產品特性：

• 具有能夠大幅減小設計的外形尺寸
• 具有高功率密度，提供高效率

應用範圍：

• 便攜產品

便(bian)攜(xie)產(chan)品(pin)的(de)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)通(tong)常(chang)在(zai)設(she)計(ji)的(de)每(mei)個(ge)階(jie)段(duan)都(dou)會(hui)麵(mian)對(dui)減(jian)小(xiao)空(kong)間(jian)和(he)提(ti)高(gao)效(xiao)率(lv)的(de)挑(tiao)戰(zhan)。在(zai)超(chao)便(bian)攜(xie)應(ying)用(yong)等(deng)使(shi)用(yong)單(dan)節(jie)鋰(li)離(li)子(zi)電(dian)池(chi)的(de)產(chan)品(pin)中(zhong)，這(zhe)是(shi)一(yi)個(ge)特(te)別(bie)重(zhong)要(yao)的(de)問(wen)題(ti)。

為了幫助設計人員應對減小設計空間和提高效率的挑戰
，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設計的外形尺寸，並提供了所需的高效率。

FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超便攜應用而設計，具有N溝道共漏極MOSFET特性，能夠實現電流的雙向流動。

FDMB2307NZ采用先進的PowerTrench工藝，具有高功率密度，並在VGS= 4.5V, ID = 8A條件下具有最大16.5mΩ的Rss(on)，從而獲得更低的導通損耗、電壓降和功率損耗
，並且相比競爭解決方案，具有更高的總體設計效率。FDMB2307NZ還具有出色的熱性能，使得係統工作溫度更低，進一步提高了效率。

新器件采用2x3mm2MicroFET封裝，為設計人員帶來了現有最小的MLP解決方案之一，相比目前常見的解決方案減小40%，顯著節省了客戶設計的線路板空間。FDMB2307NZ滿足RoHS要求，而且具有大於2kV的HBM ESD防護功能。

飛兆半導體通過將先進的電路技術集成在微型高級封裝中，為便攜產品用戶提供了重要的優勢，同時能夠減小設計的尺寸、成本和功率。飛兆半導體的便攜IP業已用於現今大部分手機中。

價格：訂購1,000個FDMB2307NZ，每個0.46美元
供貨: 可按請求提供樣品
交貨期: 收到訂單後8至12周內