產品特點：

• 近紫外LED外部量子效率較高，達到了36%  
• 近紫外LED可實現與熒光燈幾乎相同的色溫

應用範圍：

• 照明

在近日東京的舉辦的“nano tech 2009國際納米技術綜合展”上
，麵向新一代照明用LED，東芝展出了正在開發的近紫外LED。其外部量子效率較高，達到了36%。發光波長為380nm。為了提高發光效率，抑製了GaN結晶的缺陷，提高了平坦性。

該公司對設置在藍寶石底板及GaN結晶之間
、吸收不同晶格常數（lattice constant）的AlN緩衝層進行了改進。采用了在藍寶石底板上製作AlN薄層後
，利用1300℃以上的高溫工藝製成μm單位AlN單結晶的“兩段成長法”。這樣，就能抑製在AlN層上成長的GaN結晶缺陷。另外還采用自主開發的技術解決了由於AlN較厚，與藍寶石底板的熱膨脹係數不同而引發的底板易破碎問題。

據了解，此次的近紫外LED可通過組合使用紅（R）
、綠（G）
、藍（B）熒光體
，實現與熒光燈幾乎相同的2800K色溫、以及平均演色指數（Ra）90以上的照明效果。