產品特性：

• 采用TSOP-6封裝
• 具備極低的導通電阻(RDS(on))
• 能夠大幅降低傳導損耗
• 最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等

適用範圍：

• 適用於電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier
，簡稱IR) 推出一係列采用TSOP-6封裝
、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET矽技術的器件，適用於電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。

全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導損耗。新產品可以作為N及P通道配置裏的20V或30V器件，最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET係列，與采用SOT-23和SO-8封feng裝zhuang的de現xian有you器qi件jian相xiang輔fu相xiang成cheng，為wei客ke戶hu設she計ji係xi統tong提ti供gong了le更geng大da的de靈ling活huo性xing。這zhe個ge平ping台tai擁yong有you極ji低di的de導dao通tong電dian阻zu，因yin而er這zhe些xie新xin器qi件jian能neng夠gou取qu代dai封feng裝zhuang尺chi寸cun較jiao大da的deMOSFET，有助於減少電路板麵積和係統成本。”

所有新器件均達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準，並符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS)，不含鉛
、溴化物和鹵素。

產品規格