①增加發光的大小。單一的LED發光區域和有效地增加流動的電流量，通過均勻分布層TCL，以達到預期的磁通。但是，簡單地增大發光麵積不解決這個問題，散熱問題
，不能達到預期的效果和實際應用中的磁通量。

②矽底板倒裝法。共晶焊料，首先，準備一個大的LED麵板燈芯片
，並準備一個合適的尺寸，在矽襯底和矽襯底，使用金的共晶釺料層和導電層導體(超聲波金絲球窩接頭)，以及使用所述移動設備的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的矽襯底。這樣的結構更加合理，不僅要考慮這個問題，考慮到光與熱的問題，這是主流的大功率LED生產。

Lumileds公司，美國在2001年開發出了不同的倒裝芯片的電源的AlGaInN(FCLED)結構
，製造過程：第一P型氮化镓外延膜沉積在頂部的層厚度超過500A，並返回的反射Niau的歐姆接觸，然後選擇性地蝕刻，使用掩模

，在P型層和多量子阱有源層，露出N型層澱積，蝕刻後形成的N型歐姆接觸層1的1mm×1mm的一側的P型歐姆接觸
，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，芯片尺寸，從而使當前的擴展距離可以縮短，以盡量減少支持和銦镓鋁氮化物擴散阻力的ESD保護二極管(ESD)的矽芯片安裝顛倒焊錫凸塊。

③陶瓷板倒裝法。通用裝置的晶體結構的LED麵板燈芯片的LED芯片的下一個大的，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釺料層和導電層
，在該區域產生的相應的引線，焊接電極中使用水晶LED芯xin片pian和he大da規gui格ge陶tao瓷ci薄bo板ban焊han接jie的de焊han接jie設she備bei。這zhe樣yang的de結jie構gou是shi需xu要yao考kao慮lv的de問wen題ti
，也ye是shi需xu要yao考kao慮lv的de問wen題ti
，光guang，熱re，使shi用yong高gao導dao熱re陶tao瓷ci板ban，陶tao瓷ci板ban

，散san熱re效xiao果guo非fei常chang好hao，價jia格ge也ye比bi較jiao低di，更geng適shi合he為wei當dang前qian的de基ji本ben包bao裝zhuang材cai料liao和he空kong間jian保bao留liu給gei將jiang來lai的de集ji成cheng電dian路lu一yi體ti化hua。

④藍寶石襯底過渡方法。在藍寶石襯底除去後的PN結的製造商，在藍寶石襯底上生長InGaN芯片，然後再連接的傳統的四元材料，製造大型結構的藍色LED芯片的下部電極上，通過常規的方法。

⑤AlGaInN的碳化矽(SiC)背麵光的方法。美國CREE公司是世界上唯一的碳化矽基板的AlGaInN超高亮度LED製造商

，多年來生產的AlGaInN/SICA芯片的架構不斷完善和增加亮度。由於在P型和N型電極分別位於該芯片的頂部和底部

，使用一個單一的引線鍵合，較好的相容性
，易用性，因而成為主流產品的發展AlGaInNLED另一個。

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