IR近日推出首套創新的電源模塊組件係列產品——IRFH4251D和IRFH4253D，適用於DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網絡通訊設備、服務器、顯卡、台式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等。

 

新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR新一代矽技術和嶄新的5x6 mm PQFN封裝，提供功率密度的新標準。全新電源模塊組件配有高度集成的單片式FETKY®，其創新的封裝采用頂尖的翻模 (flipped-die) 技術
，可以將同步MOSFET源直接連接到電路板的地線層以實現有效散熱。由於具有更強的散熱性能和功率密度
，任何采用5x6 mm封裝的新組件都可以替換采用5x6 mm封裝的兩個標準獨立組件。全新封裝還采用已在PowIRStage和SupIRBuck中廣泛使用的IR專利技術單銅夾，以及經過優化的布線
，有助於大幅減少雜散電感以降低峰值鳴震，這樣設計師就可以用25V MOSFET代替效率較低的30V組件。
 

圖1：IR Power Block

 

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IRFH4251D和IRFH4253D電源模塊組件采用頂級的矽技術和突破性封裝，具有多項嶄新功能，為高性能DC-DC開關應用提供行業領先的功率密度。這些組件采用更高效的布線，必可樹立DC-DC雙MOSFET的行業新標準。”

 

IRFH4251D和IRFH4253D針對5V柵極驅動應用進行了優化
，給設計帶來靈活性，可與各種控製器或驅動器結合使用。與采用兩個分立式30V功率MOSFET的同類方案相比，能以較小占位麵積實現更高的電流、效率和頻率。

 

 

組件編號	封裝	電流額定值
IRFH4251D	PQFN 5 X 6	45A
IRFH4253D	PQFN 5 X 6	35A

 

產品現正接受批量訂單。相關數據請瀏覽IR的網站www.irf.com。