產品特性：

• 製作電極時使用了SWCNT油墨
• 減輕特性滯後現象
• 源極與漏極間電壓降低到-1V

應用範圍:

• 適用於液晶顯示

日本早稻田大學製作出了在所有工序中都采用噴墨技術、活性層使用單層納米管(SWCNT)的TFT。這一成果已在2010年9月14日於長崎大學舉行的第71屆日本應用物理學會學術演講會上發布(演講序號：14a-B-4)。相關論文也已發表在學術雜誌上。

開發出這種SWCNT-TFT的是早稻田大學理工學院先進理工學係副教授竹延大誌，以及山形大學助教衝本治哉等。這種TFT是將SWCNT溶入N,N-二甲基對甲苯胺(DMT)等(deng)溶(rong)劑(ji)中(zhong)，采(cai)用(yong)噴(pen)墨(mo)技(ji)術(shu)使(shi)其(qi)分(fen)布(bu)在(zai)底(di)板(ban)上(shang)製(zhi)成(cheng)的(de)。據(ju)早(zao)稻(dao)田(tian)大(da)學(xue)介(jie)紹(shao)，底(di)板(ban)除(chu)了(le)矽(gui)底(di)板(ban)之(zhi)外(wai)，還(hai)采(cai)用(yong)了(le)透(tou)明(ming)的(de)柔(rou)性(xing)底(di)板(ban)。使(shi)用(yong)矽(gui)底(di)板(ban)試(shi)製(zhi)時(shi)，獲(huo)得(de)了(le)載(zai)流(liu)子(zi)遷(qian)移(yi)率(lv)為(wei)2cm2/Vs、導通/截止比為105的特性。

這些數值與NEC等采用噴墨技術製作的CNT晶體管差別不大。

此次的成果有以下兩個特點：(1)除了TFT的半導體層之外
，製作電極時也使用了SWCNT油墨；(2)通過在柵極絕緣膜中使用離子液體，大幅減輕了以往存在的特性滯後(Hysteresis)現象
，同時將源極與漏極間電壓(VSD)降低到了-1V,僅為原來的1/50~1/100。

TFT的電極材料一般使用金屬。而此次開發的材料隻要不進行特殊的區分處理，顯示出半導體特性的SWCNT和顯示出金屬特性的SWCNT就會混合在一起。此次，竹延等人通過設定不同的油墨滴落次數
，對兩種特性進行了區分。當滴落次數增加
，SWCNT濃度隨之增加時，材料中具有金屬特性的SWCNT便會相互連接在一起
，整體就會變成金屬；當濃度較低時，所有SWCNT都不會相連
，因此整體上就會變成半導體。據早稻田大學介紹，滴落次數低於兩次時基本上為半導體。

據早稻田大學介紹，此次之所以能夠在柵極絕緣膜中使用離子液體來減輕特性滯後現象和VSD,是因為TFT可像由電極和“溶劑”組成的微小雙電層電容器一樣發揮功能
，載流子移動自由度提高，而且與VSD起到互補作用的“靜電容量”大幅増加。

不過，離子液體此前一般存在難以揮發
、容易從元件中流出的問題。竹延表示，為了解決這一問題，最近采用了幹燥後會變成凝膠的材料，並獲得了良好效果。