi)在(zai)開(kai)通(tong)過(guo)程(cheng)中(zhong)發(fa)生(sheng)損(sun)壞(huai)提(ti)供(gong)了(le)判(pan)斷(duan)依(yi)據(ju)。給(gei)出(chu)了(le)測(ce)試(shi)過(guo)電(dian)流(liu)和(he)過(guo)電(dian)壓(ya)的(de)電(dian)路(lu)圖(tu)。同(tong)時(shi)

，也(ye)分(fen)析(xi)了(le)功(gong)率(lv)MOSFETguanzaidongtailaohuaceshizhongmansukaitongjizaidianchibaohudianluyingyongzhongmansuguanduanshi，jiaochangshijiangongzuozaixianxingqushi，sunhuaidexingtai。zuihou

，jieheshijideyingyong，lunshulegonglvMOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。

 

關鍵詞：過流，過壓，熱點，線性區, 過電性應力

 

0 前言

目前，功率MOSFET管廣泛地應用於開關dianyuanxitongjiqitadeyixiegonglvdianzidianluzhong，raner，zaishijideyingyongzhong，tongchang，zaiyixiejiduandebianjietiaojianxia，ruxitongdeshuchuduanlujiguozaiceshi，shuruguodianyaceshiyijidongtaidelaohuaceshizhong，gonglvMOSFET有時候會發生失效損壞。工程師將損壞的功率MOSFET送到半導體原廠做失效分析後，得到的失效分析報告的結論通常是過電性應力EOS，無法判斷是什麼原因導致MOSFET的損壞。

 

本文將通過功率MOSFET管的工作特性
，結合失效分析圖片中不同的損壞形態，係統的分析過電流損壞和過電壓損壞，同時

，根據損壞位置不同
，分析功率MOSFET管guan的de失shi效xiao是shi發fa生sheng在zai開kai通tong的de過guo程cheng中zhong，還hai是shi發fa生sheng在zai關guan斷duan的de過guo程cheng中zhong，從cong而er為wei設she計ji工gong程cheng師shi提ti供gong一yi些xie依yi據ju
，來lai找zhao到dao係xi統tong設she計ji的de一yi些xie問wen題ti，提ti高gao電dian子zi係xi統tong的de可ke靠kao性xing。

 

1、過電壓和過電流測試電路

 

過電壓測試的電路圖如圖1(a)所示，選用40V的功率MOSFET：AON6240
，DFN5*6的封裝。其中，所加的電源為60V
，使用開關來控製
，將60V的電壓直接加到AON6240的D和S極
，熔絲用來保護測試係統，功率MOSFET損壞後

，將電源斷開。測試樣品數量：5片。

 

過電流測試的電路圖如圖2(b)所示
，選用40V的功率MOSFET：AON6240
，DFN5*6的封裝。首先合上開關A，用20V的電源給大電容充電，電容C的容值：15mF，然後斷開開關A，合上開關B
，將電容C的電壓加到功率MOSFET的D和S極，使用信號發生器產生一個電壓幅值為4V、持續時間為1秒的單脈衝，加到功率MOSFET的G極。測試樣品數量：5片。