飛兆半導體通過引入100 V BoostPak設備係列優化MOSFET和二極管選擇過程，將MOSFET和二極管集成在一個封裝內
，代替LED 電視/顯示器背光
、LED照明和DC-DC轉換器應用中目前使用的分立式解決方案。

通過將MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內
，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD設備節省了電路板空間，簡化了裝配

，降低了材料清單成本並改進了應用的可靠性。

該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導體 PowerTrench工藝生產
，這一先進工藝專用於最小化導通電阻，同時保持卓越的開關性能。 NP二極管為超快速整流器，帶低正向導通壓降，具有出色的開關性能。 與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進了高溫應用中的係統可靠性。

FDD1600N10ALZD 主要功能：

• RDS(ON) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A
• RDS(ON) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5 V


，ID = 2.1 A
• 低柵極電荷 = 2.78 nC（典型值）
• 低反向電容 (Crss) = 2.04 pF（典型值）

FDD850N10LD 主要功能：

• RDS(ON) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A
• RDS(ON) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V
，ID = 12 A
• 低柵極電荷 = 22.2 nC（典型值）
• 低反向電容 (Crss) = 42 pF（典型值）

主要特點：

• 快速開關
• 100%經過雪崩測試
• 可提高dv/dt處理能力
• 符合 RoHS 標準

供貨信息及報價（訂購1K）

FDD1600N10ALZD的價格為0.49美元，FDD850N10LD的價格為0.57美元，均可按請求提供樣品，收到訂單後 8-12 周內可交貨。

更多詳細信息可參閱：
飛兆100V BOOSTPAK 解決方案:FDD1600N10ALZD 主要參數信息
飛兆100V BOOSTPAK 解決方案:FDD850N10LD主要參數信息

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