中心議題：

• DS3231/DS3232在實時時鍾設計上的優勢

解決方案：

• 可降低係統電流損耗
• 加入了溫度控製寄存器
  ，提高了精度

隨著DS3231超高精度、I²C*兼容的集成RTC/TCXO/晶振的推出,DallasSemiconductor再次刷新了單芯片實時時鍾精度的紀錄。DS3231在整個工業溫度範圍內(-40°C至+85°C)提供±3.5ppm的精度。器件每隔64秒(64s)測量一次溫度，通過調節晶體的負載電容，使其在指定溫度達到0ppm的精度
，最終達到提高時鍾精度的目的。

電流損耗

周期性地測量溫度使得器件在短時間內(最差情況下為200ms)的電流損耗增大。圖1給出了DS3231在最差情況下的電流損耗
，計算中假設電池電壓為3.63V
，I²C兼容接口不工作。


圖1.DS3231在最差情況下的電流損耗

最大平均電流由下式決定：



DS3231數據資料提供的最大平均電流是3.0µA

，這一結果表明，由於溫度檢測使得器件的總電流損耗提高了250%！這一電流增量對於要求延長備用電源(如：鋰電池或超級電容)工作時間的應用很難接受。

降低電流損耗

DS3232/DS3234在用戶可編程寄存器中提供了一個域
，允許用戶延長溫度更新的時間，從而降低平均電流損耗。兩款器件在控製/狀態寄存器中提供C_Rate位，用來設置四種不同的溫度更新周期。寄存器定義如表1所示。




表2列出了DS3232/DS3234溫度更新周期與最差情況下電流損耗的對應值。計算中假設電池電壓為3.63V

，I²C兼容接口不工作。C_Rate位上電時默認為0,對應於64s的溫度更新周期。

通過設置,可以將備用電池的使用壽命延長65%。

精度

在(zai)溫(wen)度(du)變(bian)化(hua)較(jiao)快(kuai)的(de)環(huan)境(jing)下(xia)
，延(yan)長(chang)溫(wen)度(du)更(geng)新(xin)周(zhou)期(qi)會(hui)降(jiang)低(di)時(shi)鍾(zhong)精(jing)度(du)
，但(dan)對(dui)溫(wen)度(du)保(bao)持(chi)穩(wen)定(ding)或(huo)溫(wen)度(du)變(bian)換(huan)緩(huan)慢(man)的(de)工(gong)作(zuo)環(huan)境(jing)，對(dui)時(shi)鍾(zhong)精(jing)度(du)的(de)影(ying)響(xiang)很(hen)小(xiao)。

溫度控製

DS3234加入了溫度控製寄存器，當器件由備用電源供電時可以禁止溫度更新。寄存器中的BB_TD位控製溫度測量禁止。該位上電時的默認值為0，溫度更新功能有效。寄存器定義如表3所示。



該位使能後會降低備用電源的電流損耗

，但是，由於沒有溫度更新，將會降低時鍾精度。

DallasSemiconductor推出的DS3231/DS3232/DS3234集成RTC/TCXO/晶體通過設置溫度更新周期，能夠在保持較高時鍾精度的同時大大降低電流損耗。