首先，來做一個實驗，把一個MOSFET的G懸空，然後在DS上加電壓，那麼會出現什麼情況呢
？很多工程師都知道，MOS會導通甚至擊穿。這是為什麼呢
？因為根本沒有加驅動電壓，MOS怎麼會導通？用下麵的圖，來做個仿真：


去探測G極的電壓，發現電壓波形如下：


G極的電壓居然有4V多
，難怪MOSFET會導通

，這是因為MOSFET的寄生參數在搗鬼。

這種情況有什麼危害呢？實際情況下，MOS肯(ken)定(ding)有(you)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)的(de)麼(me)，要(yao)麼(me)導(dao)通(tong)
，要(yao)麼(me)關(guan)掉(diao)。問(wen)題(ti)就(jiu)出(chu)在(zai)開(kai)機(ji)或(huo)者(zhe)關(guan)機(ji)的(de)時(shi)候(hou)，最(zui)主(zhu)要(yao)是(shi)開(kai)機(ji)的(de)時(shi)候(hou)，此(ci)時(shi)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)還(hai)沒(mei)上(shang)電(dian)。但(dan)是(shi)輸(shu)入(ru)上(shang)電(dian)了(le)，由(you)於(yu)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)沒(mei)有(you)工(gong)作(zuo)，G級的電荷無法被釋放，就容易導致MOS導通擊穿。那麼怎麼解決呢
？

在GS之間並一個電阻


那麼仿真的結果呢:


幾乎為0V。

下頁內容：什麼叫驅動能力和驅動電阻？
[page]
什麼叫驅動能力

？

很多PWM芯片或者專門的驅動芯片都會說驅動能力，比如384X的驅動能力為1A，其含義是什麼呢？

假如驅動是個理想脈衝源，那麼其驅動能力就是無窮大
，想提供多大電流就給多大。但實際中，驅動是有內阻的

，假設其內阻為10歐姆，在10V電壓下
，最多能提供的峰值電流就是1A，通常也認為其驅動能力為1A。

什麼叫驅動電阻呢
？

通常驅動器和MOS的G極之間，會串一個電阻
，就如下圖的R3。


驅動電阻的作用，如果驅動走線很長，驅動電阻可以對走線電感和MOS結電容引起的震蕩起阻尼作用。但是通常，現在的PCB走線都很緊湊，走線電感非常小。

第二個
，重要作用就是調解驅動器的驅動能力
，調節開關速度。當然隻能降低驅動能力，而不能提高。

對上圖進行仿真，R3分別取1歐姆，和100歐姆。下圖是MOS的G極的電壓波形上升沿。


紅色波形為R3=1歐姆，綠色為R3=100歐姆。可以看到，當R3比較大時
，驅動就有點力不從心了，特別在處理米勒效應的時候，驅動電壓上升很緩慢。

下圖，是驅動的下降沿

下頁內容：驅動的快慢對MOS的開關有什麼影響
[page]
那麼驅動的快慢對MOS的開關有什麼影響呢
？下圖是MOS導通時候DS的電壓：


紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大，MOS的導通速度越慢。

下圖是電流波形


紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大，MOS的導通速度越慢。

可以看到，驅動電阻增加可以降低MOS開關的時候得電壓電流的變化率。比較慢的開關速度

，對EMI有好處。下圖是對兩個不同驅動情況下，MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到


紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見，驅動電阻大的時候，高頻諧波明顯變小

下頁內容：驅動速度慢有什麼壞處？
[page]
但是驅動速度慢，又有什麼壞處呢
？那就是開關損耗大了，下圖是不同驅動電阻下
，導通損耗的功率曲線。


紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見，驅動電阻大的時候，損耗明顯大了。

結論：驅動電阻到底選多大
？還真難講

，小了EMI不好
；大了效率不好。所以隻能一個折中的選擇了。

那如果，開通和關斷的速度要分別調節，怎麼辦？就用以下電路。