對於buck電路的成本
，很多人認為與三級電路相比其優勢並不明顯。但實際上，從性能
、尺寸、可靠性上來說

，buckdianludouyaoyouyusanjidianlu。jiujieyuchengbenwentideshejizheyoukenengshiyinweishijianjihuijiaoshao，duichengbendelejiebugoushenke，suoyichuxianlegaogudexianxiang。lingyifangmian
，yidanduojiaqiyedoukaishichanchu，jiubidingjiangduidianlujinxingyouhua
，daoshichengbenjiangbuzaishiwenti。xiamianjiulaiduishuangbuck電路的成本問題進行討論。

 

就性能而言，三級電路與雙BUCK是不在一個層麵的。但三級電路控製非常簡單

，容易理解，不像雙BUCK電路控製複雜精確。三級電路采用的MOS功率器件太多，影響大批量的可靠性，這是其一
，其二是傳統BUCK電路的缺點
，無論哪種工作模式，均沒有雙BUCK的性能優秀。這是導致效率不高的原因之一。多數人都知道。其三是三級電路的工作特性，導致其幹擾會比兩級的大。

 

以70W的HID鎮流器方案為例
，有高頻的，有三級全橋低頻通用方案，還有兩級半橋雙BUCK方案，均以設計成功。其中，想說說低頻方案的兩級和三級最主要的特點：兩級半橋雙BUCK方案：成本上來說並不比三級便宜。但在性能上要比三級要好一些，如：輸出波形
、溫升、效率等。但雙BUCK的控製較複雜，參數調試麻煩，互相牽製，調試之初稍有不慎
，就會爆響，不過一旦參數調試OK後，便能可靠運行。至於恒功率控製精度及MCU整體控製和三級差不多，都是采用恒流方式來達到恒功率。三級全橋低頻通用方案：電路結構清晰
，易懂
，各部分獨立運作
，便於調試，元件通用性強
，便於采購。可以采用諧振點火
，相對於兩級來說，可以省去點火MOSFET或IGBT。為了避免產品同質化
，突出其差異化
，現主要生產兩級半橋雙BUCK結構的金鹵燈電子鎮流器，相信隨著產量的提升

，元器件成本就會有一定幅度的下降

，到時將會比三級全橋結構更有優勢。

 

三級的效率其實不是問題。調試得當91是沒太大問題的。可問題不在效率這裏。換向鋁電解的問題
，的確是個問題
，不然CCI也ye不bu會hui出chu如ru此ci複fu雜za的de波bo形xing來lai控kong製zhi。但dan這zhe個ge問wen題ti
，根gen本ben上shang來lai說shuo，是shi可ke解jie決jue的de，隻zhi是shi控kong製zhi電dian路lu複fu雜za一yi些xie而er已yi。三san級ji電dian路lu如ru果guo降jiang壓ya為wei母mu線xian端duan
，則ze需xu要yao高gao壓ya驅qu動dong

，驅qu動dong麻ma煩fan。當dang然ran這zhe樣yang的de結jie果guo是shi取qu樣yang方fang便bian。如ru果guo在zai地di端duan，則ze取qu樣yang不bu便bian。全quan橋qiao不bu可ke控kong狀zhuang態tai。

 

論(lun)成(cheng)本(ben)，半(ban)橋(qiao)兩(liang)級(ji)和(he)全(quan)橋(qiao)三(san)級(ji)難(nan)分(fen)誰(shui)高(gao)誰(shui)低(di)。論(lun)性(xing)能(neng)，難(nan)分(fen)孰(shu)優(you)孰(shu)劣(lie)，各(ge)有(you)所(suo)長(chang)各(ge)有(you)所(suo)短(duan)。關(guan)鍵(jian)是(shi)看(kan)誰(shui)能(neng)吃(chi)透(tou)原(yuan)理(li)，把(ba)控(kong)好(hao)工(gong)藝(yi)，這(zhe)樣(yang)才(cai)能(neng)做(zuo)出(chu)穩(wen)定(ding)可(ke)靠(kao)的(de)產(chan)品(pin)，現(xian)在(zai)金(jin)鹵(lu)燈(deng)鎮(zhen)流(liu)器(qi)行(xing)業(ye)因(yin)其(qi)技(ji)術(shu)門(men)檻(kan)高(gao)的(de)原(yuan)因(yin)
，價(jia)格(ge)並(bing)不(bu)作(zuo)為(wei)主(zhu)要(yao)因(yin)素(su)考(kao)慮(lv)，絕(jue)大(da)多(duo)數(shu)還(hai)停(ting)留(liu)在(zai)抄(chao)襲(xi)的(de)層(ceng)次(ci)，更(geng)談(tan)不(bu)上(shang)深(shen)刻(ke)理(li)解(jie)甚(shen)至(zhi)改(gai)進(jin)提(ti)高(gao)的(de)層(ceng)次(ci)雖(sui)然(ran)有(you)但(dan)是(shi)極(ji)少(shao)。

 

下麵就把它還原成實際應用的兩個拓撲。

圖2

在圖2中
，為了防止Q1Q2瞬間同時導通（即死區）造成“天地通”，特加多一個電感，即使Q1Q2短時間同時導通，因電流不會突變，在三兩個微秒內，不致傷害。

圖3

 

在圖3中，在充分評估了自己對死區時間把控的信心後
，隻用了一個電感;但Q1Q2體內都寄生著一個二極管，並且是慢恢複的，這樣會令並聯的D3D4不起作用
，拖慢速度，發熱。所以串聯了D1D2低導通電壓的肖特基二極管，讓D3D4分別在自己的相區時段裏單獨起續流作用。

 

可以看到，C1C2C3的關係是並聯的，為什麼?因為CA、CB遠遠比它們大，在高頻脈衝電流狀態下C1C2C3相當於並聯。

 

再講時序，當換相，如:Q1停
，輪到Q2工作的瞬間，當Q2開，此時L2上的壓降是200V（VA）+VL，慢慢過渡到200V（VA）-VL。這個瞬間給C2放電的電流並不經過電流采樣電阻，隨電功率大

，C2容量也大，小功率時可以靠Q2硬撐，大功率時，幾十安的衝擊電流如何能撐?在這種拓撲裏，為了兼顧電流采樣的有效性C3遠遠小於C1C2。