產品特點：

• 導通阻抗(RDS(on))低至13mΩ
• 電流能力高達76A
• 經過100%雪崩測試
• 通過AEC-Q101標準認證

應用範圍：

• 工業電機控製
  、電源
  、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器
• 汽車中的直接燃氣噴射(DGI)

安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET係列，新增12款100V器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500mJ的領先雪崩額定值，非常適用於要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。

安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業電機控製、電源

、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件
，符合RoHS指令，關鍵的規範特性包括：

• 導通阻抗(RDS(on))低至13mΩ
• 電流能力高達76A
• 經過100%雪崩測試
• 通過AEC-Q101標準認證

安森美半導體MOSFET產品部副總裁兼總經理Paul Leonard說：“為了應對開關電感型負載時潛在的大電壓尖峰，以及推動更高能效，安森美半導體的N溝道功率MOSFET提供強固及可靠的方案。我們100 V產品係列新增的器件為客戶提供更多的選擇，幫助他們獲得適合他們特定應用的最優器件。”

NTP641x和NTB641x係列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN

、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，采用無鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x係列17到32 A器件包括NTD6414AN
、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，采用無鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些器件的工作溫度範圍為-55°C至+175°C。