產品特性：

• 60V和80V擊穿電壓
• 0.0016Ω通態電阻 (STH260N6F6-2)
• 180A額定電流 (STx260F6N6)
• 100%雪崩測試

應用範圍：

• 太陽能發電應用、電信設備
• 聯網設備以及服務器電源

橫跨多重電子應用領域、全球領先的功率芯片供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）擴大采用第六代STripFET技術的高效功率晶體管的產品係列，為設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。

最新的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET可承受高達80V的電壓，可用於太陽能發電應用（如微型逆變器）、電信設備、聯網設備以及服務器電源。高額定電壓可準許晶體管在48V電dian信xin應ying用yong中zhong穩wen定ding工gong作zuo，高gao能neng效xiao還hai可ke有you效xiao降jiang低di運yun營ying商shang網wang絡luo成cheng本ben。此ci外wai

，這zhe項xiang技ji術shu不bu僅jin可ke降jiang低di消xiao費fei電dian子zi的de電dian源yuan能neng耗hao，在zai可ke使shi其qi在zai更geng低di的de溫wen度du下xia工gong作zuo
，從cong而er提ti高gao用yong戶hu的de使shi用yong體ti驗yan
，並bing延yan長chang電dian池chi壽shou命ming。

首批推出的5款產品分別為60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的STP210N75F6和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由於采用了意法半導體最新的DeepGATE溝道MOSFETjiagou，zhewukuanchanpinyongyouyejietongleichanpinzuididedanweixinpianmianjitongtaidianzu。zhexiedisunhaoqijianxuanzeduozhongweixinggongyebiaozhunfengzhuang
，shikehunenggoutigaoxitongnengxiao，tongshijiangdiyinshuadianlubandechicunhezongtizujianshuliang/成本。

ST第六代功率MOSFET係列最新產品適用於太陽能發電應用、電信設備、聯網設備以及服務器電源

采用TO-220封裝的STP260N6F6
、STP210N75F6與采用H2PAK-2貼裝的STH210N75F6-2

、STH260N6F6-2目前已上市。

采用PowerFLAT 5x6封裝的STL75N8LF6預計於2011年第三季度推出樣片。PowerFLAT封裝可縮減芯片的占板空間
，同時優化輸出電流。