【導讀】關於IGBT／MOSFET預驅動器，相信做電機驅動或者大功率設備驅動的工程師都會有所了解，所謂預驅動器
，其實就是將微控製器與IGBT／MOSFET隔離開來，為負載及驅動器提供保護，並為微控製器（MCU）提供診斷信息。這種預驅動器一般會使用運放

，MOS或者三極管等搭建，在實現保護驅動器和微控製器的前提之下，還實現了將MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）與基準電壓做比較，實現狀態診斷；那麼大家知道光耦其實還可以做IGBT／MOSFET的預驅動器麼？東芝針對IGBT／MOSFET產品以及光耦應用技術深耕多年，這款針對中高電流IGBT／MOSFET的預驅動器——TLP5231

，就是東芝半導體係列產品線的補充和完善。

一
、電氣特性分析

TLP5231由兩個紅外發光二極管（LED）和兩個高增益高速光接收IC芯片組成，從而實現故障信號的反饋功能，采用SO16L封裝，輸出峰值電流高達±2.5A。

TLP5231能夠使用外部互補MOSFET緩衝器
，僅在緩衝器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流，有助於降低功耗。

TLP5231可提供±25kV/µs的有效的共模瞬變抑製，從而改善電路中的EMI
，同時具有5kv的隔離電壓
，-40℃至110℃寬範圍工作溫度，抗幹擾能力優異，能夠應對不同工作場景
；

具體參數如下：

（除非另有說明，Ta＝-40℃至110℃）

二
、功能特性分析

1. 簡化死區時間設計

TLP5231內置有源時序控製的雙輸出，這種雙輸出消除了死區時間設計的需要，並防止因同時導通而產生的開關損耗。適用於驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩衝器。

2. 提高軟關斷設計靈活性

當檢測到過流時，由於這個軟關斷MOSFET與MOSFET Q2緩衝器使用的不是同一導線（線路），通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間，從而提高設計靈活性
，不影響正常關斷操作。

3. 故障信號自動複位

當監控集電極電壓檢測到過流時或欠壓鎖定時
，故障信號會輸出到一次側。因此與傳統的IGBT／MOSFET相比，它更支持作為預驅動器的設計。

三、應用場景

TLP5231光耦主要針對中高電流IGBT和MOSFET的隔離柵極驅動電路，主要應用場景可以是工業設備（工業逆變器和光伏逆變器功率調節器等）或者是不間斷電源（UPS）等。

東芝在IGBT和MOSFET的(de)預(yu)驅(qu)動(dong)器(qi)上(shang)十(shi)年(nian)磨(mo)一(yi)劍(jian)

，在(zai)預(yu)驅(qu)動(dong)器(qi)小(xiao)型(xing)化(hua)和(he)電(dian)路(lu)簡(jian)化(hua)方(fang)麵(mian)做(zuo)足(zu)了(le)功(gong)課(ke)，通(tong)過(guo)其(qi)對(dui)經(jing)驗(yan)的(de)不(bu)斷(duan)積(ji)累(lei)

，對(dui)客(ke)戶(hu)需(xu)求(qiu)的(de)歸(gui)納(na)總(zong)結(jie)，相(xiang)信(xin)在(zai)未(wei)來(lai)使(shi)用(yong)預(yu)驅(qu)動(dong)器(qi)的(de)產(chan)品(pin)方(fang)麵(mian)，東(dong)芝(zhi)預(yu)驅(qu)動(dong)器(qi)的(de)產(chan)品(pin)選(xuan)型(xing)和(he)參(can)考(kao)都(dou)會(hui)極(ji)具(ju)價(jia)值(zhi)。

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片
、文字如涉及作品版權問題
，請聯係小編進行處理。

推薦閱讀：

碳化矽肖特基二極管的基本特征分析

聖邦微電子緊湊型高壓輸入2.5A開關型鋰電池充電器SGM41523

國產雙通道高可靠Sigma-Delta ADC的工業測量應用

PFC拓撲比較：交錯式升壓拓撲與圖騰柱拓撲

使用MEMS傳感器進行振動監測