中心議題：

• 探究采用電子束檢測技術輔助晶體管開發
• 介紹了一種電子束檢測平台 ——eS32

解決方案：

• 在高阻材料中設計了束電流和掃描靈活性選項
• 使用小型25nm像素改進了俘獲能力
• 采用binning算法輔助係統缺陷機理的識別能力

涉足尖端技術研究工作的芯片製造商正在把無數新材料和奇特的器件結構結合起來，用於65nmjigengdijiediandeliangchan。tongshitamenfaxian

，zaizhexieyanjiushangdenulishengchandejieguohaibaokuomuqianbixuzheshoujiejuegeqijiangegecengshangchuxiandeyuelaiyueduodexiweidedianquexianheweixiaowuliquexian。zaicunchuqizhong，kenenghuichuxianduojingguizusaiguandaowentipoly-plug piping problems
，從而引起BPSG（硼磷矽酸鹽玻璃）孔隙問題。在邏輯領域，使用應變矽引起的應變矽位錯可能產生缺陷
，有時這類缺陷直到後道工藝才顯露出來。

這些缺陷的重要性是始料未及的，它們既可能使當前的檢測方法失效，也可能延長檢測時間。雖然有些人嚐試在應變矽上使用NiSi，希望俘獲位錯缺陷，但仍不能對這些位錯進行精確定位
；也不能對缺陷所在的特定結構或方向精確定位。他們隻知道這些缺陷大量存在於早期的工藝中。

KLA-Tencor介紹了一種電子束檢測平台 ——eS32，用於俘獲65和45nm節jie點dian各ge器qi件jian層ceng中zhong影ying響xiang成cheng品pin率lv的de深shen層ceng電dian缺que陷xian和he小xiao物wu理li缺que陷xian。電dian子zi束shu檢jian測ce係xi統tong的de基ji本ben優you勢shi是shi發fa現xian問wen題ti相xiang對dui較jiao早zao。使shi用yong這zhe種zhong方fang法fa可ke以yi發fa現xian位wei錯cuo缺que陷xian，從cong而er采cai用yong應ying變bian工gong程cheng技ji術shu實shi現xian高gao速su器qi件jian
，而er不bu必bi以yi犧xi牲sheng成cheng品pin率lv為wei代dai價jia，同tong時shi在zaiFEOL和BEOL應用中加速係統的檢測和分辨速度
，快速檢測到影響成品率的缺陷。即使NiSi和應變Si的難題得以解決，這些問題在後道工藝中還會再次出現
，因此要求對整條生產線進行監控。新的檢測平台具有這種能力，無論在監控銅BEOL孔隙問題、斷開問題還是細微的短路問題中都是如此。

DRAM廠chang商shang麵mian臨lin著zhe產chan品pin壽shou命ming周zhou期qi縮suo短duan的de問wen題ti，他ta們men必bi須xu在zai不bu斷duan縮suo短duan的de時shi間jian範fan圍wei內nei
，促cu使shi其qi新xin型xing芯xin片pian快kuai速su投tou入ru量liang產chan。當dang他ta們men等deng比bi縮suo小xiao到dao更geng小xiao單dan元yuan時shi
，將jiang麵mian臨lin關guan鍵jian的deFEOL和互連挑戰 ——從檢測高深寬比的通孔和電容
，到處理小物理缺陷對成品率產生的越來越大的影響。DRAM所麵臨的關鍵新型缺陷是在其生產過程中多晶矽阻塞上細微的蝕刻不足問題。需要通過高阻材料 ——非退火多晶矽 ——對這一問題進行檢測。低沉積能、高獲取場以及低束電流增大了對這類缺陷的檢測能力。

對邏輯廠商來說
，關鍵的考慮是漏問題 ——NiSi管道和應變矽位錯。不像檢測銅孔隙問題時是對比非橋接金屬尋找斷開和橋接缺陷(一種相對容易發現的問題)
，這類缺陷是細微的短路問題，要求對結進行控製。平台可以偏置結，並使短路接地
，具有觀察位錯和管道缺陷的能力。

這類缺陷 ——位錯和應變矽，以及管道問題 ——易產生於專用結構中。以位錯為例，注入的局部應力和曲線數量都可能引起某種應力分布，從而對專用電路產生影響。

為wei提ti供gong新xin型xing缺que陷xian的de檢jian測ce能neng力li，平ping台tai具ju有you物wu理li和he電dian壓ya對dui比bi成cheng像xiang靈ling敏min度du能neng力li，從cong而er可ke以yi更geng快kuai地di找zhao到dao問wen題ti產chan生sheng的de根gen源yuan。擴kuo展zhan沉chen積ji能neng的de範fan圍wei，可ke增zeng強qiang細xi微wei蝕shi刻ke不bu足zu接jie觸chu缺que陷xian的de俘fu獲huo能neng力li。另ling外wai，在zai高gao阻zu材cai料liao中zhong設she計ji了le束shu電dian流liu和he掃sao描miao靈ling活huo性xing選xuan項xiang，可ke俘fu獲huo不bu斷duan增zeng多duo的de深shen層ceng細xi微wei短duan路lu缺que陷xian。使shi用yong小xiao型xing25nm像素改進了致密、高深寬比結構中小物理缺陷的俘獲能力，並采用binning算法輔助係統缺陷機理的識別能力。
[page]