SiR640DP/SiR662DP的產品特性：

• 采用PowerPAK SO-8封裝
• 具有40V和60V工作電壓

SiR640DP/SiR662DP的應用範圍：

• 通信電源
• 工業自動化和專業遊戲機
• 不間斷電源(UPS)和消費類應用

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布
，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝
，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積

，即優值係數。

40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最接近的競爭MOSFET低4%，而4.5V下的FOM則低15.5%。

60V SiR662DP在10V和4.5V下的導通電阻分別為2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的導通電阻分別比最接近的同檔次MOSFET分別低3.5%和27%
，在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。在器件的整個工作範圍內，低導通電阻和低FOM將能夠減少開關損耗。

兩liang款kuan器qi件jian在zai製zhi造zao過guo程cheng中zhong采cai用yong了le一yi種zhong新xin的de矽gui技ji術shu，該gai技ji術shu使shi用yong了le優you化hua的de溝gou槽cao密mi度du和he特te殊shu的de柵zha極ji結jie構gou。對dui於yu設she計ji者zhe來lai說shuo

，更geng低di的de導dao通tong電dian阻zu意yi味wei著zhe更geng低di的de傳chuan導dao損sun耗hao
，從cong而er降jiang低di功gong耗hao，尤you其qi是shi在zai重zhong載zai的de情qing況kuang下xia。器qi件jian的de低diFOMnenggoujiangdigaopinhekaiguanyingyongzhongdekaiguansunhao
，tebieshizaiqingfuzaihedaijimoshixia。qijiandegaopinlvshishejizhenenggouzengjiaqixitongdegonglvmidu，huoshitongshishixiangengdidegonglvsunhaohegenglvsedeyingyongfangan。

SiR662DP和SiR640DP適用於DC/DC和AC/DC轉換器中的次級側同步整流、DC/DC轉換器中的初級側開關、負載點模塊、電機驅動、橋式逆變器和替代機械式繼電器的應用。典型終端產品包括通信電源、工業自動化和專業遊戲機

、不間斷電源(UPS)和消費類應用。

MOSFET的電壓等級為4.5V，使許多設計者能夠在其係統中使用現有的給數字邏輯電路供電的5V電源軌，無需再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。4.5V電壓等級還能夠大幅降低柵極驅動的損耗，同時還能夠使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。

兩款芯片均經過了100%的Rg和UIS測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR662DP和SiR640DP現可提供樣品，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。