產品特性：

• 采用TSON先進封裝
• 額定電流範圍為13A~26A
• RDS為4.3~12.2milliohms (mΩ)
• 輸入電容從990~2200 picofarads (pF)
• 反向傳輸電容(Crss)從54~140pF

應用範圍：

• 同步DC-DC轉換器，如移動和台式電腦，服務器
  ，遊戲機和其它電子器件
• 移動和台式電腦，服務器，遊戲機和其它電子器件

Toshiba美國電子元器件公司（TAEC）推出6器件采用TSON先進封裝的30V MOSFET係列。這些新器件用於同步DC-DC轉換器中
，如移動和台式電腦，服務器
，遊戲機和其它電子器件中，移動和台式電腦
，服務器，遊戲機和其它電子器件。由Toshiba開發的器件采用第五和第六代UMOS V-H和UMOS VI-H工藝技術，通過低柵極電荷(QSW)實現低側MOSFET的低導通電阻和高側MOSFET的快速轉換速度。薄型，緊湊型
，3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON先進封裝相比於廣泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封裝

，降低了64%的貼裝麵積要求
，同時具有同等功耗1.9W。

新的產品係列包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD
，MOSFET和he肖xiao特te基ji二er極ji管guan融rong合he在zai一yi個ge單dan一yi芯xin片pian上shang，提ti供gong了le低di電dian感gan結jie構gou，從cong而er提ti高gao功gong效xiao。此ci產chan品pin係xi列lie提ti供gong了le一yi係xi列lie特te性xing使shi設she計ji者zhe符fu合he各ge種zhong係xi統tong要yao求qiu。額e定ding電dian流liu範fan圍wei為wei13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2milliohms (mΩ)

，輸入電容從990~2200 picofarads (pF) (典型值)，反向傳輸電容(Crss)從54~140pF(典型值)。