電磁兼容學是一門綜合性學科，它涉及的理論包括數學
、電磁場理論、天線與電波傳播、電路理論、信號分析、通訊理論、材料科學、生物醫學等。

進行開關電源的電磁兼容性設計時，首先進行一個係統設計，明確以下幾點：

1. 明確係統要滿足的電磁兼容標準
；

2. 確定係統內的關鍵電路部分，包括強幹擾源電路、高度敏感電路；

3. 明確電源設備工作環境中的電磁幹擾源及敏感設備；

4. 確定對電源設備所要采取的電磁兼容性措施。

一、DC/DC變換器內部噪聲幹擾源分析

1．二極管的反向恢複引起噪聲幹擾

在開關電源中常使用工頻整流二極管、高頻整流二極管、續流二極管等，由於這些二極管都工作在開關狀態，如圖所示
，在二極管由阻斷狀態到導通工作過程中，將產生一個很高的電壓尖峰VFP；在二極管由導通狀態到阻斷工作過程中
，存在一個反向恢複時間trr，在反向恢複過程中
，由於二極管封裝電感及引線電感的存在，將產生一個反向電壓尖峰VRP，由於少子的存儲與複合效應
，會產生瞬變的反向恢複電流IRP
，這種快速的電流、電壓突變是電磁幹擾產生的根源。

二極管反向恢複時電流電壓波形 二極管正向導通電流電壓波形

2．開關管開關動作時產生電磁幹擾

二極管反向恢複時電流電壓波形 二極管正向導通電流電壓波形

在正激式、推挽式、橋(qiao)式(shi)變(bian)換(huan)器(qi)中(zhong)

，流(liu)過(guo)開(kai)關(guan)管(guan)的(de)電(dian)流(liu)波(bo)形(xing)在(zai)阻(zu)性(xing)負(fu)載(zai)時(shi)近(jin)似(si)矩(ju)形(xing)波(bo)
，含(han)有(you)豐(feng)富(fu)的(de)高(gao)頻(pin)成(cheng)分(fen)，這(zhe)些(xie)高(gao)頻(pin)諧(xie)波(bo)會(hui)產(chan)生(sheng)很(hen)強(qiang)的(de)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)，在(zai)反(fan)激(ji)變(bian)換(huan)器(qi)中(zhong)，流(liu)過(guo)開(kai)關(guan)管(guan)的(de)電(dian)流(liu)波(bo)形(xing)在(zai)阻(zu)性(xing)負(fu)載(zai)時(shi)近(jin)似(si)三(san)角(jiao)波(bo)，高(gao)次(ci)諧(xie)波(bo)成(cheng)分(fen)相(xiang)對(dui)較(jiao)少(shao)。開(kai)關(guan)管(guan)在(zai)開(kai)通(tong)時(shi)，由(you)於(yu)開(kai)關(guan)時(shi)間(jian)很(hen)短(duan)以(yi)及(ji)逆(ni)變(bian)回(hui)路(lu)中(zhong)引(yin)線(xian)電(dian)感(gan)的(de)存(cun)在(zai)
，將(jiang)產(chan)生(sheng)很(hen)大(da)的(de)dV/dt突變和很高的尖峰電壓，在開關管的關斷時
，由於關斷時間很短，將產生很大的di/dt突變和很高的電流尖峰
，這些電流
、電壓突變將產生很強的電磁幹擾。

3．電感、變壓器等磁性元件引起的電磁幹擾：在開關電源中存在輸入濾波電感
、功率變壓器、隔離變壓器、輸出濾波電感等磁性元件

，隔離變壓器初次級之間存在寄生電容，高頻幹擾信號通過寄生電容耦合到次邊；功(gong)率(lv)變(bian)壓(ya)器(qi)由(you)於(yu)繞(rao)製(zhi)工(gong)藝(yi)等(deng)原(yuan)因(yin)，原(yuan)次(ci)邊(bian)耦(ou)合(he)不(bu)理(li)想(xiang)而(er)存(cun)在(zai)漏(lou)感(gan)
，漏(lou)電(dian)感(gan)將(jiang)產(chan)生(sheng)電(dian)磁(ci)輻(fu)射(she)幹(gan)擾(rao)，另(ling)外(wai)功(gong)率(lv)變(bian)壓(ya)器(qi)線(xian)圈(quan)繞(rao)組(zu)流(liu)過(guo)高(gao)頻(pin)脈(mai)衝(chong)電(dian)流(liu)，在(zai)周(zhou)圍(wei)形(xing)成(cheng)高(gao)頻(pin)電(dian)磁(ci)場(chang)
；電(dian)感(gan)線(xian)圈(quan)中(zhong)流(liu)過(guo)脈(mai)動(dong)電(dian)流(liu)會(hui)產(chan)生(sheng)電(dian)磁(ci)場(chang)輻(fu)射(she)
，而(er)且(qie)在(zai)負(fu)載(zai)突(tu)切(qie)時(shi)，會(hui)形(xing)成(cheng)電(dian)壓(ya)尖(jian)峰(feng)
，同(tong)時(shi)當(dang)它(ta)工(gong)作(zuo)在(zai)飽(bao)和(he)狀(zhuang)態(tai)時(shi)，將(jiang)會(hui)產(chan)生(sheng)電(dian)流(liu)突(tu)變(bian)，這(zhe)些(xie)都(dou)會(hui)引(yin)起(qi)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)。

4．控製電路中周期性的高頻脈衝信號如振蕩器產生的高頻脈衝信號等將產生高頻高次諧波
，對周圍電路產生電磁幹擾。

5．此外電路中還會有地環路幹擾、公共阻抗耦合幹擾，以及控製電源噪聲幹擾等。

6．開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)中(zhong)的(de)布(bu)線(xian)設(she)計(ji)非(fei)常(chang)重(zhong)要(yao)，不(bu)合(he)理(li)布(bu)線(xian)將(jiang)使(shi)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)通(tong)過(guo)線(xian)線(xian)之(zhi)間(jian)的(de)耦(ou)合(he)電(dian)容(rong)和(he)分(fen)布(bu)互(hu)感(gan)串(chuan)擾(rao)或(huo)輻(fu)射(she)到(dao)鄰(lin)近(jin)導(dao)線(xian)上(shang)
，從(cong)而(er)影(ying)響(xiang)其(qi)它(ta)電(dian)路(lu)的(de)正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo)。

7．熱輻射產生的電磁幹擾，熱輻射是以電磁波的形式進行熱交換，這種電磁幹擾影響其它電子元器件或電路的正常穩定工作。

二、外界的電磁幹擾

對於某一電子設備
，外界對其產生影響的電磁幹擾包括：電網中的諧波幹擾、雷電
、太陽噪聲、靜電放電，以及周圍的高頻發射設備引起的幹擾。

三
、電磁幹擾的後果

電磁幹擾將造成傳輸信號畸變，影響設備的正常工作。對於雷電
、靜電放電等高能量的電磁幹擾，嚴重時會損壞設備。而對於某些設備
，電磁輻射會引起重要信息的泄漏。

四、開關電源的電磁兼容設計

lejielekaiguandianyuanneibujiwaibudianciganraoyuanhou，womenhaiyingzhidao
，xingchengdianciganraojilidesanyaosushihaiyouchuanbotujingheshouraoshebei。yincikaiguandianyuandediancijianrongshejizhuyaocongyixiasangefangmianrushou：1，減小幹擾源的電磁幹擾能量
；2
，切斷幹擾傳播途徑；3
，提高受擾設備的抗幹擾能力。

正(zheng)確(que)了(le)解(jie)和(he)把(ba)握(wo)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)的(de)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)源(yuan)及(ji)其(qi)產(chan)生(sheng)機(ji)理(li)和(he)幹(gan)擾(rao)傳(chuan)播(bo)途(tu)徑(jing)，對(dui)於(yu)采(cai)取(qu)何(he)種(zhong)抗(kang)幹(gan)擾(rao)措(cuo)施(shi)以(yi)使(shi)設(she)備(bei)滿(man)足(zu)電(dian)磁(ci)兼(jian)容(rong)要(yao)求(qiu)非(fei)常(chang)重(zhong)要(yao)。由(you)於(yu)幹(gan)擾(rao)源(yuan)有(you)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)內(nei)部(bu)產(chan)生(sheng)的(de)幹(gan)擾(rao)源(yuan)和(he)外(wai)部(bu)的(de)幹(gan)擾(rao)源(yuan)，而(er)且(qie)可(ke)以(yi)說(shuo)幹(gan)擾(rao)源(yuan)無(wu)法(fa)消(xiao)除(chu)，受(shou)擾(rao)設(she)備(bei)也(ye)總(zong)是(shi)存(cun)在(zai)，因(yin)此(ci)可(ke)以(yi)說(shuo)電(dian)磁(ci)兼(jian)容(rong)問(wen)題(ti)總(zong)是(shi)存(cun)在(zai)。

下麵以隔離式DC/DC變換器為例，討論開關電源的電磁兼容性設計：

1. DC/DC變換器輸入濾波電路的設計

如圖所示
，FV1為瞬態電壓抑製二極管
，RV1為壓敏電阻，都具有很強的瞬變浪湧電流的吸收能力，能很好的保護後級元件或電路免遭浪湧電壓的破壞。Z1為直流EMI濾波器

，必須良好接地，接地線要短，最好直接安裝在金屬外殼上，還要保證其輸入、輸出線之間的屏蔽隔離
，才能有效的切斷傳導幹擾沿輸入線的傳播和輻射幹擾沿空間的傳播。L1
、C1組成低通濾波電路，當L1電感值較大時，還需增加如圖所示的V1和R1元件，形成續流回路吸收L1斷開時釋放的電場能，否則L1產生的電壓尖峰就會形成電磁幹擾，電感L1所使用的磁芯最好為閉合磁芯，帶氣隙的開環磁芯的漏磁場會形成電磁幹擾
，C1的容量較大為好
，這樣可以減小輸入線上的紋波電壓
，從而減小輸入導線周圍形成的電磁場。

2.高頻逆變電路的電磁兼容設計
，如圖所示，C2、C3

、V2
、V3組成的半橋逆變電路
，V2、V3為IGBT、MOSFET等開關元件，在V2、V3開通和關斷時
，由於開關時間很快以及引線電感
、變壓器漏感的存在，回路會產生較高的di/dt

、dv/dt突變，從而形成電磁幹擾，為此在變壓器原邊兩端增加R4
、C4構成的吸收回路，或在V2、V3兩端分別並聯電容器C5
、C6，並縮短引線
，減小ab
、cd、gh、ef的引線電感。在設計中，C4、C5、C6一般采用低感電容

，電容器容量的大小取決於引線電感量

、回路中電流值以及允許的過衝電壓值的大小，LI2/2=C△V2/2公式求得C的大小，其中L為回路電感，I為回路電流，△V為過衝電壓值。

為減小△V，就必須減小回路引線電感值
，為此在設計時常使用一種叫“多層低感複合母排”的裝置，由我所申請專利的該種母排裝置能將回路電感降低到足夠小，達10nH級，從而達到減小高頻逆變回路電磁幹擾的目的。

從電磁兼容性設計角度考慮，應盡量降低開關管V2
、V3的開關頻率

，從而降低di/dt、dv/dt值。另外使用ZCS或ZVS軟(ruan)開(kai)關(guan)變(bian)換(huan)技(ji)術(shu)能(neng)有(you)效(xiao)降(jiang)低(di)高(gao)頻(pin)逆(ni)變(bian)回(hui)路(lu)的(de)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)。在(zai)大(da)電(dian)流(liu)或(huo)高(gao)電(dian)壓(ya)下(xia)的(de)快(kuai)速(su)開(kai)關(guan)動(dong)作(zuo)是(shi)產(chan)生(sheng)電(dian)磁(ci)噪(zao)聲(sheng)的(de)根(gen)本(ben)，因(yin)此(ci)盡(jin)可(ke)能(neng)選(xuan)用(yong)產(chan)生(sheng)電(dian)磁(ci)噪(zao)聲(sheng)小(xiao)的(de)電(dian)路(lu)拓(tuo)撲(pu)，如(ru)在(zai)同(tong)等(deng)條(tiao)件(jian)下(xia)雙(shuang)管(guan)正(zheng)激(ji)拓(tuo)撲(pu)比(bi)單(dan)管(guan)正(zheng)激(ji)拓(tuo)撲(pu)產(chan)生(sheng)電(dian)磁(ci)噪(zao)聲(sheng)要(yao)小(xiao)，全(quan)橋(qiao)電(dian)路(lu)比(bi)半(ban)橋(qiao)電(dian)路(lu)產(chan)生(sheng)電(dian)磁(ci)噪(zao)聲(sheng)要(yao)小(xiao)。

如圖所示增加吸收電路後開關管上的電流、電壓波形與沒有吸收回路時的波形比較。

3.高頻變壓器的電磁兼容設計

在高頻變壓器T1的設計時，盡量選用電磁屏蔽性較好的磁芯材料。

如圖所示，C7、C8為匝間耦合電路，C11為繞組間耦合電容
，在變壓器繞製時
，盡量減小分布電容C11
，以減小變壓器原邊的高頻幹擾耦合到次邊繞組。另外為進一步減小電磁幹擾，可在原、次邊繞組間增加一個屏蔽層，屏蔽層良好接地
，這樣變壓器原、次邊繞組對屏蔽層間就形成耦合電容C9、C10

，高頻幹擾電流就通過C9、C10流到大地。

由(you)於(yu)變(bian)壓(ya)器(qi)是(shi)一(yi)個(ge)發(fa)熱(re)元(yuan)件(jian)，較(jiao)差(cha)的(de)散(san)熱(re)條(tiao)件(jian)必(bi)然(ran)導(dao)致(zhi)變(bian)壓(ya)器(qi)溫(wen)度(du)升(sheng)高(gao)，從(cong)而(er)形(xing)成(cheng)熱(re)輻(fu)射(she)，熱(re)輻(fu)射(she)是(shi)以(yi)電(dian)磁(ci)波(bo)形(xing)式(shi)對(dui)外(wai)傳(chuan)播(bo)，因(yin)此(ci)變(bian)壓(ya)器(qi)必(bi)須(xu)有(you)很(hen)好(hao)的(de)散(san)熱(re)條(tiao)件(jian)。

tongchangjianggaopinbianyaqifengzhuangzaiyigelvkehenei
，lvhehaikeanzhuangzailvsanreqishang，bingguanzhudianziguijiao
，zheyangbianyaqijikexingchengjiaohaodediancipingbi，haikebaozhengyoujiaohaodesanrexiaoguo，jianxiaodiancifushe。
[page]
 5. 輸出整流電路電磁兼容設計

如圖所示為輸出半波整流電路，V6為整流二極管
，V7為續流二極管，由於V6、V7工作於高頻開關狀態，因此輸出整流電路的電磁幹擾源主要是V6和V7
，R5、C12和R6
、C13分別連接成V6
、V7的吸收電路
，用於吸收其開關動作時產生的電壓尖峰
，並以熱的形式在R5、R6上消耗。

減jian少shao整zheng流liu二er極ji管guan的de數shu量liang就jiu可ke減jian小xiao電dian磁ci幹gan擾rao的de能neng量liang，因yin此ci同tong等deng條tiao件jian下xia，采cai用yong半ban波bo整zheng流liu電dian路lu比bi采cai用yong全quan波bo整zheng流liu和he全quan橋qiao整zheng流liu產chan生sheng的de電dian磁ci幹gan擾rao要yao小xiao。

為減小二極管的電磁幹擾，必須選用具有軟恢複特性的、反向恢複電流小
、反向恢複時間短的二極管器件。從理論上講，肖特基勢壘二極管（SBD）是shi多duo數shu載zai流liu子zi導dao流liu
，不bu存cun在zai少shao子zi的de存cun儲chu與yu複fu合he效xiao應ying，因yin而er也ye就jiu不bu會hui有you反fan向xiang電dian壓ya尖jian峰feng幹gan擾rao，但dan實shi際ji上shang對dui於yu較jiao高gao反fan向xiang工gong作zuo電dian壓ya的de肖xiao特te基ji二er極ji管guan，隨sui著zhe電dian子zi勢shi壘lei厚hou度du的de增zeng加jia，反fan向xiang恢hui複fu電dian流liu會hui增zeng大da，也ye會hui產chan生sheng電dian磁ci噪zao聲sheng。因yin此ci在zai輸shu出chu電dian壓ya較jiao低di的de情qing況kuang下xia選xuan用yong肖xiao特te基ji二er極ji管guan作zuo直zhi流liu二er極ji管guan產chan生sheng的de電dian磁ci幹gan擾rao會hui比bi選xuan用yong其qi它ta二er極ji管guan器qi件jian要yao小xiao。

6. 輸出直流濾波電路的電磁兼容設計

輸出直流濾波電路主要用於切斷電磁傳導幹擾沿導線向輸出負載端傳播，減小電磁幹擾在導線周圍的電磁輻射。

如圖所示，L2、C17

、C18組成的LC濾波電路，能減小輸出電流、電壓紋波的大小，從而減小通過輻射傳播的電磁幹擾，濾波電容C17
、C18盡量采用多個電容並聯
，減小等效串聯電阻，從而減小紋波電壓，輸出電感L2值盡量大
，減小輸出紋波電流的大小
，另外電感L2最好使用不開氣隙的閉環磁芯，最好不是飽和電感。在設計時，我們要記住，導線上有電流、電壓的變化
，在導線周圍就有變化的電磁場

，電磁場就會沿空間傳播形成電磁輻射。

C19用於濾除導線上的共模幹擾
，盡量選用低感電容，且接線要短，C20


、C21、C22、C23用於濾除輸出線上的差模幹擾，宜選用低感的三端電容
，且接地線要短，接地可靠。

Z3為直流EMI濾波器，根據情況使用或不使用，是采用單級還是多級濾波器，但要求Z3直接安裝在金屬機箱上，最好濾波器輸入
、輸出線能屏蔽隔離。

7. 接觸器、繼電器等其它開關器件電磁兼容設計

繼電器、接觸器、風機等在掉電後，其線圈將產生較大的電壓尖峰，從而產生電磁幹擾，為此在直流線圈兩端反並聯一個二極管或RC吸xi收shou電dian路lu
，在zai交jiao流liu線xian圈quan兩liang端duan並bing聯lian一yi個ge壓ya敏min電dian阻zu用yong於yu吸xi收shou線xian圈quan掉diao電dian後hou產chan生sheng的de電dian壓ya尖jian峰feng。同tong時shi要yao注zhu意yi如ru果guo接jie觸chu器qi線xian圈quan電dian源yuan與yu輔fu助zhu電dian源yuan的de輸shu入ru電dian源yuan為wei同tong一yi個ge電dian源yuan，之zhi間jian最zui好hao通tong過guo一yi個geEMI濾波器。繼電器觸頭動作時也將產生電磁幹擾，因此要在觸頭兩端增加RC吸收回路。

8. 開關電源箱體結構的電磁兼容設計

材料選擇：沒有“磁絕緣”材料

，電磁屏蔽是利用“磁短路”deyuanli，laiqieduandianciganraozaishebeineibuyuwaijiekongqizhongdechuanbolujing。zaijinxingkaiguandianyuandexiangtijiegoushejishi
，yaochongfenkaolvduidianciganraodepingbixiaoneng，duiyupingbicailiaodexuanzeyuanzeshi
，dangganraodiancichangdepinlvjiaogaoshi，xuanyonggaodiandaolvdejinshucailiao
，pingbixiaoguojiaohao
；當幹擾電磁波的頻率較低時，要采用高導磁率的金屬材料，屏蔽效果較好


；在某些場合下，如果要求對高頻和低頻電磁場都具有良好的屏蔽效果時
，往往采用高電導率和高導磁率的金屬材料組成多層屏蔽體。

孔洞、縫隙、搭接處理方法：采用電磁屏蔽方法無需重新設計電路，便可達到很好的電磁兼容效果。理想的電磁屏蔽體是一個無縫隙、無孔洞、無透入的導電連續體，低阻抗的金屬密封體，但是一個完全密封的屏蔽體是沒有實用價值的
，因為在開關電源設備中，有輸入
、輸出線過孔
、散熱通風孔等孔洞
，以及箱體結構部件之間的搭接縫隙

，如果不采取措施將會產生電磁泄漏
，使箱體的屏蔽效能降低
、shenzhiwanquansangshi。yincizaikaiguandianyuanxiangtishejishi，jinshubanzhijiandedajiezuihaocaiyonghanjie
，wufahanjieshiyaoshiyongdiancimifengdianhuoqitadepingbicailiao，xiangtishangdekaikongyaoxiaoyuyaopingbidediancibodebochangde1/2，否則屏蔽效果將大大降低；對(dui)於(yu)通(tong)風(feng)孔(kong)

，在(zai)屏(ping)蔽(bi)要(yao)求(qiu)不(bu)高(gao)時(shi)可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)穿(chuan)孔(kong)金(jin)屬(shu)板(ban)或(huo)金(jin)屬(shu)化(hua)絲(si)網(wang)，在(zai)要(yao)求(qiu)既(ji)要(yao)屏(ping)蔽(bi)效(xiao)能(neng)高(gao)
，又(you)要(yao)通(tong)風(feng)效(xiao)果(guo)好(hao)時(shi)選(xuan)用(yong)截(jie)至(zhi)波(bo)導(dao)管(guan)等(deng)方(fang)法(fa)
，提(ti)高(gao)屏(ping)蔽(bi)體(ti)的(de)屏(ping)蔽(bi)效(xiao)能(neng)。如(ru)果(guo)箱(xiang)體(ti)的(de)屏(ping)蔽(bi)效(xiao)能(neng)仍(reng)無(wu)法(fa)滿(man)足(zu)要(yao)求(qiu)時(shi)
，可(ke)以(yi)在(zai)箱(xiang)體(ti)上(shang)噴(pen)塗(tu)屏(ping)蔽(bi)漆(qi)。除(chu)了(le)對(dui)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)整(zheng)個(ge)箱(xiang)體(ti)的(de)屏(ping)蔽(bi)之(zhi)外(wai)，還(hai)可(ke)以(yi)對(dui)電(dian)源(yuan)設(she)備(bei)內(nei)部(bu)的(de)元(yuan)件(jian)、部件等幹擾源或敏感設備進行局部屏蔽。

在(zai)進(jin)行(xing)箱(xiang)體(ti)結(jie)構(gou)設(she)計(ji)時(shi)
，針(zhen)對(dui)設(she)備(bei)上(shang)所(suo)有(you)會(hui)受(shou)到(dao)靜(jing)電(dian)放(fang)電(dian)試(shi)驗(yan)的(de)部(bu)分(fen)
，設(she)計(ji)出(chu)一(yi)條(tiao)低(di)阻(zu)抗(kang)的(de)電(dian)流(liu)泄(xie)放(fang)路(lu)徑(jing)，箱(xiang)體(ti)必(bi)須(xu)有(you)可(ke)靠(kao)的(de)接(jie)地(di)措(cuo)施(shi)，並(bing)且(qie)要(yao)保(bao)證(zheng)接(jie)地(di)線(xian)的(de)載(zai)流(liu)能(neng)力(li)，同(tong)時(shi)將(jiang)敏(min)感(gan)電(dian)路(lu)或(huo)元(yuan)件(jian)遠(yuan)離(li)這(zhe)些(xie)泄(xie)放(fang)回(hui)路(lu)，或(huo)對(dui)其(qi)采(cai)用(yong)電(dian)場(chang)屏(ping)蔽(bi)措(cuo)施(shi)。對(dui)於(yu)結(jie)構(gou)件(jian)的(de)表(biao)麵(mian)處(chu)理(li)，一(yi)般(ban)主(zhu)要(yao)電(dian)鍍(du)銀(yin)、鋅、鎳

、鉻、錫，這需要從導電性能

、電化學反應
、成本及電磁兼容性等多方麵考慮後做出選擇。

9. 元器件布局與布線中的電磁兼容設計：

對(dui)於(yu)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)設(she)備(bei)內(nei)部(bu)元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)布(bu)局(ju)必(bi)須(xu)整(zheng)體(ti)考(kao)慮(lv)電(dian)磁(ci)兼(jian)容(rong)性(xing)的(de)要(yao)求(qiu)，設(she)備(bei)內(nei)部(bu)的(de)幹(gan)擾(rao)源(yuan)會(hui)通(tong)過(guo)輻(fu)射(she)和(he)串(chuan)擾(rao)等(deng)途(tu)徑(jing)影(ying)響(xiang)其(qi)它(ta)元(yuan)件(jian)或(huo)部(bu)件(jian)的(de)工(gong)作(zuo)


，研(yan)究(jiu)表(biao)明(ming)，在(zai)離(li)幹(gan)擾(rao)源(yuan)一(yi)定(ding)距(ju)離(li)時(shi)，幹(gan)擾(rao)源(yuan)的(de)能(neng)量(liang)將(jiang)大(da)大(da)衰(shuai)減(jian)，因(yin)此(ci)合(he)理(li)的(de)布(bu)局(ju)有(you)利(li)於(yu)減(jian)小(xiao)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)的(de)影(ying)響(xiang)。

EMI輸入輸出濾波器最好安裝在金屬機箱的入口處，並保證其輸入線與輸出線電磁環境的屏蔽隔離。

敏感電路或元件要遠離發熱源。

對於開關電源產品
，我們一般須遵守以下布線原則：

9.1 主電路輸入線與輸出線分開走線。

9.2 EMI濾波器輸入線與輸出線分開走線。

9.3 主電路線與控製信號線分開走線。

9.4 高壓脈衝信號線最好分開單獨走線。

9.5 分開布線的原則是避免平行走線，可以垂直交叉
，線束之間距離在20mm以上。

9.6 電纜不要貼著金屬外殼和散熱器走線，保證一定距離。

9.7 雙絞線、同軸電纜及帶狀電纜在EMC設計中的使用

雙絞線、同(tong)軸(zhou)電(dian)纜(lan)都(dou)能(neng)有(you)效(xiao)的(de)抑(yi)製(zhi)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)。在(zai)脈(mai)衝(chong)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)線(xian)路(lu)中(zhong)常(chang)使(shi)用(yong)雙(shuang)絞(jiao)線(xian)，控(kong)製(zhi)輔(fu)助(zhu)電(dian)源(yuan)線(xian)和(he)傳(chuan)感(gan)器(qi)信(xin)號(hao)線(xian)最(zui)好(hao)用(yong)雙(shuang)絞(jiao)屏(ping)蔽(bi)線(xian)。因(yin)為(wei)雙(shuang)絞(jiao)線(xian)兩(liang)根(gen)線(xian)之(zhi)間(jian)有(you)很(hen)小(xiao)的(de)回(hui)路(lu)麵(mian)積(ji)，而(er)且(qie)雙(shuang)絞(jiao)線(xian)的(de)每(mei)兩(liang)個(ge)相(xiang)鄰(lin)的(de)回(hui)路(lu)上(shang)感(gan)應(ying)出(chu)的(de)電(dian)流(liu)具(ju)有(you)大(da)小(xiao)相(xiang)等(deng)、方fang向xiang相xiang反fan，產chan生sheng的de磁ci場chang相xiang互hu抵di消xiao，這zhe樣yang就jiu可ke以yi減jian小xiao因yin輻fu射she引yin起qi的de差cha模mo幹gan擾rao，不bu過guo雙shuang絞jiao線xian絞jiao合he的de圈quan數shu最zui好hao為wei偶ou數shu
，且qie每mei單dan位wei波bo長chang所suo絞jiao合he的de圈quan數shu愈yu多duo

，消xiao除chu耦ou合he的de效xiao果guo愈yu好hao。使shi用yong時shi注zhu意yi雙shuang絞jiao線xian和he同tong軸zhou電dian纜lan兩liang端duan不bu能neng同tong時shi接jie地di，隻zhi能neng單dan端duan接jie地di，而er對dui屏ping蔽bi線xian，屏ping蔽bi層ceng兩liang端duan接jie地di能neng既ji能neng屏ping蔽bi電dian場chang還hai能neng屏ping蔽bi磁ci場chang，單dan端duan接jie地di隻zhi能neng屏ping蔽bi電dian場chang。使shi用yong同tong軸zhou電dian纜lan時shi還hai要yao注zhu意yi，其qi屏ping蔽bi層ceng必bi須xu完wan全quan包bao覆fu信xin號hao線xian接jie地di，即ji接jie頭tou與yu電dian纜lan屏ping蔽bi層ceng必bi須xu3600搭接，才能有效屏蔽電磁場，如圖所示
，信號線裸露部分仍可以與外界形成互容耦合
，降低屏蔽效能。

帶(dai)狀(zhuang)電(dian)纜(lan)適(shi)合(he)於(yu)短(duan)距(ju)離(li)的(de)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)，我(wo)們(men)知(zhi)道(dao)為(wei)了(le)降(jiang)低(di)差(cha)模(mo)信(xin)號(hao)的(de)電(dian)磁(ci)輻(fu)射(she)，必(bi)須(xu)減(jian)小(xiao)信(xin)號(hao)線(xian)和(he)信(xin)號(hao)回(hui)流(liu)線(xian)所(suo)形(xing)成(cheng)的(de)回(hui)路(lu)麵(mian)積(ji)，因(yin)此(ci)在(zai)設(she)計(ji)帶(dai)狀(zhuang)電(dian)纜(lan)布(bu)局(ju)時(shi)，最(zui)好(hao)將(jiang)信(xin)號(hao)線(xian)與(yu)接(jie)地(di)線(xian)間(jian)隔(ge)排(pai)列(lie)。如(ru)圖(tu)所(suo)示(shi)，其(qi)中(zhong)S為信號線，G為信號地線。


10．元器件的選擇

熱傳播的方式有傳導、duiliuhefushe，refusheshiyidiancibodexingshixiangkongzhongchuanbode，rechuandaoyehuixiangzhouweiqitayuanjianchuandaoreliang，zhexiedouhuiyingxiangqitayuanqijianhuodianludezhengchanggongzuo
，yincicongyuanqijianreshejifangmiankaolvyaojinliangliuyoujiaodayuliang，yijiangdiyuanqijiandewenshengjiqijianbiaomiandewendu，chuyuanqijianduiwenshengyouteshuyaoqiuwai
，yibankaiguandianyuanyaoqiuneibuyuanjianwenduxiaoyu90℃，內部環境溫度不超過65℃，以減小熱輻射幹擾。

對數字集成電路，從電磁兼容性角度看應多選用高噪聲容限的CMOS器件代替低噪聲容限的TTL器件。

盡量使用低速
、窄帶元件和電路。

選用分布電感較小的SMP元件，選用高頻特性好
、等效串聯電感低的陶瓷介質電容器
、高頻無感電容器、三端電容器和穿心電容器等作濾波電容。

11.控製電路及PCB的電磁兼容設計

信(xin)號(hao)地(di)是(shi)指(zhi)信(xin)號(hao)電(dian)流(liu)流(liu)回(hui)信(xin)號(hao)源(yuan)的(de)一(yi)條(tiao)低(di)阻(zu)抗(kang)路(lu)徑(jing)。在(zai)設(she)計(ji)中(zhong)往(wang)往(wang)由(you)於(yu)接(jie)地(di)方(fang)法(fa)不(bu)恰(qia)當(dang)而(er)產(chan)生(sheng)地(di)環(huan)路(lu)幹(gan)擾(rao)和(he)公(gong)共(gong)阻(zu)抗(kang)耦(ou)合(he)幹(gan)擾(rao)。因(yin)此(ci)要(yao)合(he)理(li)選(xuan)用(yong)接(jie)地(di)方(fang)式(shi)，接(jie)地(di)的(de)方(fang)式(shi)有(you)單(dan)點(dian)接(jie)地(di)、多點接地和混合接地。

地環路幹擾：常chang發fa生sheng在zai通tong過guo較jiao長chang電dian纜lan連lian接jie，地di相xiang距ju較jiao遠yuan的de設she備bei之zhi間jian。原yuan因yin是shi由you於yu地di環huan路lu電dian流liu的de存cun在zai，使shi兩liang個ge設she備bei的de地di電dian位wei不bu同tong。通tong常chang用yong光guang電dian耦ou合he器qi或huo隔ge離li變bian壓ya器qi進jin行xing“地”隔離，消除地環路幹擾。由於隔離變壓器繞組之間寄生電容較大，即使采取屏蔽措施的隔離變壓器通常也隻用於1MHZ以下的信號隔離
，超過1MHZ時多采用光電耦合器隔離。

公共阻抗耦合：當dang兩liang個ge電dian路lu的de地di電dian流liu流liu過guo一yi個ge公gong共gong阻zu抗kang時shi，就jiu會hui發fa生sheng公gong共gong阻zu抗kang耦ou合he。由you於yu地di線xian是shi信xin號hao回hui流liu線xian
，一yi個ge電dian路lu的de工gong作zuo狀zhuang態tai必bi然ran會hui影ying響xiang地di線xian電dian壓ya，當dang兩liang個ge電dian路lu共gong用yong一yi段duan地di線xian時shi，地di線xian的de電dian壓ya就jiu會hui同tong時shi受shou到dao兩liang個ge電dian路lu工gong作zuo狀zhuang態tai的de影ying響xiang。

可見無論是地環路幹擾還是公共阻抗耦合問題都是由於地線阻抗引起的
，因此在設計時一定要考慮盡量降低地線阻抗與感抗。

如何減小控製電源噪聲：電(dian)源(yuan)線(xian)上(shang)有(you)電(dian)流(liu)突(tu)變(bian)
，就(jiu)會(hui)產(chan)生(sheng)噪(zao)聲(sheng)電(dian)壓(ya)。在(zai)靠(kao)近(jin)芯(xin)片(pian)的(de)位(wei)置(zhi)增(zeng)加(jia)解(jie)耦(ou)電(dian)容(rong)，能(neng)有(you)效(xiao)減(jian)小(xiao)噪(zao)聲(sheng)。如(ru)果(guo)是(shi)高(gao)頻(pin)電(dian)流(liu)負(fu)載(zai)，則(ze)采(cai)用(yong)多(duo)個(ge)同(tong)容(rong)量(liang)的(de)高(gao)頻(pin)電(dian)容(rong)和(he)無(wu)感(gan)電(dian)容(rong)並(bing)聯(lian)能(neng)獲(huo)得(de)更(geng)好(hao)的(de)效(xiao)果(guo)。注(zhu)意(yi)電(dian)容(rong)容(rong)量(liang)並(bing)非(fei)越(yue)大(da)越(yue)好(hao)，主(zhu)要(yao)根(gen)據(ju)其(qi)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)、提供脈衝電流頻率來選擇。

印製板合理的布置地線將能有效的減小印製板的輻射以及提高其抗輻射幹擾能力，請注意

布置地線網絡：在雙麵板的兩麵布置最多的平行地線。

對於一些關鍵信號（如脈衝信號和對外界較敏感的電平信號）的地線的布置必須盡量縮小引線長度，減小信號的回流麵積。如果是雙麵板，地線和信號線可以在印製板兩麵並聯平行走線。

若是多層線路板
，且既有數字地又有模擬地
，則數字地和模擬地必須布置在同一層，減小它們之間的耦合幹擾。

在實際電路中常發生公共阻抗耦合，因此要根據實際情況選擇正確的接地方式。

12.其它方法

12.1.IGBT
，MOSFET等開關元件的驅動脈衝信號增加一個-5V～-10V的負電平，提高驅動信號的抗幹擾能力。或驅動信號采用光纖傳輸技術，光纖適宜於遠距離傳輸，具有抗幹擾能力強的特點。

12.2.tongguoruanjiandebianchengjishu，tigaokaiguandianyuandekangganraonengli
，weilefangzhidianpingxinhaozhongdemaoci，yinqiruanjiandewupanduanjiwudongzuo
，keyitongguoduocicaiyangdengshuzilvbofangfalailvchuganraoxinhao。

五 結語

本文詳細分析了隔離式DC/DCbianhuanqicunzaidedianciganraoyuanjiqichanshengjili，bingxiangxijieshaolezhenduiqizhudianluhekongzhidianludediancijianrongshejifangfa，zhexiefangfaduiqitadianzichanpindediancijianrongshejijuyouyidingdezhidaozuoyong。



【推薦閱讀】

電源工程師必須掌握的開關電源EMI五大抑製策略
(多圖) 汽車電子MCU的抗EMI設計與測試方案
利用磁珠和電感幫你輕鬆化解EMI和EMC問題
出色模擬工程師必備係列(一):電磁幹擾(EMI)
出現EMI問題怎麼辦？四大實用性技巧幫你正確排查