25kW SiC直流快充設計指南(第五部分):控製算法、調製方案和反饋
發布時間:2022-06-13 來源:安森美 責任編輯:wenwei
【導讀】在本係列文章的第一至第四部分中[1-4],我們從硬件角度分享並廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的係統。
圖1.25kW電動汽車直流充電樁的高級框圖。
第五部分則將從另一個維度深入探討充電樁設計,我們將針對此類係統的控製策略和算法實現進行探討,並提供實用見解。
我(wo)們(men)的(de)目(mu)的(de)不(bu)是(shi)討(tao)論(lun)控(kong)製(zhi)理(li)論(lun),而(er)是(shi)提(ti)供(gong)第(di)一(yi)手(shou)詳(xiang)細(xi)信(xin)息(xi),介(jie)紹(shao)開(kai)發(fa)團(tuan)隊(dui)所(suo)采(cai)取(qu)的(de)控(kong)製(zhi)硬(ying)件(jian)和(he)軟(ruan)件(jian)開(kai)發(fa)的(de)有(you)益(yi)方(fang)法(fa),幫(bang)助(zhu)加(jia)快(kuai)固(gu)件(jian)開(kai)發(fa)和(he)驗(yan)證(zheng)過(guo)程(cheng)。這(zhe)些(xie)信(xin)息(xi)既(ji)適(shi)用(yong)於(yu)ARM控製器上的狀態機,也適用於FPGA上的主控製算法,我們稍後會詳細介紹。
同tong時shi,此ci處chu描miao述shu的de特te定ding開kai發fa過guo程cheng可ke確que保bao最zui大da限xian度du地di減jian少shao錯cuo誤wu,並bing能neng及ji早zao發fa現xian錯cuo誤wu,甚shen至zhi可ke在zai提ti供gong或huo設she計ji原yuan型xing硬ying件jian之zhi前qian。在zai以yi下xia章zhang節jie中zhong,我wo們men將jiang介jie紹shao實shi現xian這zhe種zhong方fang法fa的de步bu驟zhou和he工gong具ju(MathWorks和Xilinx)、功率因數校正(PFC)的狀態機和算法模塊,以及DAB轉換器的主算法模塊。
控製策略的開發過程
PFC控製軟件的總體架構如圖2所示。該設計的核心是Xilinx的Zynq 7000 SoC,它包含ARM內核和FPGA內核。Zynq 7000安裝在通用控製器板(UCB)上,該板還包含外設、ADC、多個存儲器板以及SoC和其他元件所需的電源樹。[5]
首先,ARM內核運行狀態機(固件中的高級例程)以及其他輔助任務,包括通信協議、保護功能等。其次,FPGA充當主控製算法的提供者,運行驅動轉換器的控製環路,根據需要處理電源,實現AC-DC轉換、PFC並將電壓升壓至所需的直流鏈路電平。因此,FPGA上的“主算法”是狀態機一個特定狀態,可稱之為穩態。DAB轉換器在ARM內核和FPGA之間采用相同的任務分配方式。
圖2.25 kW PFC轉換器控製架構概覽。任務在UCB上的XilinxZynq 7000的FPGA和ARM MCU之間的分配示意圖。DAB轉換器的控製架構概覽與此相同。
利用基於模型的測試來揭示控製係統中的錯誤
圖3說明了在整個項目開發鏈中出現錯誤和檢測到錯誤的典型分布情況。可以看到,大多數錯誤是在初期的製定規格和設計階段引入的;但是,它們大多直到測試後期才被發現。
圖3.引入的錯誤與檢測到的錯誤。(資料來源:CliveMaxfield和KuhooGoyal的著作,《EDA:電子學的起點》。)
為了解決圖3中(zhong)呈(cheng)現(xian)的(de)現(xian)象(xiang),我(wo)們(men)采(cai)用(yong)了(le)一(yi)個(ge)開(kai)發(fa)過(guo)程(cheng),其(qi)目(mu)的(de)是(shi)在(zai)開(kai)發(fa)的(de)早(zao)期(qi)階(jie)段(duan)檢(jian)測(ce)到(dao)大(da)部(bu)分(fen)這(zhe)些(xie)錯(cuo)誤(wu)。如(ru)果(guo)實(shi)施(shi)得(de)當(dang),從(cong)項(xiang)目(mu)資(zi)源(yuan)和(he)時(shi)間(jian)表(biao)的(de)角(jiao)度(du)來(lai)看(kan),這(zhe)種(zhong)方(fang)法(fa)會(hui)帶(dai)來(lai)一(yi)些(xie)優(you)勢(shi),包(bao)括(kuo):
● 最大限度地降低額外所需硬件迭代的風險。
● 在硬件準備就緒之前,可在很大程度上優化控製係統和轉換器性能。
● 加速硬件評估階段,最大限度地減少必需對硬件進行的調整。在原型板生產期間,已經執行了大量工作。
為此,安森美(onsemi)固件和控製工程師采取基於模型的測試方法,該方法充分利用了MATLAB工具和生態係統[6]。該方法的成功實施取決於四大關鍵支柱,開發人員需要解決以下問題:
● 代表性模型,需確保在可行仿真時間內,仿真係統響應與實際係統響應高度匹配。對於PFC電源仿真,在模型精度和仿真時間之間采取了如第三部分所述的類似折衷。
● 在我們的仿真過程和仿真模型中編譯和驗證我們的固件C代碼(狀態機)。因此,驗證發生在仿真階段,而不是硬件評估階段。
● FPGAIP內核可從經過驗證的模型中自動合成生成。這消除了手動編碼錯誤,並支持高級優化以最小化FPGA內核麵積,同時滿足時序約束。
為了加速這些特性的實現,我們充分利用了以下工具的優點(如表1所示)。
表1:安森美工程團隊使用的開發和仿真工具,用於開發、仿真、部署和測試25 kW快速直流電動汽車充電樁設計的固件。
一步一個腳印。如何開發仿真模型?
圖4描繪了固件開發和執行過程的簡化流程圖,按表2中總結的三個主要階段進行劃分。在本文中,隻深入討論仿真模型開發,這是最重要的一個階段。
圖4.25 kW快速直流充電樁固件開發流程圖。
表2:固件開發過程的各個階段。
仿真模型開發階段包括開發用於驗證係統控製算法的仿真模型(或仿真模塊)。本項目中包含的最重要的模塊是:
● 將在ARM內核上運行的C代碼(狀態機),通過S函數塊導入以用於仿真
● 轉換器的控製算法(控製環路)
● 電源轉換器,用於對硬件進行建模
● 硬件接口,用於對硬件中的ADC電路進行建模
● 設備模塊、用於PFC的交流設備和用於DAB的直流設備。
在此開發階段,我們使用“輕”模型(不含改進細節的代表性模型),這使我們能夠在各種條件(電網阻抗、電流命令——取決於輸出功率水平的變化——以及其他條件)下運行多種情況/changjing,yanzhengkongzhiqiduixuduobutongchangjingdexiangying。yinci,zaicijieduanyingbimianshiyongkaiguanmoxing,yinweizhexiemoxingbaohanfeichangduodexijie,yunxingmoxingxuyaohuafeidaliangshijian——我們在本係列文章第三部分的電源仿真中對此已經有所了解。
我們使用平均開關等效模型[7]作為替代方案,該模型允許使用FPGAIP內核構建仿真模塊。同時,我們保留了硬件的所有重要/有影響的特性,以確保仿真的完整性,例如轉換器壓降效應、噪聲測量、PWM傳輸和模數延遲等。
使用MATLAB生成IP的步驟
本章節進入到詳情部分,將介紹實現特定仿真模型的關鍵步驟以及如何充分利用MATLAB環境所提供的功能。圖5顯示了具有表1中介紹的元件的通用電能轉換係統的簡化表示。
圖5.通用電能轉換係統的簡化表示(並非特指25 kW直流充電樁)。
“電源轉換器”是模型的核心元件(我們的硬件代表),“控製器”是相關的主算法模塊,也是我們正在開發和評估的算法模塊。最終,通過使用MATLAB仿真生態係統提供的自動化工具,該算法模塊將轉換成FPGAIP內核本身。
我們的團隊在模型開發階段使用了一係列的六個步驟,貫穿至最終的IP生成。這些步驟的概覽參見圖6中的簡化流程圖,其簡要說明如下文所示。
●-步驟1:我(wo)們(men)采(cai)用(yong)雙(shuang)精(jing)度(du)浮(fu)點(dian)開(kai)發(fa)模(mo)型(xing),而(er)電(dian)源(yuan)轉(zhuan)換(huan)器(qi)則(ze)使(shi)用(yong)平(ping)均(jun)模(mo)型(xing)。如(ru)上(shang)一(yi)章(zhang)節(jie)所(suo)述(shu),在(zai)此(ci)階(jie)段(duan),開(kai)發(fa)的(de)模(mo)型(xing)起(qi)著(zhe)重(zhong)要(yao)作(zuo)用(yong),既(ji)要(yao)盡(jin)可(ke)能(neng)輕(qing)以(yi)允(yun)許(xu)合(he)理(li)的(de)仿(fang)真(zhen)運(yun)行(xing)時(shi)間(jian),又(you)要(yao)足(zu)夠(gou)準(zhun)確(que)以(yi)反(fan)映(ying)係(xi)統(tong)的(de)實(shi)際(ji)行(xing)為(wei)。
●-步驟2:我們使用MATLAB提供的自動化工具來生成係統的定點等效模型。此任務采用的工具是MATLABFixedPointDesigner。
●-步驟3:將雙精度變換為定點精度後,運行一次驗證仿真,以確保定點轉換不會影響係統的工作行為。
●-步驟4:驗證後,加入要在UCB控製器的ARM內核中運行的狀態機。允許在Simulink模型中模擬手寫C代碼的工具是Shanshu。cishi,womenyinggainenggouzaihelidefangzhenyunxingshijianneizhenduiduozhongqingkuanghegezhongtiaojianceshikongzhiqi。zaizhegeguochengzhong,kenenghuifashenggezhongzhongyaodezirenwu。liru,bilijifenkongzhiqizengyideyanzheng、控製器負載階躍響應的評估、狀態機的過電流反應以及錯誤處理等。
●-步驟5:在生成FPGAIP內核之前,我們強烈建議針對選定的情況/場chang景jing運yun行xing一yi些xie仿fang真zhen,將jiang轉zhuan換huan器qi的de平ping均jun模mo型xing替ti換huan為wei開kai關guan模mo型xing。這zhe個ge過guo程cheng相xiang當dang耗hao時shi,應ying對dui極ji少shao數shu的de仿fang真zhen情qing況kuang進jin行xing重zhong複fu。然ran而er,重zhong要yao的de是shi要yao確que保bao控kong製zhi器qi免mian受shou轉zhuan換huan器qi開kai關guan行xing為wei所suo引yin入ru的de非fei線xian性xing的de影ying響xiang。
●-步驟6:對所開發的算法有足夠的信心後,我們現在可以使用自動化工具生成FPGAIP內核。這個過程顯著減少了編程錯誤,實現了麵積優化的可合成式RTL,並且滿足時序約束。
圖6.仿真模型開發階段的六步驟流程圖。為了便於表示,該流程圖中省略了圖5中的“外設”模塊。它所在的位置以及與其他模塊的連接與圖5中的相同。
PFC控製策略:狀態機和控製環路
本章節將詳細介紹PFC的控製策略,包括狀態機以及控製算法(控製環路)。狀態機在UCB的ARM內核上運行,控製算法在狀態機的“直流總線VOLTAGE_CONTROL”狀態下運行,並在FPGA芯片上實現。
在接下來的章節中,我們將提供有關狀態機和算法功能的更多詳細信息。圖7提供了PFC狀態機概覽,其中“直流總線VOLTAGE_CONTROL”狀態以綠色突出顯示,在此狀態下控製環路和FPGA將接管控製並運行主算法功能。
圖7.PFC轉換器狀態機概覽。
當向充電樁的輸入連接器提供50 Hz的三相電壓時,由於PFC拓撲的性質,輸出總線電容電壓會升高。由於每個MOSFET上都存在寄生續流二極管,帶有MOSFET的無橋PFC保證了從輸入到輸出的電流路徑。
當MOSFET全部關斷時,電路板簡化為三相二極管橋。整流後的輸入交流電壓將根據電源電壓幅度和MOSFET體ti二er極ji管guan的de正zheng向xiang電dian壓ya,被bei設she置zhi為wei定ding義yi的de電dian平ping。然ran而er,期qi望wang在zai輸shu入ru端duan至zhi少shao提ti供gong一yi個ge最zui小xiao交jiao流liu電dian壓ya。因yin此ci,兩liang個ge不bu同tong線xian路lu上shang的de電dian阻zu用yong作zuo浪lang湧yong電dian流liu限xian製zhi器qi。
一旦總線電壓達到230 V,主輔助電源開始工作。該電源與一係列DC-DC穩壓器一起,生成為數字和模擬電路供電所需的其他電壓電平。有關PFC功能的更多詳細信息,請參閱安森美AND9957/D車載充電樁PFC轉換器應用筆記[8],其中的實施策略與此25 kW直流充電樁項目相同。
ARM內核上的PFC狀態機實現
如上所述,PFC的狀態機在UCB的ARM內核上運行。其順序從圖7中所示的IDLE模塊開始,然後進入ADC通(tong)道(dao)中(zhong)的(de)偏(pian)移(yi)電(dian)壓(ya)驗(yan)證(zheng)和(he)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)監(jian)控(kong)和(he)檢(jian)測(ce)。這(zhe)些(xie)用(yong)於(yu)確(que)定(ding)三(san)個(ge)電(dian)壓(ya)的(de)頻(pin)率(lv)和(he)相(xiang)位(wei)角(jiao)。該(gai)相(xiang)位(wei)角(jiao)將(jiang)作(zuo)為(wei)係(xi)統(tong)實(shi)現(xian)功(gong)率(lv)因(yin)數(shu)校(xiao)正(zheng)的(de)基(ji)準(zhun)。
當直流總線電壓達到平坦穩定狀態時,PFC控製器向繼電器發送指令,旁路浪湧電阻並允許輸出總線電壓進一步升高。但是,電壓增量將低於整流後的輸入電壓幅度√6∙VPHrms。PFC控製器將等到總線電壓再次平坦,以便開始控製總線電壓,達到800 V的目標值。不會一步達到目標值,它跟隨一個平滑的斜坡發生器,使總線電壓值按照參數化的斜坡上升到最終的800 V。
PFC隻實現了一種硬件保護,利用NCD57000DWR2G柵極驅動器的DESAT功能防止過電流事件。但是,DESAT硬件保護可以與軟件保護相結合,生成到NAND門的單端輸入,從而為PWM生成提供硬件停止。
隻能通過GUI發送的複位命令或通過斷電/上電序列來複位故障條件,這兩種方式分別代表硬件/軟件複位。有關PFC功能的更多詳細信息,請參見參考文獻8,它所描述的實施策略與此25 kW直流充電樁項目相同。
FPGA上的PFC主算法和控製環路
圖8說明了作為完整仿真模型一部分的PFC控製模塊。PFC算法使用七個輸入和三個輸出(概述參見表3)。zuoweibenxiangmudeyibufen,womenjiangyunxingheceshibutongdetiaozhicelve,yipinggunayizhongcelvenengzaixiaolvhexieboshizhenfangmianchanshenggenghaodejieguo。gaikongzhicelveyucankaowenxian8中描述的策略相同。
圖8.PFC控製算法的高級框圖。
表3:PFC控製算法的輸入和輸出參數。
圖9作為更深入的研究,詳細顯示了構成PFC算法的模塊和關係。VLINE電壓用於確定交流電壓相量的實際位置。然後,使用角度θ將電流相位延遲調節到0°,這是PFC的主要目標。電壓位置用於通過克拉克和帕克變換,從靜止ABC係統參考轉換到旋轉DQ坐標係(對於PFC,D軸表示相電壓相量的幅值)。
由於角度θ已知,所有電量都可以在DQ係統中表示;這種簡化操作確保能夠使用簡單的比例積分(PI)調節器。PI的增益調整取決於待調節設備的傳遞函數。當可提供一個常數作為參考量時,PI調節器確實可以有效地將誤差調節為零,但這些調節器不能調節交流參考量。
圖9.PFC控製算法的詳細框圖。
在任何情況下,PI調節器都需要某種校準,以確保適當的係統穩定性。通常期望電流環路(內部)的響應較快,外部環路(電壓)的響應較慢。此時值得注意的是,電流控製環路與PWM同步運行。同步程序確保ADC外設可在PWM載波的準確時間實例中被觸發,以確保在測量的電流量中自然濾除開關紋波。
需補充說明的是,由於存在固有的ADC測量延遲,PWM頻率並不完全獨立於控製頻率,該延遲應當足夠小,以保證在開關周期內及時執行PFC算法。由於FPGAPFC控製器的延遲非常低,約為150納秒,因此PWM頻率的主要限製因素是ADC采樣和轉換時間。一旦有了ADC的數量,控製實現就很簡單了。
已使用MATLAB對PFC的主要功能進行了廣泛的測試,如“使用MATLAB生成IP的步驟”章節中所述。使用的Simulink主模型如圖10所示(該模型中唯一缺少的部分是用於測試固件狀態機的S函數)。圖中對所使用的模塊進行了解釋。
請注意,這一級的模型主要由Simulink模塊組成,包括三相電源轉換器的平均模型。PFC的電網和互連濾波器利用
SimscapeElectrical庫中的模型,而直流負載和電容(直流裝置)的建模則是通過LaplaceSimulink模塊的幫助。該模型很輕,可使用傳統的筆記本電腦支持合理的仿真時間,實現0.1秒的仿真隻需不到1分鍾的時間。
圖10.主PFC控製器Simulink模型。直流設備模塊(簡單的電阻和電容)用作測試PFC算法功能的負載,並不代表實際DAB轉換器的模型。
DAB轉換器控製策略和磁通平衡技術
DAB轉換器控製策略的實施遵循與PFC類似的過程。在本章節中,我們將討論轉換器的控製算法以及磁通平衡技術。在撰寫本文時,需要重新設計轉換器的Simulik模型,以便為HDL編碼器做好準備,並且DAB的平均模型尚未最終確定(我們尚處於圖4的步驟6中)。
從控製算法開始,在可用控製技術中,最著名的技術可能是固定頻率相移技術。圖11顯示了這些技術的分類,其中單相移(SPS)是(shi)最(zui)簡(jian)單(dan)的(de)一(yi)種(zhong)。事(shi)實(shi)上(shang),控(kong)製(zhi)器(qi)的(de)簡(jian)單(dan)性(xing)正(zheng)是(shi)該(gai)技(ji)術(shu)的(de)主(zhu)要(yao)優(you)點(dian),但(dan)其(qi)代(dai)價(jia)是(shi)轉(zhuan)換(huan)器(qi)中(zhong)電(dian)流(liu)循(xun)環(huan)的(de)增(zeng)加(jia),以(yi)及(ji)在(zai)更(geng)嚴(yan)格(ge)的(de)工(gong)作(zuo)範(fan)圍(wei)內(nei)才(cai)可(ke)能(neng)實(shi)現(xian)零(ling)電(dian)壓(ya)開(kai)關(guan)(ZVS)。這兩個缺點肯定會影響係統的效率。
基於SPS的兩種替代方案是擴展相移(EPS)和雙相移(DPS)技術,它們能夠更有效地利用轉換器,減少了循環電流並擴展了ZVS的工作範圍。但這些改進的代價是係統需要添加額外控製,增加了複雜性。
最後,三重相移(TPS)技術是SPS、EPS和DPS的統一版本。從這個角度來看,SPS、EPS和DPS都可以從TPS派生得到,可以視為TPS的特例或子情況。圖12-14分別說明了SPS、EPS和DPS的工作原理。
圖11.不同相移技術的分類。三重相移(TPS)是其他技術的統一版本,其中的每一種技術都可以視為TPS的子情況。
圖12.單相移(SPS)技術。(資料來源:“用於高頻鏈路功率轉換係統的雙有源橋隔離型雙向DC-DC轉換器概述”[9])
圖13.雙相移(DPS)技術。(資料來源:“用於高頻鏈路功率轉換係統的雙有源橋隔離型雙向DC-DC轉換器概述”[9])
圖14.擴展相移(EPS)技術。(資料來源:“用於高頻鏈路功率轉換係統的雙有源橋隔離型雙向DC-DC轉換器概述”[9])
在本係列文章的第四部分中,我們注意到,DAB轉換器的電源仿真是使用SPS進行的。稍後,我們將在硬件原型上測試更先進的技術,並評估每種技術將帶來的優勢。
最重要的可能改進將是轉換器效率提升。此外,還有可能降低變壓器中的勵磁峰值電流(IM),這將允許使用更緊湊的變壓器和電感。
控製算法和通量平衡模型模塊
DAB的控製原理如圖15所示。控製器的目標是為電池生成所需的輸出電壓或電流。
圖15.DAB控製算法的框圖。變壓器磁通平衡算法也包含在其中。
基本概念很簡單:將測得的輸出電壓(或電流)和目標值都饋送至輸入PI控製器。PI控製器的輸出試圖通過產生所需的Δφ(即DAB的初級交流電壓和次級交流電壓之間的角度相位差),消除它們之間的誤差,以驅動初級側和次級側的PWM。由於輸出電容的存在,控製環路很慢,但考慮到電池充電的緩慢動態行為,這不是問題。
需補充說明的是,自適應PI增益對補償陡峭的Vout/ΔΦ斜率的重要性。可使用純比例控製器(相對PI而言)作為替代方案。不過,工程團隊需要對這方麵進行進一步研究。
DAB控(kong)製(zhi)算(suan)法(fa)中(zhong)一(yi)個(ge)值(zhi)得(de)詳(xiang)細(xi)闡(chan)述(shu)的(de)有(you)趣(qu)部(bu)分(fen)是(shi)通(tong)量(liang)平(ping)衡(heng)功(gong)能(neng)。這(zhe)項(xiang)技(ji)術(shu)在(zai)第(di)四(si)部(bu)分(fen)中(zhong)介(jie)紹(shao)過(guo),它(ta)可(ke)以(yi)補(bu)償(chang)換(huan)流(liu)變(bian)壓(ya)器(qi)中(zhong)的(de)任(ren)何(he)直(zhi)流(liu)分(fen)量(liang),防(fang)止(zhi)勵(li)磁(ci)電(dian)流(liu)的(de)累(lei)積(ji)和(he)磁(ci)芯(xin)飽(bao)和(he)。
圖16顯示了用於在25 kW DAB變壓器中實現磁通補償概念的Simulink模型。該模塊具有三個輸入和一個輸出。初級和次級變壓器電流和同步(sync.)脈衝是該模塊的輸入。該模塊的輸出用於調整變壓器初級側PWM的占空比。
圖16.磁通補償框圖。
磁通平衡模塊由變壓器的次級PWM同步脈衝觸發(在轉換器的開關頻率下),這意味著饋入模塊的交流電流所需的采樣頻率應該(至少)是轉換器開關頻率的兩倍。具體來說,同步脈衝是用於驅動次級側第一個橋臂的高壓側開關的那些PWM的脈衝。然後借助采樣的輸入電流,通過簡單的計算得到DAB變壓器的勵磁峰-峰值電流。
隨後,由相同的同步脈衝觸發采樣保持(S&H)電路,計算要複製的勵磁電流的開關平均值。最後,將估計的勵磁平均電流饋送到比例(P)控製器,該控製器將生成調整初級側PWM占空比的命令。圖17顯示了在仿真中實現的通量平衡算法的功能。
圖17.當DAB的磁通補償算法無效(左)和有效(右)時,仿真的變壓器勵磁電流(IM)。當沒有運行磁通平衡技術時,剩餘直流電流會在每個開關周期內累積,最終會使磁芯飽和。
有效實施磁通平衡技術的一個關鍵因素是所需的電流采集帶寬。如上所述,待測和待作用電流的開關頻率為100 kHz,因此係統至少應該能夠在200 kHz下進行測量。所以值得運行仿真,以確保所選電流傳感器不會引入明顯的測量誤差,從而破壞磁通補償實施。
所選電流傳感器(LEM)指定帶寬為300 kHz。必須考慮到,當采樣頻率接近300 kHz時,會出現增益衰減,並且與任何采集係統一樣,可能會出現相位滯後。因此,盡管300kHz乍看之下似乎提供了足夠的空間,但還是建議運行仿真。使用/不使用有限LEM帶寬的采樣電流如圖18和19所示。(請注意,在本例中,我們尚未激活磁通補償,因此勵磁電流增長非常大。)
在圖19中,可以觀察到幅度和相位存在非常小的誤差,但幾乎可以忽略不計。算法中包含的兩次采樣方法(每個開關周期測量兩次電流)也會有助於減輕誤差。無論是哪種情況,我們已經在圖17中看到磁通平衡可正常工作。
下示仿真應該在圖17中給出的結果之前運行或同時運行。因此,可以使用帶寬約為300 kHz的傳統LEM傳感器。圖20說明了估計的開關平均電流、實際勵磁電流(IM)以及同步脈衝。
圖18.帶/不帶LEM電流傳感器效應的初級和次級電流測量。磁通平衡算法在此仿真中不工作。
圖19.帶/不帶LEM電流傳感器效應的初級和次級電流測量。
圖20.估計的總勵磁電流(帶LEM電流傳感器效應)、估計的開關平均值(帶LEM傳感器效應)和同步脈衝。磁通平衡算法在此仿真中不工作。
總結
zhengruzaibentaolunkaishishisuoguanchadaode,womenzaicicaiquleyubenxiliewenzhangqianjibufenbutongdejiaodu,shenruyanjiulekongzhicelvedeshixian,yijiruheduiqiyouhuahejiasu。benwenjieshaoleansenmeigongchengtuanduizunxundeyouyifangfa,gaifangfayouzhuyuzaifangzhenjieduan、硬件生產之前,及早調試和識別錯誤。
此外,此方法加快了將ARM內核和FPGA相結合的混合控製器的控製開發。最後,它通過在Simulink中創建的仿真模型自動生成FPGAIP,為不是FPGA開發專家的固件工程師使用FPGA提供了便利。毋庸置疑,當可以將固件部署到板上並驗證實際完整係統時,則可以進行控製算法的實際驗證。
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