2011中國(西安)電子展即將開展 眾廠商將亮相
發布時間:2011-08-21
2011中國(西安)電子展即將開展 眾廠商將亮相
碳化矽肖特基二極管thinQ!TM,是采用新TO-247HC(長爬電距離)封裝的1200V碳化矽器件。這種新的封裝方式完全兼容行業標準TO-247,因yin而er可ke輕qing鬆song用yong於yu現xian有you設she計ji,而er無wu需xu付fu出chu額e外wai努nu力li。更geng長chang的de爬pa電dian距ju離li可ke提ti高gao係xi統tong安an全quan性xing,有you效xiao防fang止zhi由you於yu係xi統tong內nei部bu灰hui塵chen或huo汙wu垢gou導dao致zhi的de短duan路lu,特te別bie是shi針zhen對dui電dian弧hu,這zhe樣yang無wu需xu使shi用yong額e外wai的de化hua學xue(矽膠或矽霜)或機械(護套或箔)手段來避免封裝引線之間存的在任何汙染,從而充分發揮快速的精益生產工藝的所有優勢。產品應用於太陽能係統、UPS、SMPS和電機逆變器等領域。
英飛淩素以提供適用於汽車(AEC Q101)的優質小信號MOSFET聞名於世。現在,其新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族,進一步豐富了這個產品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件,具備出色的單位麵積RDSon,並且具有很低的Qg,可以實現更好的輕載效率。該產品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝,特別適於強調節省空間、降低功耗的應用,可在電動汽車、混合動力汽車和外充電式混合動力汽車的電池能量控製模塊(BECM)中發揮平衡作用。
英飛淩(Infineon)將攜集成快速體二極管650V CoolMOSTMCFD2、中壓係列OptiMOSTM、碳化矽肖特基二極管thinQ!TM和60V邏輯電平OptiMOS“606”係列小信號MOSFET等多款領先新品亮相今年的中國(西安)電子展。
650V CoolMOSTMCFD2,是全球第一款漏源擊穿電壓為650V並且集成了快速體二極管的高壓晶體管,這個新的CFD2器件延續了600V CFD產品的優點,不僅可以提高能效,而且具備更佳的換流功能,從而降低電磁幹擾(EMI),提升產品的競爭優勢。該產品可將諸如太陽能設備、照明裝置等能效提升至新的高度。
另一款新推出的60V至150V CanPAKTM,進一步完善了OptiMOSTM功率MOSFET產chan品pin陣zhen容rong。利li用yong該gai產chan品pin,電dian源yuan係xi統tong工gong程cheng師shi可ke以yi優you化hua設she計ji,實shi現xian更geng高gao能neng效xiao和he更geng好hao的de散san熱re性xing能neng,同tong時shi最zui大da限xian度du縮suo小xiao占zhan板ban空kong間jian。較jiao之zhi標biao準zhun分fen立li式shi封feng裝zhuang,CanPAKTM金屬“罐”結構有助於實現雙麵散熱,並且幾乎不會產生封裝寄生電感。OptiMOSTM產品可在整個電壓範圍內實現行業最低的RDS(on)和Qg,對於麵向太陽能微型逆變器和太陽能係統中使用的MPP追蹤器等快速開關應用,很低的柵極電荷(Qg)意味著最低的開關損耗。
中國西部擁有極其豐富的太陽能、fengnengyushuinengziyuan,zhewuyijiangcuishengchuquanqiujudadexinnengyuanheqingjienengyuanshichang。lizuyuxibudezhongguodianzizhanjinjinianfenbiezaixianyuchengdoulunliujuban,zhelijiangxinnengyuanyuqingjienengyuandazaoweizhanlandehexinyiti,xiyinlebushaoyouzhiyukaifazhongguoxibuxinnengyuanyuqingjienengyuanshichangdezhimingdianzichangshang。jinniande2011中國(西安)電子展將於8月25~27日在西安曲江國際會展中心舉辦。
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