模擬石墨烯晶體管的產品特性：

• p或n型矽晶體管的放大功能
• 在倍頻模式下具備雙極特性
• 能使模擬功能區塊尺寸與複雜性降低

模擬石墨烯晶體管的應用範圍：

• 相移鍵控與頻移鍵控電路

在所謂的“後矽時代(post-silicon era)”
，采用純碳薄片——也就是石墨烯(graphene)——所製作的晶體管

，為數字電路開啟了一個新典範，但是模擬電路呢？

美國萊斯大學(Rice University)的研究人員最近開發出一種模擬石墨烯晶體管
，不隻具備像是p或n型矽晶體管的放大功能，也發現石墨烯在一種特殊的倍頻 (frequency-multiplication)模式下，可具備雙極(ambipolar)特性。萊斯大學的研究人員並示範了這種三模 (triple-mode)的石墨烯晶體管，能如何用以打造簡易的相移鍵控(phase-shift keying)與頻移鍵控(frequency-shift keying)電路。

矽場效晶體管(FET)是單極(unipolar)的
，因為該類組件隻能使用單個電荷載體，或者是電洞(electrons of holes)——依照該組件是n或pxinglaijueding。zailingyifangmian，yongshimoxizhizuodetanshuangjijingtiguan，nengtongshiliyongdianziyudiandong，qujueyushifoushijiazhengdianyahuoshifudianya。yinciyanjiurenyuanbiaoshi，nengliyongyishangtexingzhizuochuangxinde
、可利用上兩種載體型態進行放大的模擬電路，隻要透過輸入高於或低於閘極偏置電壓(bias voltage)的訊號。

萊lai斯si大da學xue的de研yan究jiu人ren員yuan並bing指zhi出chu，該gai種zhong三san模mo晶jing體ti管guan亦yi能neng用yong以yi製zhi作zuo更geng簡jian易yi的de電dian路lu

，並bing能neng因yin此ci將jiang一yi般ban芯xin片pian中zhong的de模mo擬ni功gong能neng區qu塊kuai尺chi寸cun與yu複fu雜za性xing降jiang低di。為wei了le證zheng實shi以yi上shang概gai念nian，研yan究jiu人ren員yuan製zhi作zuo了le具ju備bei共gong同tong源yuan極ji(common-source)
、共同汲極(common-drain)以及倍頻模式的電路，包括相移鍵控與頻移鍵控的調變 (modulation)架構。