產品特性：

• 在2mm x 2mm占位麵積內及4.5V電壓下提供54mΩ超低導通電阻

應用範圍：

• DC-DC轉換器、智能手機
  、MP3播放器
• 平板電腦和電子書等手持設備

第三代TrenchFET®功率MOSFET日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布
，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位麵積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝
，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。

新的SiA923EDJ可用於DC-DC轉換器，以及智能手機、MP3播放器、平板電腦和電子書等手持設備中的充電和負載開關。更低的MOSFET導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在這些設備中節省電能並延長兩次充電之間的電池壽命。

SiA923EDJ在4.5V
、2.5V、1.8V和1.5V時分別具有54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的超低導通電阻。具有8V柵源電壓等級且性能最接近的P溝道器件在4.5V
、2.5V
、1.8V和1.5 V時的導通電阻為60mΩ
、80mΩ、110mΩ和170mΩ，分別比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。

MOSFET在1.5V電dian壓ya下xia就jiu能neng導dao通tong，因yin而er能neng夠gou配pei合he手shou持chi設she備bei中zhong常chang用yong的de電dian壓ya更geng低di的de柵zha極ji驅qu動dong器qi和he更geng低di的de總zong線xian電dian壓ya一yi起qi工gong作zuo，不bu需xu要yao在zai電dian平ping轉zhuan換huan電dian路lu上shang浪lang費fei空kong間jian和he成cheng本ben。SiA923EDJ的低導通電阻使其在峰值電流下的電壓降更小，能夠更好地防止有害的欠壓鎖定事件。緊湊的2mmx 2mm PowerPAK SC-70封裝隻有TSOP-6的一半大小，而導通電阻則相近或更佳，並且在相同環境條件下的散熱多65%。

SiA923EDJ經過了100%的Rg測試
，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規範及RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護達2500V。

SiA923EDJ與此前發布的具有12V最大柵源電壓等級的20V SiA921EDJ P溝道MOSFET互為補充。隨著SiA923EDJ的發布，設計者現在可以從具有更高柵極驅動電壓的SiA921EDJ或具有更低閾值電壓及更低導通電阻的器件當中選擇合適的產品。