產品特性：

• 通過微細化及雜質濃度的優化
• 將導通電阻成功降低了約47％

應用範圍：

• 應用於太陽能發電的功率調節器

日本知名半導體製造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）麵向太陽能發電的功率調節器市場
，開發出實現了業內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。

本產品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝
，於9月中旬開始提供樣品
，並計劃於2011年12月份開始投入量產。

隨sui著zhe節jie能neng趨qu勢shi漸jian行xing漸jian強qiang，作zuo為wei可ke再zai生sheng能neng源yuan的de代dai表biao

，太tai陽yang能neng發fa電dian市shi場chang規gui模mo不bu斷duan擴kuo大da。其qi功gong率lv調tiao節jie器qi領ling域yu，正zheng在zai努nu力li通tong過guo電dian源yuan轉zhuan換huan效xiao率lv的de改gai善shan實shi現xian節jie電dian，因yin此ci對dui實shi現xian更geng低di損sun耗hao的de功gong率lvMOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長方式
，為客戶提供多層縱向pn結的超結結構的功率MOSFET

，持續為高效化作出了貢獻。但是，由於這種方式的製造工序複雜，因此具有難於微細化和提高生產性能的課題。

此次，羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術，通過微細化及雜質濃度的優化，與傳統產品相比

，將導通電阻成功降低了約47％。此產品不僅非常適合低導通電阻容易體現出來的轉換器部分，而且與羅姆製造的快速恢複二極管或SiC肖xiao特te基ji勢shi壘lei二er極ji管guan等deng相xiang組zu合he
，還hai可ke應ying用yong於yu逆ni變bian器qi。由you於yu可ke以yi大da幅fu降jiang低di電dian源yuan轉zhuan換huan時shi的de損sun耗hao，因yin此ci將jiang會hui大da大da有you助zhu於yu提ti高gao太tai陽yang能neng發fa電dian的de效xiao率lv。另ling外wai，為wei了le適shi用yong於yu更geng多duo種zhong類lei的de電dian路lu方fang式shi，羅luo姆mu在zai采cai用yong本ben技ji術shu進jin一yi步bu完wan善shan高gao耐nai壓ya產chan品pin線xian的de同tong時shi，還hai將jiang不bu斷duan擴kuo充chong“PrestoMOS”係列。

羅姆今後也會繼續利用獨創的先進工藝加工技術，不斷推進滿足顧客需求的前瞻性晶體管產品的開發。另外
，本產品預計在10月4日～8日在千葉幕張會展中心舉辦的“CEATEC JAPAN2011”的羅姆展台亮相。屆時歡迎大家光臨羅姆展台。