過去幾年，使用電池供電的無繩工具和室外電力設備迅猛發展。推動這種趨勢的關鍵因素之一是使用壽命持久的 10 芯 36 V lilizidianchizudewenshi。zhexiedianchijuyougaonengliangmidu
，feichangshihezhuanyegongju，yeshihechuantongyoushengshebei，shenzhishifadongjiqudongdeshiwaidianlishebei，lirudianjuhegecaoji。danshi，youyunengliangmidushenggao，tamengengjiaxuyaogaoxiaodedianchigeli。

 

為了確保任何大量放電都以受控的方式進行
，直至電池安全隔離和係統關閉電源，我們需要非常穩定的高熱效率 MOSFET。按照標準 MOSFET 電壓額定值
，對於 36 V 電池，設計人員會使用 60 V MOSFET。但是，對於 36 V 的標稱額定值
，使用 50 V 或 55 V 的 MOSFET 比較理想。減小 MOSFET 電壓額定值
，可為優化 SOA
、ID 額定值和雪崩能力提供機會
，從而提高整體安全性和效率。

 

維持安全工作區至關重要

 

出現故障的情況下，當故障導致深度放電時
，由於在高電流下電路電感兩端產生的電壓，電池隔離 MOSFET 通常會進入線性模式。因此
，維持穩定的安全工作區至關重要。Nexperia的 MOSFET 技術提供了出色的安全工作區功能，利用 50/55 V ASFET
，我們優化了 1 ms 至 10 ms的放電性能。例如
，這意味著
，PSMN1R5-50YLH 能夠在 40 V 電壓下處理高達 5 A 的放電，持續 1 ms。

 

優化雪崩能力

 

電池隔離 MOSFET 通常放置在遠離負載的位置，可能遭受非鉗位電感尖峰（UIS）。通過優化VDS電壓（50 V），使其更接近電池電壓（36 V），可幫助將耗散電能減少至少 20%（與 60 VDS 器件相比）

，並且可以避免潛在的故障。鑒於典型應用經常在惡劣環境下運行
，雪崩事件可能很常見。Nexperia（安世半導體）的 PSMN1R5-50YLH 具有 2000 mJ（在 25 A 電流下）的單相雪崩額定值（EAS）
，能夠反複耐受此類事件。

 

擴展已經成熟的產品組合

 

隨著這些專用 50/55 V ASFET 的發布
，Nexperia 成為率先專門針對 36 V 電池係統提供 50 V 額定值 MOSFET 的公司之一。該產品在 SOA

、ID 額e定ding值zhi和he雪xue崩beng能neng力li方fang麵mian進jin行xing了le優you化hua
，同tong時shi保bao持chi良liang好hao的de導dao通tong電dian阻zu，為wei設she計ji人ren員yuan提ti供gong了le非fei常chang穩wen定ding的de電dian池chi隔ge離li解jie決jue方fang案an。它ta提ti供gong業ye界jie領ling先xian的de性xing能neng，直zhi流liu電dian池chi額e定ding值zhi為wei 200 A，計算的矽限製為 312 A，外形尺寸為 5*6 mm
，並基於 Nexperia 的成熟電池隔離 ASFET 產品組合構建。

 

 

 

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