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本篇文章將以反激式開關電源為例
，通過幾個方麵來提升輕載效率和降低待機功耗。

表1 輕載能耗標準

 

1、開關MOSFET的損耗通常可以分為導通損耗、開關損耗
、驅動損耗等。前兩種是MOSFET的主要損耗。在輕載和空載情況下
，原邊電流的峰值和有效值都會明顯降低
，這時候的開關損耗是主導因素。而開關損耗與Vds電壓
、開關頻率有著直接的關係。因此，減少MOSFET在輕載和空載時的損耗，可以通過使用QRC 模式的反激芯片和具有降頻

、間歇工作方式的芯片來實現；

 

2
、使用具有HV啟動功能的芯片，這樣可以避免啟動電阻產生的損耗。另外
，要選擇合適的X電容泄放電阻
；

 

3、對反饋線路的優化。選擇CTR高的光耦、低工作電流的基準431以及較大的輸出電壓取樣電阻都可以一定程度的降低待機功耗。當然，同時也要考慮到對Dynamic的影響

；

 

4、對吸收線路的優化。傳統的RCD嵌位線路會造成比較大的損耗，相對而言，使用TVS嵌位也可以提升輕載能效和待機功耗
；

 

此外，使用ZFB比較大的芯片，以及優化變壓器的設計也會起到一定的積極作用。

 

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