產品特征：

• 運行頻率為920 至960 MHz
  ，提供17.8 W 的平均RF功率輸出
  ，效率高達42.5%
• 誤差矢量幅度的均方根值不超過2.1%
• 增強型的內部阻抗匹配能使製造商更輕鬆地適應印刷電路板的變化

適用範圍：

• 基站收發器、GSM EDGE無線網絡

隨著基於LDMOS（laterally-diffused metal oxide semiconductor
，橫向擴散金屬氧化物半導體）技術的三個高性能RF功率晶體管的推出
，飛思卡爾半導體擴展了它在GSM EDGE無線網絡方麵的投入。這些器件結合了增強功能
，使它們輕鬆集成到放大器內，同時可提供卓越的性能水平。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經理Gavin Woods 表示："隨著行業向第三和第四代無線業務不斷邁進,GSM無疑是部署最為廣泛的無線技術。飛思卡爾最新的RF功率晶體管的設計旨在通過提高基站收發器的效率，幫助全球的GSM運營商提高來自每個用戶的平均收入。"

MRFE6S9046N（920 至 960 MHz）對於GSM EDGE的應用，MRFE6S9046N 的運行頻率為920 至960 MHz，提供17.8 W 的平均RF功率輸出，19 dB 的增益，效率高達42.5%，且誤差矢量幅度的均方根（RMS）值不超過2.1%。它ta內nei置zhi在zai飛fei思si卡ka爾er超chao模mo壓ya塑su膠jiao封feng裝zhuang中zhong，該gai封feng裝zhuang是shi精jing確que機ji械xie公gong差cha和he成cheng本ben效xiao率lv的de結jie合he。此ci外wai
，該gai封feng裝zhuang是shi表biao麵mian安an裝zhuang的de，這zhe使shi它ta能neng夠gou支zhi持chi自zi動dong化hua的de製zhi造zao流liu程cheng。而er且qie
，增zeng強qiang型xing的de內nei部bu阻zu抗kang匹pi配pei能neng使shi製zhi造zao商shang更geng輕qing鬆song地di適shi應ying印yin刷shua電dian路lu板ban的de變bian化hua。內nei部bu輸shu出chu匹pi配pei不bu僅jin在zai基ji本ben頻pin率lv上shang實shi現xian了le用yong戶hu友you好hao的de終zhong端duan阻zu抗kang，而er且qie還hai包bao括kuo賴lai以yi實shi現xian更geng高gao效xiao率lv的de第di二er和he第di三san個ge諧xie波bo終zhong端duan
，以yi符fu合he F 級放大器的理論。

MRF8S9100H/HS（920 至 960 MHz) 與 MRF8S18120H/HS（1805 至 1880 MHz）這些 28 V 的器件專為 GSM 與 EDGE 係統中的 AB 級與 C 級的操作而設計。在 GSM EDGE 業務中，MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 運行時提供 45 W的平均功率
，19.1 dB 的增益，44%的效率以及均方根（RMS）值為2.0%的誤差矢量幅度（EVM）。

在 GSM EDGE 業務中
，MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 運行時提供 46 W的平均功率，18.2 dB 的增益
，42%的效率以及均方根（EVM）值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 內置在結實的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS 還能夠在 GSM 800 頻段中操作
，而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 頻段中的操作。所有這三個器件都是內部匹配的
，以簡化電路設計
，符合 RoHS規範
，並且還包含內部 ESD 保護電路。

定價和供貨情況
MRFE6S9046N 現已成批生產，而且也可提供樣品。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 現在也處於樣品性能試驗階段
，預計2009年7月全麵投入生產。參考測試設備將與預期於2009年7月生產的大型信號模型一起提供。