機遇與挑戰：

• 氮化镓將逐漸替代以往的晶體管技術以及某些特定應用中的真空管
• 氮化镓晶體管技術最有可能的長期客戶是國防市場和衛星通信市場

市場數據：

• 預計國防市場的價值將2012年達到4000萬美元
• 衛星通信市場的估值在100萬美元

氮化镓並非革命性的晶體管技術，這種新興技術逐漸用於替代橫向擴散金屬氧化物矽半導體（Si LDMOS）和砷化镓（GaAs）晶體管技術以及某些特定應用中的真空管。

與現有技術相比
，氮化镓（GaN）的優勢在於更高的漏極效率、更大的帶寬
、更高的擊穿電壓和更高的結溫操作
，這些特點經常作為推動其批量生產的重要因素，但在價格
、可用性和器件成熟度方麵還需加以綜合考量。

氮化镓（GaN）適合的應用有：

1. 無線通信應用
　　• LTE（長期演進，0.7到2.6GHz）
　　• 3G BTS [基站] (0.8到2.7GHz)
　　• Wi-MAX (2.3 to 5GHz)
2. 國防應用
　　• 雷達
　　• 電子對抗
3. 數據廣播應用
　　• 有線電視（CATV）（小於1GHz）
　　• 衛星通信（13GHz到14GHz）
　　• 甚小孔徑終端（VSAT）（12GHz到40GHz）

氮化镓（GaN）器件市場預計在2007年會到達1600萬美元，其中的70%用於研發項目和技術評估。國防項目占其市場總額的11%，這在很大程度上歸因於美國國防部（DOD）或者美國國防部高級研究計劃局（DARPA）的合同，以及歐洲航天局（ESA）的研發合同。整體市場有望在2008年翻一番。

樂觀人士預計，到2012年，這一市場將增至1.7億美元，主要因為：

• 氮化镓（GaN）全麵進入3G基站市場

，取代橫向擴散金屬氧化物矽半導體（Si LDMOS）。
• 國防市場保持熱度並繼續為新的氮化镓（GaN）研發項目提供資金
• Wi-MAX產業廣泛采用氮化镓（GaN）技術，隨著2010年LTE網絡推出
，這一情況進一步加強。

這種預測基於一個錯誤的假設，即橫向擴散金屬氧化物矽半導體（Si LDMOS）和砷化镓（GaAs）技術的發展停滯不前。在民用市場
，橫向擴散金屬氧化物矽半導體（Si LDMOS）在價格和性能上可能會對氮化镓（GaN）造成強有力的挑戰，例如LTE和CATV市場
，如果Wi-MAX繼續限定在3.5GHz子頻譜上，那麼氮化镓（GaN）在Wi-MAX市場前景黯淡。對於甚小孔徑終端（VSAT）應用，砷化镓（GaAs）在價格和性能上可能會對氮化镓（GaN）造成強有力的挑戰。這些因素相結合
，可能令2012年氮化镓（GaN）市場的樂觀預計下降達50%。

氮化镓（GaN）晶(jing)體(ti)管(guan)技(ji)術(shu)最(zui)有(you)可(ke)能(neng)的(de)長(chang)期(qi)客(ke)戶(hu)是(shi)國(guo)防(fang)市(shi)場(chang)和(he)衛(wei)星(xing)通(tong)信(xin)市(shi)場(chang)。這(zhe)兩(liang)個(ge)市(shi)場(chang)目(mu)前(qian)正(zheng)在(zai)全(quan)球(qiu)資(zi)助(zhu)研(yan)發(fa)項(xiang)目(mu)
，並(bing)且(qie)願(yuan)意(yi)支(zhi)付(fu)額(e)外(wai)經(jing)費(fei)
，確(que)保(bao)氮(dan)化(hua)镓(jia)（GaN）擁有更成熟的半導體技術
，從而獲得可靠的益處。預計國防市場的價值將2012年達到4000萬美元，而衛星通信市場的估值在100萬美元。

公布的氮化镓（GaN）器件性能

在MTT-S國際微波研討會(IMS 2008)上，許多公司都宣布經過證實的性能記錄，作為當今器件基準：

這些記錄是：

1. RFMD推出了400W、2.9到3.5GHz的氮化镓（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），用於雷達係統中的批量發射機。該公司宣稱其在200C結溫下的可靠性為1E6小時，特別適合用於替換行波管的固態設計。

2. 東芝推出了一係列50W X頻帶窄帶器件
，其工作頻率在8到12GHz的頻帶範圍內。東芝還推出了用於衛星通信的50W Ku頻帶器件
，采用14.0GHz到14.5GHz 的頻帶。東芝宣稱其2010年產品研發路線圖包括推出一個150W C頻帶器件，一個100W X頻帶器件，一個100W Ku頻帶器件和一個10W Ka頻帶器件（18到 42GHz）。

3. 鬆下宣布針對未來毫米波通信係統的接收機開發氮化镓（GaN）集成電路（IC）。已經開發出的放大器IC可在26GHz頻率下達到22dB的增益，在如此之高的頻率上
，這個增益值創造了氮化镓（GaN）類IC的世界記錄。

4. CREE公司宣稱實現了最高的漏極效率，即在500MHz到2.5GHz範圍內對於90W的器件漏極效率可達55%。

來自CREE
、Nitronex、RFMD和Eudyna這些關鍵廠商的現成商業器件性能可靠，並且針對低頻（小於6GHz）的國防應用或窄帶無線通信應用經過優化。有了適當的結合技術，例如MILMEGA公司使用的技術，它們展現出將來有能力在X頻帶和Ku頻帶建設高功率固態發射機結構，類似於目前在L、S和C頻帶。