產品特性：

• 采用了IR最新一代MOSFET矽技術
• IRF6798MPbF的中罐DirectFET封裝提供低於1毫歐的導通電阻
• IRF6706S2PbF小罐DirectFET也具備低電荷和低導通電阻

應用範圍：

• 服務器、台式電腦和筆記本電腦

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、台式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。

IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 矽技術
，還具有業界領先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開關應用而優化的解決方案。

IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“IR 通過改善關鍵參數不斷提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導通電阻 (RDS(on)) 與業界最低的柵極電阻 (Rg) 相結合，使傳統上由典型同步降壓轉換器的同步和控製接口產生的傳導損耗和開關損耗降到了最低。”

IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低於1 m? 的de導dao通tong電dian阻zu
，使shi整zheng個ge負fu載zai範fan圍wei可ke保bao持chi極ji高gao的de效xiao率lv。新xin器qi件jian配pei有you單dan片pian集ji成cheng式shi肖xiao特te基ji二er極ji管guan

，能neng夠gou減jian少shao與yu體ti二er極ji管guan傳chuan導dao相xiang關guan的de損sun耗hao

，並bing能neng實shi現xian反fan向xiang恢hui複fu損sun耗hao，進jin一yi步bu提ti高gao解jie決jue方fang案an的de整zheng體ti性xing能neng。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 m? 的極低柵極電阻
，避免了與 Cdv/dt 相關的擊穿。

IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導通電阻，可減少開關損耗及傳導損耗，還可為快速開關提供極低的柵極電阻。

產品基本規格