中心議題：

• 根據定製條件使用一些工具來實現更精確的熱仿真

解決方案：

• 提出了一種根據器件的頂麵溫度估算MOSFET結點溫度的快速而簡單的方法

通常，MOSFET數shu據ju手shou冊ce中zhong提ti供gong的de結jie點dian溫wen度du數shu據ju隻zhi限xian於yu結jie到dao引yin腳jiao和he結jie到dao環huan境jing之zhi間jian的de熱re阻zu。雖sui然ran可ke根gen據ju定ding製zhi條tiao件jian使shi用yong一yi些xie工gong具ju來lai實shi現xian更geng精jing確que的de熱re仿fang真zhen
，但dan有you時shi隻zhi需xu要yao時shi間jian來lai運yun行xing仿fang真zhen就jiu可ke以yi了le。

 

本文中，我們提出了一種根據器件的頂麵溫度估算MOSFET結點溫度的快速而簡單的方法，這易於利用一台探針台（bench probe）予以確定。為了開發一個利用頂麵溫度計算出結點溫度的公式
，我們利用Vishay Siliconix基於網絡的ThermaSim™ 在不同條件下運行了一組對流行MOSFET封裝類型的實驗。為了得到與數據手冊更好的一致性
，應該在1英寸×1英寸的正方形FR-4板上安裝MOSFET。

 

我們的第一個實驗是在SO-8單片芯壓焊線封裝上進行的。如圖1所示，在功耗為0.5 W時

，Si4800BDY可保持+80.95℃的片芯溫度，頂麵溫度為+77℃。圖2接著顯示了頂麵的溫升和高達1 W的片芯功耗。