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功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)的(de)基(ji)礎(chu)，隻(zhi)有(you)掌(zhang)握(wo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)熱(re)設(she)計(ji)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi)，才(cai)能(neng)完(wan)成(cheng)精(jing)確(que)熱(re)設(she)計(ji)，提(ti)高(gao)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)利(li)用(yong)率(lv)，降(jiang)低(di)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)，並(bing)保(bao)證(zheng)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。

2024-12-09
安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎

智能電源和智能感知技術的領導者安森美再次榮膺電子行業資深媒體集團ASPENCORE頒發的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎，彰顯其在車用領域的卓越表現和領先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術帶來出色的效能表現獲得業界肯定。

2024-12-06
功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)的(de)基(ji)礎(chu)，隻(zhi)有(you)掌(zhang)握(wo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)熱(re)設(she)計(ji)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi)，才(cai)能(neng)完(wan)成(cheng)精(jing)確(que)熱(re)設(she)計(ji)，提(ti)高(gao)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)利(li)用(yong)率(lv)，降(jiang)低(di)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)，並(bing)保(bao)證(zheng)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。

2024-12-06
在逆變器應用中提供更高能效，這款IGBT模塊了解一下

製造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對於保護環境、限製汙染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車(EV)在全球日益普及，眾多企業紛紛入場，試圖將商用和農業車輛(CAV)改造成由電力驅動。

2024-11-27
功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)的(de)基(ji)礎(chu)，隻(zhi)有(you)掌(zhang)握(wo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)熱(re)設(she)計(ji)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi)，才(cai)能(neng)完(wan)成(cheng)精(jing)確(que)熱(re)設(she)計(ji)，提(ti)高(gao)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)利(li)用(yong)率(lv)，降(jiang)低(di)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)，並(bing)保(bao)證(zheng)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。

2024-11-25
功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)的(de)基(ji)礎(chu)，隻(zhi)有(you)掌(zhang)握(wo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)熱(re)設(she)計(ji)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi)，才(cai)能(neng)完(wan)成(cheng)精(jing)確(que)熱(re)設(she)計(ji)，提(ti)高(gao)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)利(li)用(yong)率(lv)，降(jiang)低(di)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)，並(bing)保(bao)證(zheng)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。

2024-11-23
功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和並聯

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)的(de)基(ji)礎(chu)，隻(zhi)有(you)掌(zhang)握(wo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)熱(re)設(she)計(ji)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi)，才(cai)能(neng)完(wan)成(cheng)精(jing)確(que)熱(re)設(she)計(ji)，提(ti)高(gao)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)利(li)用(yong)率(lv)，降(jiang)低(di)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)，並(bing)保(bao)證(zheng)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。

2024-11-12
功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)的(de)基(ji)礎(chu)，隻(zhi)有(you)掌(zhang)握(wo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)熱(re)設(she)計(ji)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi)，才(cai)能(neng)完(wan)成(cheng)精(jing)確(que)熱(re)設(she)計(ji)，提(ti)高(gao)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)利(li)用(yong)率(lv)，降(jiang)低(di)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)，並(bing)保(bao)證(zheng)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。

2024-11-11
車載充電器材料選擇比較：碳化矽與IGBT

車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網的交流電轉換為適合電池充電的直流電，從而實現電動汽車充電。隨著每年上市的電動汽車設計、架構和尺寸越來越豐富，車載充電器的實施也變得越來越複雜。

2024-11-11
采用IGBT5.XT技術的PrimePACK™為風能變流器提供卓越的解決方案

jianyupoqiedehuanjingxuqiu，womenbixuquebaoqingjienengyuanjichusheshideqiyong，yijianshaotanpaifangduihuanjingdefumianyingxiang。zaizheyizhiguanzhongyaodejucuozhong，fenglifadianjishubanyanleguanjianjiaose，bingyichuyulingxiandiwei。zaiguoqude20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發電功率大幅提升，不久後將突破15MW的(de)大(da)關(guan)。因(yin)此(ci)，先(xian)進(jin)風(feng)能(neng)變(bian)流(liu)器(qi)的(de)需(xu)求(qiu)在(zai)不(bu)斷(duan)增(zeng)長(chang)。這(zhe)些(xie)變(bian)流(liu)器(qi)在(zai)惡(e)劣(lie)境(jing)條(tiao)件(jian)下(xia)工(gong)作(zuo)，需(xu)要(yao)高(gao)度(du)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)和(he)堅(jian)固(gu)性(xing)，以(yi)確(que)保(bao)較(jiao)長(chang)的(de)使(shi)用(yong)壽(shou)命(ming)。為(wei)了(le)在(zai)限(xian)製(zhi)機(ji)櫃(gui)內(nei)元(yuan)件(jian)數(shu)量(liang)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)最(zui)大(da)化(hua)功(gong)率(lv)輸(shu)出(chu)，我(wo)們(men)需(xu)要(yao)采(cai)用(yong)高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)設(she)計(ji)。鑒(jian)於(yu)需(xu)求(qiu)的(de)持(chi)續(xu)增(zeng)長(chang)，我(wo)們(men)的(de)大(da)規(gui)模(mo)生(sheng)產(chan)能(neng)力(li)顯(xian)得(de)尤(you)為(wei)關(guan)鍵(jian)通(tong)過(guo)對(dui)現(xian)有(you)逆(ni)變(bian)器(qi)設(she)計(ji)的(de)升(sheng)級(ji)，不(bu)僅(jin)能(neng)夠(gou)降(jiang)低(di)風(feng)險(xian)，還(hai)能(neng)縮(suo)短(duan)開(kai)發(fa)時(shi)間(jian)，最(zui)終(zhong)達(da)到(dao)優(you)化(hua)設(she)計(ji)和(he)開(kai)發(fa)流(liu)程(cheng)的(de)目(mu)的(de)。

2024-10-27
用Python自動化雙脈衝測試

電力電子設備中使用的半導體材料正從矽過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用於汽車和工業領域中。由於工作電壓高，SiC技術正被應用於電動汽車動力係統，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試，但雙脈衝測試也可應用於矽器件、MOSFET或IGBT中。

2024-10-23
高壓柵極驅動器的功率耗散和散熱分析，一文get√

高頻率開關的MOSFET和IGBT柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)，可(ke)能(neng)會(hui)產(chan)生(sheng)大(da)量(liang)的(de)耗(hao)散(san)功(gong)率(lv)。因(yin)此(ci)，需(xu)要(yao)確(que)認(ren)驅(qu)動(dong)器(qi)功(gong)率(lv)耗(hao)散(san)和(he)由(you)此(ci)產(chan)生(sheng)的(de)結(jie)溫(wen)，確(que)保(bao)器(qi)件(jian)在(zai)可(ke)接(jie)受(shou)的(de)溫(wen)度(du)範(fan)圍(wei)內(nei)工(gong)作(zuo)。高(gao)壓(ya)柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)（HVIC）是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅動集成電路，驅動高壓、高速MOSFET 而設計。

2024-10-08

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