安森美半導體(ON Semiconductor)擴充NGBTxx係列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。

這些新器件提升係統總體開關能效，降低功率耗散
，且提升係統可靠性。這些最新IGBT器件增添至安森美半導體現有超過30款的IGBT產品係列中，將產品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。

安森美半導體功率分立產品高級總監兼總經理John Trice說：“quanqiunenghaodedafuzengjiajiduijingjijihuanjingyujidailaidebuliyingxiang，chixutuidongduigenggaoxingnenggonglvfenliyuanqijiandexuqiu。zhexiexinyidaiqijianzaitigonggaoxingjiabijiyejielingxiannengxiaodetongshiwusunqiangguxing。ansenmeibandaotizhuanyoudegoucaoxingchangjiezhijishunengweigongchengshizaiyingyongqidianyuanxitongshejishitigonggengfengfudexuanze。”

第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG
、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這zhe些xie產chan品pin采cai用yong強qiang固gu及ji高gao性xing價jia比bi的de溝gou槽cao型xing技ji術shu結jie構gou，為wei高gao頻pin開kai關guan應ying用yong提ti供gong優you異yi的de性xing能neng。低di開kai關guan損sun耗hao及ji超chao快kuai恢hui複fu二er極ji管guan使shi它ta們men非fei常chang適shi合he於yu高gao頻pin太tai陽yang能neng、UPS及逆變焊機應用。這些器件分別擁有40 A
、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款器件均經過高度優化，用於頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用
，提供低導通電壓(VCEsat)及低門電荷(Qg)特性，並具備超快恢複能力，提供極低開關損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT器件都提供?55 °C至+150 °C的工作結溫。

第二組新器件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT器件陣容，將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性，帶有快速恢複二極管，用於低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用，如電機控製變頻應用。與這兩款器件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG
、NGTB40N120IHLWG
、 NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些器件具有均衡的開關及導電損耗
，用於中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用，如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。

封裝及價格
NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG
、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、 NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及 NGTB20N120IHSWG均采用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00、2.50
、4.00、2.50、 2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。