該模塊在 Clean Sky Joint Undertaking 項目的支持下開發而成，通過減小重量和尺寸，該模塊有助於提高功率轉換器密度，從而支持多電飛機（More-Electrical Aircraft）中的發電係統和機電致動器。

 

此 IPM 可讓柵極驅動器與功率晶體管完美整合，從而利用碳化矽（SiC）的全部優勢，即低切換損耗和高工作溫度。 憑借 HADES2®  隔離式柵極驅動器（該產品綜合了多年的 SiC 晶體管驅動開發經驗），並結合先進的封裝技術，使功率模塊在極端條件下實現可靠運行。

 

 

 

對於此航天級模塊，已選擇三相功率轉換器拓撲結構
，同時
，對於混合動力汽車（HEV）和鐵路項目
，正在研究其他拓撲結構。在這個三相拓撲結構中，6個切換位置中的每個都包括一個100A SiC MOSFET晶體管和一個100A SiC肖特基續流二極管。這些器件可承受高達1200V的電壓
，為540V航天直流總線提供足夠的防過壓冗餘
，而且此模塊在設計上可輕鬆使用1700V/150A SiC器件進行升級。晶體管的典型導通電阻為12.5mΩ或8.5mΩ
，取決於其額定電流是100A還是150A。

 

在模塊的設計中還特別注意了熱工方麵的問題。首先，所有選用的材料都允許在較高結溫（高達200°C，峰值為225°C）下可靠運行，以降低冷卻要求。這種選材還使該模塊能耐受機體和儲存溫度較高（150℃）的情況。最後
，該模塊基於AlSiC基板、AIN基片和銀燒結等高性能材料，以提供與SiC器件之間近乎完美的熱膨脹係數（CTE）匹配
，以及耐熱方麵的高魯棒性和功率循環表現。

 

在同一個IPM中協同化設計柵極驅動器和功率模塊使CISSOID可以優化柵極驅動器電路，並且在考慮功率模塊的寄生電感的同時最大限度減少這種電感（如可能）。最大限度減少寄生電感可更快切換SiC晶體管並降低切換損耗。IPM還可為電力電子設計者提供一種即插即用解決方案，使他們在設計柵極驅動器板時節省大量時間

，而使用SiC晶體管設計柵極驅動器板是非常具有挑戰性的。這樣
，用戶可集中精力設計充分利用SiC優點的高密度功率轉換器。

 

Thales Avionics功率轉換器設計團隊經理Taoufik Bensalah表示：“很高興能夠在Clean Sky項目體係中與CISSOID團隊合作。他們可以非常靈活地為我們提議相關解決方案，滿足多電飛機對新一代高密度功率轉換器的要求。”CISSOID工程副總裁Etienne Vanzieleghem補充道：“對於和 Thales 開展的這次成效顯著的合作，以及我們在規範這個IPM時進行的開放性討論，我們都感到非常愉快。我們還要感謝 Clean Sky項目使這次合作順利成行
，這也是CISSOID在結合封裝和電路設計專業知識方麵的一個良好範例。這個項目還提供了一個機會
，增進了我們與塔布（CISSOID封裝團隊所在地）的PRIMES平台之間的合作關係。”