VFCD1505:Vishay增強版表麵貼裝倒裝芯片分壓器
發布時間:2009-03-10
產品特性:
VFCD1505 可在同時蝕刻在公共襯底上的一塊箔上的兩個電阻間提供 ±0.01%(可低至 ±0.005 %)的嚴格容差匹配及 0.1 ppm/°C 的 TCR 跟蹤。對設計人員而言,該一體化結構的電氣特性可改進性能,並實現比分離電阻和配對設計更高的構建利用率。
VFCD1505 的(de)倒(dao)裝(zhuang)芯(xin)片(pian)接(jie)頭(tou)采(cai)用(yong)卷(juan)繞(rao)方(fang)式(shi),接(jie)頭(tou)片(pian)位(wei)於(yu)電(dian)阻(zu)下(xia)方(fang)而(er)不(bu)是(shi)側(ce)麵(mian),因(yin)此(ci)可(ke)最(zui)大(da)限(xian)度(du)地(di)減(jian)少(shao)所(suo)需(xu)的(de)電(dian)路(lu)板(ban)空(kong)間(jian)。在(zai)由(you)兩(liang)個(ge)電(dian)阻(zu)和(he)三(san)個(ge)接(jie)頭(tou)組(zu)成(cheng)的(de)分(fen)壓(ya)器(qi)中(zhong),倒(dao)裝(zhuang)芯(xin)片(pian)分(fen)壓(ya)器(qi)在(zai)電(dian)阻(zu)下(xia)方(fang)配(pei)置(zhi)三(san)個(ge)墊(dian)片(pian),而(er)不(bu)是(shi)在(zai)側(ce)麵(mian)配(pei)置(zhi)四(si)個(ge)墊(dian)片(pian)。倒(dao)裝(zhuang)芯(xin)片(pian)早(zao)期(qi)的(de)缺(que)點(dian)被(bei)認(ren)為(wei)是(shi)防(fang)礙(ai)檢(jian)查(zha)焊(han)流(liu),但(dan)這(zhe)一(yi)缺(que)點(dian)後(hou)來(lai)通(tong)過(guo)采(cai)用(yong) X 光和其他更先進的技術而得以克服。
VFCD1505 具有最強的靜電放電抗擾能力,可承受高達 25kV 的靜電放電,從而提高了產品的可靠性。在 1 kΩ 至 10 kΩ 的電阻範圍內,分壓器兩麵均可實現規定的電阻值。與所有 Vishay 箔電阻一樣,VFCD1505 不受標準值限製,可提供“所要求”的電阻值(如 7 kΩ 及 7.6543 kΩ),且不會增加成本或供貨時間。
該器件的應用包括高精度儀器放大器、橋接網絡、差分放大器及電橋電路中的比例臂,以生產具有超高穩定性和可靠性的產品,例如醫療、測試及軍用設備等。可根據 EEE-INST-002 標準進行篩選 (MIL-PRF 55342)。
VFCD1505 可在溫度為 70°C 時,連續 2000 個小時保持 ±0.005% 的負載壽命穩定率;0.1W 的額定功率(由兩個電阻按其電阻值比例分攤);小於 0.1PPM/V 的低電壓係數;小於 -40 dB的電流噪聲;及 0.05uV/°C 的熱 EMF。該器件具有 1.0 納秒的無振鈴快速響應時間,並且采用無電感 (<0.08uH) 和無電容設計。
即使具有較低的 TCR 跟蹤,電阻比率也可能會根據絕對 TCR 發生極大變化。為了確保良好的電阻比率穩定性,設計人員應利用絕對 TCR 盡可能低的電阻,如 VFCD1505,該器件采用 Vishay 的突破性“Z 箔”技術製成,極大地降低了電阻元件對外加功率變化的敏感性。
在其他技術中,如薄膜與厚膜,即使電阻比率為 1:1,在相同功率負載條件下,電阻對之間仍有溫差。這是由於各電阻因設計及/或製造容差產生的自身散熱,及因封裝內熱阻差異產生的傳熱不對稱所致,即使外加功率極小(接近零)也不例外。
目前,VFCD1505 分壓器可提供樣品,並已實現量產,樣品供貨周期為 72 小時,而標準訂單的供貨周期為 3 周。
±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對TCR- 最高可提供±0.01%的嚴格容差匹配及0.1 ppm/°C 的TCR
- 倒裝芯片接頭采用卷繞方式,可減少所需的電路板空間
- 可承受高達 25kV 的靜電放電
- 電阻範圍: 1 kΩ 至 10 kΩ
- 2000 個小時保持 ±0.005% 的負載壽命穩定率
- 高精度儀器放大器、橋接網絡、差分放大器及電橋電路
- 醫療、測試及軍用設備等
VFCD1505 可在同時蝕刻在公共襯底上的一塊箔上的兩個電阻間提供 ±0.01%(可低至 ±0.005 %)的嚴格容差匹配及 0.1 ppm/°C 的 TCR 跟蹤。對設計人員而言,該一體化結構的電氣特性可改進性能,並實現比分離電阻和配對設計更高的構建利用率。
VFCD1505 的(de)倒(dao)裝(zhuang)芯(xin)片(pian)接(jie)頭(tou)采(cai)用(yong)卷(juan)繞(rao)方(fang)式(shi),接(jie)頭(tou)片(pian)位(wei)於(yu)電(dian)阻(zu)下(xia)方(fang)而(er)不(bu)是(shi)側(ce)麵(mian),因(yin)此(ci)可(ke)最(zui)大(da)限(xian)度(du)地(di)減(jian)少(shao)所(suo)需(xu)的(de)電(dian)路(lu)板(ban)空(kong)間(jian)。在(zai)由(you)兩(liang)個(ge)電(dian)阻(zu)和(he)三(san)個(ge)接(jie)頭(tou)組(zu)成(cheng)的(de)分(fen)壓(ya)器(qi)中(zhong),倒(dao)裝(zhuang)芯(xin)片(pian)分(fen)壓(ya)器(qi)在(zai)電(dian)阻(zu)下(xia)方(fang)配(pei)置(zhi)三(san)個(ge)墊(dian)片(pian),而(er)不(bu)是(shi)在(zai)側(ce)麵(mian)配(pei)置(zhi)四(si)個(ge)墊(dian)片(pian)。倒(dao)裝(zhuang)芯(xin)片(pian)早(zao)期(qi)的(de)缺(que)點(dian)被(bei)認(ren)為(wei)是(shi)防(fang)礙(ai)檢(jian)查(zha)焊(han)流(liu),但(dan)這(zhe)一(yi)缺(que)點(dian)後(hou)來(lai)通(tong)過(guo)采(cai)用(yong) X 光和其他更先進的技術而得以克服。
VFCD1505 具有最強的靜電放電抗擾能力,可承受高達 25kV 的靜電放電,從而提高了產品的可靠性。在 1 kΩ 至 10 kΩ 的電阻範圍內,分壓器兩麵均可實現規定的電阻值。與所有 Vishay 箔電阻一樣,VFCD1505 不受標準值限製,可提供“所要求”的電阻值(如 7 kΩ 及 7.6543 kΩ),且不會增加成本或供貨時間。
該器件的應用包括高精度儀器放大器、橋接網絡、差分放大器及電橋電路中的比例臂,以生產具有超高穩定性和可靠性的產品,例如醫療、測試及軍用設備等。可根據 EEE-INST-002 標準進行篩選 (MIL-PRF 55342)。
VFCD1505 可在溫度為 70°C 時,連續 2000 個小時保持 ±0.005% 的負載壽命穩定率;0.1W 的額定功率(由兩個電阻按其電阻值比例分攤);小於 0.1PPM/V 的低電壓係數;小於 -40 dB的電流噪聲;及 0.05uV/°C 的熱 EMF。該器件具有 1.0 納秒的無振鈴快速響應時間,並且采用無電感 (<0.08uH) 和無電容設計。
即使具有較低的 TCR 跟蹤,電阻比率也可能會根據絕對 TCR 發生極大變化。為了確保良好的電阻比率穩定性,設計人員應利用絕對 TCR 盡可能低的電阻,如 VFCD1505,該器件采用 Vishay 的突破性“Z 箔”技術製成,極大地降低了電阻元件對外加功率變化的敏感性。
在其他技術中,如薄膜與厚膜,即使電阻比率為 1:1,在相同功率負載條件下,電阻對之間仍有溫差。這是由於各電阻因設計及/或製造容差產生的自身散熱,及因封裝內熱阻差異產生的傳熱不對稱所致,即使外加功率極小(接近零)也不例外。
目前,VFCD1505 分壓器可提供樣品,並已實現量產,樣品供貨周期為 72 小時,而標準訂單的供貨周期為 3 周。
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