產品特性：

• 導通電阻僅為150mΩ
• 柵源間電壓為±30V
• 額定漏電流為20A

適用範圍：

• 空調等家電產品

瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5係列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情況下，降低導通電阻的功率MOSFET的元件構造。雖然其他競爭公司已經推出了采用這種構造的功率MOSFET，但據瑞薩電子介紹
，“RJL60S5係列”在600V耐壓產品中實現了業界最小水平的導通電阻。馬達驅動電路和逆變器等采用RJL60S5係列功率MOSFET後，可以降低功耗，該產品主要麵向空調等家電產品。

RJL60S5係列的柵源間電壓為±30V，額定漏電流為20A。漏源間電壓為25V時，反饋電容為13pF（標稱值）。柵源間閾值電壓的最小值為3V

，最大值為5V。內置快恢複二極管（FRD：Fast Recovery Diode），FRD的正向電壓為0.96V。該產品將FRD的反向恢複時間縮短至150ns，約相當於瑞薩原來的SJ型功率MOSFET的約1/3
，因此還可應用於高速馬達驅動用途。

RJL60S5係列備有三種封裝的產品，分別是采用TO-220EP封裝的“RJL60S5DPP”，采用TO-3PSG封裝的“RJL60S5DPK”
，以及采用LDPAK封裝的“RJL60S5DPE”。三款產品的樣品價格均為200日元，將從2012年12月開始量產，量產規模方麵，預定截至2013年3月達到月產50萬個。