NESG7030M04:瑞薩新款SiGe:C異質接麵晶體管提供高水平噪聲效能
發布時間:2011-10-06 來源:佳工機電網
產品特性:
瑞薩新款SiGe:C異質接麵晶體管NESG7030M04提供高水平噪聲效能高級半導體廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出新款SiGe:C異質接麵晶體管 (SiGe:C HBT)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用於無線局域網絡係統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程采用全新開發的矽鍺:碳(SiGe:C)材料並達到領先業界的低噪聲效能。
新款SiGe:C HBT晶體管可將無線接收到的微弱微波信號放大為適合的水平,以達到0.75 dB的噪聲值,為無線局域網絡及其它應用所使用5.8 GHz頻(pin)段(duan)的(de)業(ye)界(jie)最(zui)高(gao)水(shui)平(ping)。由(you)於(yu)能(neng)夠(gou)以(yi)如(ru)此(ci)低(di)的(de)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)信(xin)號(hao)強(qiang)度(du),因(yin)此(ci)可(ke)提(ti)高(gao)終(zhong)端(duan)產(chan)品(pin)的(de)通(tong)訊(xun)接(jie)收(shou)靈(ling)敏(min)度(du)。由(you)於(yu)它(ta)可(ke)減(jian)少(shao)訊(xun)號(hao)傳(chuan)輸(shu)錯(cuo)誤(wu),因(yin)此(ci)其(qi)運(yun)作(zuo)耗(hao)電(dian)量(liang)可(ke)降(jiang)低(di)至(zhi)具(ju)同(tong)等(deng)效(xiao)能(neng)之(zhi)瑞(rui)薩(sa)電(dian)子(zi)現(xian)有(you)產(chan)品(pin)的(de)四(si)分(fen)之(zhi)一(yi)。 瑞薩電子銷售適用於微波放大器應用的晶體管及IC,為無線局域網絡、消費性家用無線電話、地麵數字電視廣播調整器以及包含GPS功能的設備等提供解決方案,並且在微波應用晶體管領域獲得業界第一的市場占有率(瑞薩電子的估計)。在上述背景之中,瑞薩電子已開發出采用SiGe:C材料的全新製程技術,以響應市場對於更低噪聲的需求,並且為衛星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。以此製程為基礎,瑞薩電子已開發並推出NESG7030M04 SiGe:C HBT裝置,可達到業界最高水平的低噪聲效能,並且在數MHz至14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定效能。
(1) 業界最高水平的5.8 GHz頻段低噪聲效能
利用上述新開發的SiGe:C製程,瑞薩電子5.8 GHz頻段SiGe:C HBT及SiGe HBT裝置可達到業界最低的噪聲值0.75 dB。相較於瑞薩電子先前的SiGe HBT裝置,改善了0.35 dB。另外,此裝置在最小噪聲值條件下可獲得14.0 dB增益。如此可使通訊接收靈敏度提升或使訊號傳輸錯誤減少,而且新裝置能以瑞薩電子先前產品四分之一的耗電量,提供接近的效能。
(2) 更高的耐受電壓可在廣大的頻寬中提供穩定運作
在早期以矽為基礎的異質接麵晶體管中,無法避免藉由降低集極-射極耐受電壓以換得減少噪聲,而這限製了這些裝置可使用的應用範圍。在此新款產品中,瑞薩電子最佳化集極-基極的特征,使其能夠確保4.3 V的耐受電壓等級。如此提高了所使用的電壓供應範圍,並且在數MHz到14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定的運作效能,使此裝置可用於更廣泛的應用範圍。例如,它支持所有ISM頻段應用,包括智能電網、智能電表及家庭局域網絡(HAN)應用。
另外,由於此晶體管是為了微波應用而開發的,因此瑞薩電子提供業界標準的4-pin薄型迷你模型封裝(瑞薩電子封裝名稱:M04封裝)。因yin此ci,此ci產chan品pin有you助zhu於yu減jian少shao使shi用yong者zhe終zhong端duan產chan品pin的de製zhi造zao步bu驟zhou,例li如ru由you於yu現xian有you封feng裝zhuang的de良liang好hao記ji錄lu,可ke簡jian化hua安an裝zhuang評ping估gu程cheng序xu,或huo者zhe使shi用yong現xian有you的de電dian路lu板ban線xian路lu圖tu,僅jin需xu稍shao微wei修xiu改gai周zhou圍wei的de電dian路lu。
在利用上述新製程的優勢,擴充其具有業界最高水平低噪聲效能的雙極晶體管產品線的同時,瑞薩電子亦承諾將此新製程部署至微波IC的開發,並進一步提供此領域的解決方案,以響應市場需求。
- 最高水平的5.8 GHz頻段低噪聲效能
- 更高的耐受電壓
- 可接收到的微弱微波信號
- 在廣大的頻寬中提供穩定運作
瑞薩新款SiGe:C異質接麵晶體管NESG7030M04提供高水平噪聲效能高級半導體廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出新款SiGe:C異質接麵晶體管 (SiGe:C HBT)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用於無線局域網絡係統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程采用全新開發的矽鍺:碳(SiGe:C)材料並達到領先業界的低噪聲效能。
新款SiGe:C HBT晶體管可將無線接收到的微弱微波信號放大為適合的水平,以達到0.75 dB的噪聲值,為無線局域網絡及其它應用所使用5.8 GHz頻(pin)段(duan)的(de)業(ye)界(jie)最(zui)高(gao)水(shui)平(ping)。由(you)於(yu)能(neng)夠(gou)以(yi)如(ru)此(ci)低(di)的(de)噪(zao)聲(sheng)放(fang)大(da)信(xin)號(hao)強(qiang)度(du),因(yin)此(ci)可(ke)提(ti)高(gao)終(zhong)端(duan)產(chan)品(pin)的(de)通(tong)訊(xun)接(jie)收(shou)靈(ling)敏(min)度(du)。由(you)於(yu)它(ta)可(ke)減(jian)少(shao)訊(xun)號(hao)傳(chuan)輸(shu)錯(cuo)誤(wu),因(yin)此(ci)其(qi)運(yun)作(zuo)耗(hao)電(dian)量(liang)可(ke)降(jiang)低(di)至(zhi)具(ju)同(tong)等(deng)效(xiao)能(neng)之(zhi)瑞(rui)薩(sa)電(dian)子(zi)現(xian)有(you)產(chan)品(pin)的(de)四(si)分(fen)之(zhi)一(yi)。 瑞薩電子銷售適用於微波放大器應用的晶體管及IC,為無線局域網絡、消費性家用無線電話、地麵數字電視廣播調整器以及包含GPS功能的設備等提供解決方案,並且在微波應用晶體管領域獲得業界第一的市場占有率(瑞薩電子的估計)。在上述背景之中,瑞薩電子已開發出采用SiGe:C材料的全新製程技術,以響應市場對於更低噪聲的需求,並且為衛星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。以此製程為基礎,瑞薩電子已開發並推出NESG7030M04 SiGe:C HBT裝置,可達到業界最高水平的低噪聲效能,並且在數MHz至14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定效能。
(1) 業界最高水平的5.8 GHz頻段低噪聲效能
利用上述新開發的SiGe:C製程,瑞薩電子5.8 GHz頻段SiGe:C HBT及SiGe HBT裝置可達到業界最低的噪聲值0.75 dB。相較於瑞薩電子先前的SiGe HBT裝置,改善了0.35 dB。另外,此裝置在最小噪聲值條件下可獲得14.0 dB增益。如此可使通訊接收靈敏度提升或使訊號傳輸錯誤減少,而且新裝置能以瑞薩電子先前產品四分之一的耗電量,提供接近的效能。
(2) 更高的耐受電壓可在廣大的頻寬中提供穩定運作
在早期以矽為基礎的異質接麵晶體管中,無法避免藉由降低集極-射極耐受電壓以換得減少噪聲,而這限製了這些裝置可使用的應用範圍。在此新款產品中,瑞薩電子最佳化集極-基極的特征,使其能夠確保4.3 V的耐受電壓等級。如此提高了所使用的電壓供應範圍,並且在數MHz到14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定的運作效能,使此裝置可用於更廣泛的應用範圍。例如,它支持所有ISM頻段應用,包括智能電網、智能電表及家庭局域網絡(HAN)應用。
另外,由於此晶體管是為了微波應用而開發的,因此瑞薩電子提供業界標準的4-pin薄型迷你模型封裝(瑞薩電子封裝名稱:M04封裝)。因yin此ci,此ci產chan品pin有you助zhu於yu減jian少shao使shi用yong者zhe終zhong端duan產chan品pin的de製zhi造zao步bu驟zhou,例li如ru由you於yu現xian有you封feng裝zhuang的de良liang好hao記ji錄lu,可ke簡jian化hua安an裝zhuang評ping估gu程cheng序xu,或huo者zhe使shi用yong現xian有you的de電dian路lu板ban線xian路lu圖tu,僅jin需xu稍shao微wei修xiu改gai周zhou圍wei的de電dian路lu。
在利用上述新製程的優勢,擴充其具有業界最高水平低噪聲效能的雙極晶體管產品線的同時,瑞薩電子亦承諾將此新製程部署至微波IC的開發,並進一步提供此領域的解決方案,以響應市場需求。
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