從 1957年(nian)第(di)一(yi)隻(zhi)晶(jing)閘(zha)管(guan)的(de)誕(dan)生(sheng)開(kai)始(shi)
，功(gong)率(lv)電(dian)子(zi)技(ji)術(shu)以(yi)相(xiang)當(dang)迅(xun)猛(meng)的(de)速(su)度(du)發(fa)展(zhan)。近(jin)年(nian)來(lai)又(you)取(qu)得(de)了(le)長(chang)足(zu)的(de)進(jin)展(zhan)
，產(chan)生(sheng)極(ji)佳(jia)的(de)經(jing)濟(ji)及(ji)社(she)會(hui)效(xiao)益(yi)。從(cong)美(mei)國(guo)高(gao)能(neng)效(xiao)經(jing)濟(ji)委(wei)員(yuan)會(hui)(ACEE)出版的一份報告可以看到，到 2030年，受益於采用半導體技術而獲得的更高能效，可以使美國的經濟規模擴大 70%以上，與此同時
，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術領域的領先廠商，安森美半導體一直專注於超低損MOSFET/IGBT
、智能電源IC及集成功率模塊等方麵的研發和創新
，而且取得了長足的進展。