新的TO247-4 4針(zhen)封(feng)裝(zhuang)提(ti)供(gong)一(yi)個(ge)開(kai)關(guan)控(kong)製(zhi)專(zhuan)用(yong)直(zhi)接(jie)源(yuan)極(ji)針(zhen)腳(jiao)

，而(er)傳(chuan)統(tong)封(feng)裝(zhuang)是(shi)開(kai)關(guan)和(he)電(dian)源(yuan)共(gong)用(yong)一(yi)個(ge)針(zhen)腳(jiao)。增(zeng)加(jia)的(de)針(zhen)腳(jiao)能(neng)夠(gou)提(ti)高(gao)開(kai)關(guan)能(neng)效(xiao)，降(jiang)低(di)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)，支(zhi)持(chi)更(geng)高(gao)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)
，進(jin)一(yi)步(bu)降(jiang)低(di)電(dian)源(yuan)尺(chi)寸(cun)。

該封裝是意法半導體與英飛淩的合作開發成果，英飛淩也推出其新款超結器件，為客戶選購超結MOSFET提供了另一個選擇。意法半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示：“TO247-4具有很高的成本效益，用於替代標準TO-247 器件時，隻需對印刷電路板布局略加修改
，從而簡化了該器件在電源係統的應用。采用這一封裝的全新意法半導體MDmesh器件可提高工作能效，使終端設備更加節能環保。”

TO247-4封裝集成了實現至源極Kelvin連接的內部結構，這個連接旁通了主電源連接的共源電感，可消除高達60%的開關損耗，設計人員可使用更高的開關頻率和更小的濾波器件。新封裝結合意法半導體的MDmesh超結技術，實現最高的單位矽麵積導電效率及最好的總體節能效果。

此次推出的產品是STW57N65M5-4。作為首款TO247-4封裝的MDmesh產品
，STW57N65M5-4可提高主動功率因數校正（PFC）電路和全橋或半橋功率轉換器的能效
，適用於各種消費電子和工業電子產品。

TO247-4封裝的STW57N65M5-4的其他特性：

●高抗噪性，可降低電磁幹擾（EMI）敏感度
●增強的額定電壓，可提高安全係數
●高耐dv/dt能力，可提高可靠性
●100%雪崩測試，可用於耐用性設計

STW57N65M5-4的供貨信息：

STW57N65M5-4現已量產。

相關閱讀：
基於鋰電池保護電路中MOSFET選擇的相關知識
http://wap.0-fzl.cn/cp-art/80019356
MOSFET的選型及應用概覽
http://wap.0-fzl.cn/power-art/80012314
什麼使得MOSFET性能大打折扣
http://wap.0-fzl.cn/power-art/80019366