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詳解MOS管工作動畫原理圖
絕緣型場效應管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱為MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結型場效應管大得多，可達1010Ω以上，還因為它比結型場效應管溫度穩定性好、集成化時溫度簡單，而廣泛應用於大規模和超大規模集成電路中。
2019-03-05
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淺析采用雙極型晶體管的直流250mV轉換器
直流250mV轉換器描述如下：它基於一個矽雙極型晶體管(BJT)，可在低於250mV電壓下工作，這對一個不是基於結型場效應管或鍺晶體管的轉換器來說幾乎是創記錄的。
2018-11-30
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場效應晶體管的輸出曲線（實例解讀）
場效應晶體管的輸出曲線如何理解？場效應管輸出特性曲線分為三個區：可變電阻區、恒流區和擊穿區。VDS較小時，場效應管工作在可變電阻區，ID近似隨VGS作線性變化。VDS較大時，工作在恒流區，ID保持穩定，不隨VGS的變化而改變。當VDS大於某一臨界值時，進入擊穿區，ID開始迅速增大，場效應管不能正常工作。下麵通過一些實例問答來幫助大家加深對場效應晶體管的輸出曲線的認知。
2018-11-06
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通俗易懂的解析場效應管
場效應管在mpn中，它的長相和我們常麵講的三極管非常像，所以有不少修朋友好長時間還分不清楚，統一的把這些長相相同的三極管、場效應管、雙二極管、還有各種穩壓IC統統稱作“三個腳的管管”，嗬嗬，如果這樣麻木不分的話，你的維修技術恐怕很難快速提高的哦！
2018-10-17
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LCE15P25JK替代IRF6215SPDF 傳導騷擾CE問題分析報告
場效應管MOSFET為壓控元件，廣泛應用於消費電子、電動交通工具、電源管理、工業應用、照明等領域。 MOSFET隻要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通，它的導通就像三極管在飽和狀態一樣，導通結的壓降最小，這就是經典的開關作用，用場效應管MOSFET作開關還能減少功耗，開關特性較好。
2018-10-09
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增強型N溝道場效應管的電池反接保護電路介紹
一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時，PN結反接無電壓降，但在正常工作時有0.6～0.7V的管壓降。采用導通電阻低的增強型N溝道場效應管(MOSFET)具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON)約為0.04Ω，則在lA時約為0.04V。
2018-09-17
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堪稱工業中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的複合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等。
2018-07-18
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了解MOS管，看這個就夠了！
MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬於場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應管。在一般電子電路中，MOS管通常被用於放大電路或開關電路。本文就結構構造、特點、實用電路等幾個方麵用工程師的話簡單描述。
2018-05-17
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功率半導體，大漲價下的國產替代之路
功率半導體器件可以用來控製電路通斷，從而實現電力的整流、逆變、變頻等變換。一般將額定電流超過 1A 的半導體器件歸類為功率半導體器件，這類器件的阻斷電壓分布在幾伏到上萬伏。常見的功率半導體器件有金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管芯片（IGBT）及模塊等。
2017-12-28
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第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
功率管的發展微波功率器件近年來已經從矽雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化矽(SiC)、氮镓(GaN) 為代表的寬禁帶功率管過渡。
2017-04-24
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小器件大作用，五大關鍵點解讀什麼是MOS管
MOS管屬於場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應管。在一般電子電路中，MOS管通常被用於放大電路或開關電路。
2017-04-20
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關於直流電源輸入防反接保護電路的設計
極性反接保護將保護用場效應管與被保護電路串聯連接。保護用場效應管為PMOS場效應管或NMOS場效應管，通常情況下直流電源輸入防反接保護電路是利用二極管的單向導電性來實現防反接保護。
2016-10-31
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