產品特性：

• 改善了電流處理能力
• 提供廣泛的導通電阻選擇
• 可以簡化電路設計
• 達到第一級潮濕敏感度標準

應用範圍：

• 電池充電和放電開關
• 直流應用的係統/負載開關

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新係列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET矽組件
，適用於電池充電和放電開關

，以及直流應用的係統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59 mΩ
，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為係統/負載開關應用非常理想的解決方案。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“相比上一代產品，這個新型SO-8 P 溝道 MOSFET係列顯著改善了電流處理能力
，更為客戶提供廣泛的導通電阻選擇，以適應他們對溫度和成本的要求。同時，P 溝道技術也可以簡化電路設計。”

P 溝道 MOSFET器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 標準，所采用的材料不含鉛
，且符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS)。

 

新器件現已接受訂單，數據和應用說明已刊登於 IR 的網站 http://www.irf.com。